5G带动砷化镓用量翻倍，射频元件厂2020年将受惠

研调机构集邦旗下拓墣产业研究院报告指出，由于现行射频前端元件制造商依手机通信元件功能需求，逐渐以砷化镓（GaAs）晶圆作为元件的制造材料，加上5G布建逐步展开，射频元件使用量较4G时代倍增，预期GaAs射频元件市场将自2020年起进入新一波成长期。

拓墣指出，由于射频前端元件特性是耐高电压、耐高温及高频等，在4G与5G时代有高度需求，传统如HBT和CMOS的硅（Si）元件已无法满足，厂商逐渐转向GaAs化合物半导体。

拓墣强调，GaAs化合物半导体的电子迁移率较Si快速，且具有抗干扰、低噪声与耐高电压等特性，因此特别适合应用于无线通信中的高频传输领域。

由于4G时代的手机通信频率使用范围已进展至1.8～2.7GHz，对传统3G的Si射频前端元件已不敷使用，加上5G通信市场正步入高速成长期，使用频段也将更广泛，包含3-5GHz、20-30GHz，因此无论是4G或5G通信应用，现行射频元件都将逐渐被GaAs取代。

若以目前市场发展来看，受2018年下半年手机销量下滑、中美贸易战影响，冲击GaAs通信元件IDM厂营收表现，预估2019年IDM厂总营收将下滑至58.35亿美元（单位下同），年减8.9%。

不过，随5G持续发展，射频前端元件使用数量将显著提升，如功率放大器（PA）使用量，由3G时代的2颗、4G的5-7颗，倍增至5G时代的16颗，将带动2020年IDM厂整体营收，预估GaAs射频前端元件总营收将达64.92亿元，年增11.3%。

整体而言，各国持续投资5G基站等基础设施，预估2021、2022年将达高峰，加上射频前端元件使用量较4G时代翻倍，可望成为IDM厂如思佳讯（Skyworks）、科沃（Qorvo）新一波营收成长动能，而台厂射频代工制造业稳懋、宏捷科、环宇等也将受惠，摆脱营收衰退阴霾。