耗资25亿美元 国产DDR4内存已完成研发测试 年内部分投产

在5月中旬举行的GSA+Memory存储峰会上，长鑫存储的董事长兼CEO朱一明发表了《中国存储技术发展与解决方案》主题演讲，其中就提到了长鑫DRAM内存的技术来源—;—;已破产的奇梦达公司。

通过与奇梦达合作，将一千多万份有关DRAM的技术文件及2.8TB数据收归囊中，这也是公司最初的技术来源之一。长鑫存储在所接收技术和国际合作的基础上，利用专用研发线，展开世界速度的快速迭代研发，已持续投入晶圆超过15000片。

朱一明表示长鑫的内存研发是站在巨人肩膀上，尽管如此国内研发DRAM内存依然花费了极大的代价，累计研发费用高达25亿美元，建成严谨合规的研发体系和独有技术体系。

日前安徽印发了2019年省级调度重大项目计划的通知，提到合肥长鑫12英寸存储晶圆制造基地项目一期研发阶段所有单体已完成，目前研发线晶圆片电性测试良好，成品芯片功能通过；正在进行良率提升以及量产准备工作。

2019年工作目标是，部分完工，其中部分生产线投入使用。

根据计划，长鑫将于2018年年底推出8Gb DDR4工程样品，2019年三季度推出8Gb LPDDR4，到2019年年底，产能将达到2万片一个月。从2020年开始，公司则开始规划二厂，2021年则完成17nn的研发。