SiC产业化，多项第三代半导体标准通过评审

6月27日，中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟（以下简称“宽禁带联盟”）第三批团体标准初审稿评审会举行，对6项团体标准初审稿进行评审。

据宽禁带半导体技术创新联盟消息，与会专家一致同意以下6项团体标准初审稿通过初审评定：

（1）《碳化硅单晶抛光片表面质量自动检测方法》（牵头单位：北京天科合达半导体股份有限公司）

（2）《碳化硅单晶片表面质量和微管密度的测试方法》（牵头单位：中国电子科技集团公司第四十六研究所）

（3）《半绝缘SiC电阻率非接触测量方法》（牵头单位：中国电子科技集团公司第二研究所）

（4）《半导体单晶残余应力检测方法》（牵头单位：北京聚睿众邦科技有限公司）

（5）《导电碳化硅单晶片电阻率测试方法》（牵头单位：中科钢研节能科技有限公司）

（6）《功率半导体器件稳态湿热高压偏置测试方法》（牵头单位：中国科学院电工研究所）