除了SOI，Soitec还有GaN与远方

作为设计和生产创新性半导体材料的全球领军企业，Soitec于约两月前以3000万欧元的价格收购了氮化镓(以下简称GaN)外延硅片材料供应商EpiGaN。通过此次收购，Soitec在其不断增长的硅基和化合物半导体产品系列中增加了GaN技术，也将借助GaN在5G中的优势，进一步扩大功率放大器市场。

Soitec全球战略执行副总裁Thomas Piliszczuk博士表示：“EpiGaN虽然是一家初创公司，但其产品技术十分成熟。相信在我们的支持下，其GaN材料相关的产品及技术将得到迅速的发展。”

收购EpiGaN——翘首以盼的机遇

尽管SOI产品占Soitec业务的95%左右，但Soitec一直在计划将其业务扩展至SOI之外的相关领域。

正如Piliszczuk博士所指出的那样：“SOI已不再是一个小众市场，我们的业务范围也在逐渐扩大中。因此，在过去的几年内，我们已经初步展开了SOI之外的其他业务，例如使用压电材料开发优化衬底，在与所有主要射频技术领域的公司合作的同时，逐步增加用于射频滤波器的压电绝缘体的产量。”

GaN材料将在高功率和射频领域发挥重要作用

此外，Soitec也精心打磨了其Smart CutTM工艺。目前，它可被用于将一层薄薄的晶体材料从GaN或InP供体衬底转移到另一个衬底，以生产出具有成本效益的化合物半导体晶圆。

Piliszczuk博士还谈到：“我们与重要的微型LED制造商合作，为他们的设备提供这些衬底，这其中存在着很大的市场机遇。我们一直有关注GaN材料，如今，我们相信这项技术已经逐渐发展成熟，可以带来实际落地业务，尤其是在5G领域。”

与EpiGaN共创未来

EpiGaN将在Soitec发展中扮演关键角色。Soitec现有的SOI和POI产品满足了5G基站和手机架构中许多关键组件的需求，如收发器、低噪声放大器、天线开关滤波器等。然而，利用EpiGaN的硅基氮化镓(GaN-on-silicon)和碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)外延片，Soitec如今可以在基站及手机的功率放大器市场上占有一席之地。

在EpiGaN完全整合入公司后，Soitec计划在比利时哈瑟尔特的EpiGaN生产基地扩大生产规模。据Piliszczuk博士称，除此之外，Soitec将在未来几个月内购买其他程序控制和清洁工具。他说：“我们有能力购买更多工具，并且我们有自信能够充分使用这些资源。”

同时，Soitec将继续把EpiGaN的外延片生产从六英寸转为八英寸。Piliszczuk博士强调：“我们想确保这一项目迅速达到成熟。长远来看，我们可能还需要一个新的生产基地。”

持续扩大的业务

Soitec衬底产品

Soitec并未打算止步于氮化镓材料。据Piliszczuk博士所称，长时间以来，Soitec也在持续关注碳化硅的商业机会。

Piliszczuk博士说：“碳化硅是一个十分具有潜力的市场，我们也一直受到终端客户的推动，他们相信Soitec可以为产业链带来很多价值。碳化硅的供应是一个巨大的挑战，但是通过Smart CutTM工艺，我们可以将碳化硅晶体切割为薄层，并将其转移到(受体)衬底上，从而产生更大的供给量。因此，Soitec十分重视碳化硅项目。”