芯片厂商跃跃欲试：22nm FD-SOI产品前景到底如何？

体偏置技术并非什么新鲜玩意，40nm节点以前，体硅产品上也曾使用这项技术来控制漏电或提升性能，但40nm之后，体偏置技术在体硅产品上逐渐失去效用，而FD-SOI则不存在这方面的问题，因此借着FD-SOI的风潮，体偏置技术又被人们重新推到前台。类似于过去的体偏置技术，FD-SOI支持反向/正向体偏置（RBB/FBB），当需要提升器件性能，增加开关速度时，可以采用FBB，增加体偏置电压，代价是稍微增加器件的漏电水平；当不需要器件工作在高性能模式下时，可以采用RBB，降低体偏置电压从而降低器件的漏电水平。

不过FD-SOI也有三个弱点：成本，生态系统和采用率。多年以来，FD-SOI一直鲜有代工厂商问津，Intel，台积电，联电和其它一些代工商从未涉足FD-SOI领域，他们认为体硅技术完全可以在较低的成本水平上实现高性能表现。举例而言，一片SOI晶圆片的售价在370到400美元之间，而普通晶圆售价仅100-120美元。

不过FD-SOI产品的光掩模数量确实相对较少，这补偿了其高昂的晶圆片价格。根据IBS的数据，FD-SOI产品的光掩模数量通常在22-24片，而体硅则需要27-29片。

除此以外，FD-SOI阵营也正在仰头赶上。”相比22nm体硅HKMG器件，FD-SOI器件的成本增加在5%以内，而功耗方面则相对提升了30%-50%，这对可穿戴设备以及物联网用设备是很重要的优势。“

然而，EDA工具/IP工具则可以说是FD-SOI阵营的短板。Jones介绍说：”目前22nm FD-SOI的IP生态圈还在成长中，相比之下22nm体硅的IP生态系统要成熟得多。“这种情况正在逐步好转中，据悉Cadence, Mentor 以及 Synopsys这样的大厂的多款22nm FD-SOI用EDA工具已经在认证过程中。

Mentor公司CEO Wally Rhines表示：”FD-SOI在RF器件方面具备独特的优势，这是其它技术难以匹敌的优势。“

FD-SOI还有其它的优势。Rhines介绍说：”虽然finFET的漏电量接近于零，但仍需要解决动态功耗的问题。而FD-SOI的优势之一就是对动态功耗的控制。如果你能将电压从1.0降低到0.6V，那么功耗可以降低65%。而FD-SOI器件则可以根据情况动态调整器件的功耗。“

其它选项

去年，Intel推出了其22nm finFET产品的低功耗版本.不过此后他们几乎没有对这款产品进行太多的宣传。不过在即将开幕的IEDM大会上，Intel计划展示一篇有关其22nm嵌入式MRAM的文章。

以上这些就是目前22nm战线上的热闹景象，不过目前相关的市场规模能发展到多大，哪一种产品将执牛耳则还没有定论。现在要估计22nm产品会大红大紫还是门庭冷落还为时过早。每项技术都有其用武之地，只不过有些技术更容易吸引人们的注意而已。