摩尔定律将死？看工程师如何解决制程微缩障碍

工程师们对半导体技术发展前景忧喜参半；他们认为半导体制程蓝图可再延续十年，但也可能因为缺乏新的光阻剂化学材料而遭遇发展瓶颈。

在一场于美国硅谷举行之年度半导体微影技术研讨会(编按：SPIE Advanced Lithography)的晚间座谈上，工程师们对半导体技术发展前景忧喜参半；他们认为半导体制程蓝图可再延续十年、达到1奈米节点，但也可能因为缺乏新的光阻剂(resist)化学材料，而在3奈米节点之前就遭遇发展瓶颈。

这场座谈会试图轻松看待早就被预言的「摩尔定律(Moore’s Law)将死」议题，也凸显了令人不安的不确定因素，尽管那都是会在新一代芯片发展过程中不断自然产生的种种挑战。

目前三星(Samsung)已经开始使用极紫外光(EUV)微影技术生产7奈米组件，台积电(TSMC)也预计在6月开始量产采用EUV微影的强化版7奈米制程(N7+)。而微影设备大厂ASML希望在今年透过升级其EUV系统(3400C)来服务这两家客户，并承诺达到每小时170片晶圆的生产速率和90 %以上的稼动率(availability)。

ASML计划在今年升级现有EUV系统。（来源：ASML）