为啥说SiC在功率器件领域更具有竞争力？

如今在需求庞大的功率半导体市场上，来自工艺材料方面的竞争十分激烈，传统硅材料和新兴的SiC、GaN工艺各有拥趸。不过，在当前的时间节点，SiC的综合优势似乎更具有竞争力。

SiC是一种基于硅和碳的复合半导体材料。在生产流程中，专门的SiC衬底被开发出来，然后在晶圆厂中进行加工，得到基于SiC的功率半导体。许多基于SiC的功率半导体和竞争技术都是专用晶体管，它们可以在高电压下开关器件的电流。它们用于电力电子领域，可以实现系统中电力的转换和控制。

比较而言，SiC器件主要具备三点优势：更低的阻抗，带来更小尺寸的产品设计和更高的效率；更高频率的运行，能让被动元器件做得更小；更高温度的运行，意味着冷却系统可以更简单。

据相关数据显示，SiC的电力电子器件市场在2016年正式形成，市场规模约在2.1亿~2.4亿美金之间。据Yole预测，SiC市场规模在2021年将上涨到5.5亿美金，这期间的复合年均增长率预计将达19%。

这种增长预期也取决于终端产品对SiC的需求。就目前市场而言，SiC在高功率产品上优势较为突出。因此，在现阶段中，光伏储能、数据中心服务器UPS以及xEV是促进SiC相关产品的发展动力。除此之外，伴随着铁路和风电产业的升级，未来这两块市场也将拓展SiC相关产品的发展空间。

罗姆是较早一批将SiC功率元器件量产化的厂商之一，并于2010年成功量产了SiC-DMOS。罗姆半导体（深圳）技术中心经理苏勇锦表示，针对SiC巨大的市场需求，罗姆在两年前已经开始增产SiC产品，我们计划加大资金投入，把2025年的产能增加到2017年的16倍。

不过，相比与传统的应用终端，整个SiC功率元器件在汽车电子市场会有更大的发展空间。在汽车应用领域上，罗姆预测在2020年到2021年期间，国内会有一些厂家直接使用纯SiC器件在主机逆变器上。SiC的逆变器在未来三到五年会有一个比较爆发性的增长，尤其在电控市场上。

目前，罗姆在SiC产业链上具备较强的竞争力，从晶棒到晶圆，到封测，罗姆具备一条龙生产的能力，SiC器件主要集中在1200V，小的电流80A，大的电流600A；同时罗姆也在给国内一些模组厂提供SiC晶圆，包括比亚迪、嘉兴斯达、江苏宏微等国内半导体厂商。