意法半导体低电阻 MOSFET可节省电能，缩减 PCB面积，适合配电应用

2026 年4月27日，中国—— 意法半导体推出一系列低导通电阻 (RDS(on))的MOSFET功率开关管。系列产品采用智能STripFET F8技术，其设计旨在实现最佳的导电性能和较小的芯片尺寸，面向汽车配电系统、电池管理系统等空间受限的应用场景。

新系列首款产品STL059N4S8AG是一款 40V/420A N 沟道增强型 MOSFET，导通电阻 RDS (on)为0.59mΩ，采用PowerFLAT 5x6 封装。紧凑的外形可节省 PCB 空间，便于设计更小的控制模块；同时高导热性和高效散热性能有助于满足严苛的可靠性指标。该器件还将最高工作温度提高至175℃。STL059N4S8AG 通过了 AEC‑Q101 车规认证，采用可湿润侧面封装，便于汽车装配中的光学检测。

意法半导体的智能在传统STripFET F8 的基础上优化了沟槽栅极结构，提升了导通性能与芯片面积利用率。该系列器件适合那些需要通过最小化导通损耗来提升整体能效的应用场景，尤其适用于大电流配电场景，与意法半导体的 STi²Fuse VIPower栅极驱动器配合使用，节能效果更佳。该栅极驱动器具备可调节的断路保护功能，保护 PCB走线、连接器及线束的电气安全。在汽车应用中，智能STripFET F8 MOSFET 能够将电池电能更高效地输送至车载电气系统，同时降低耗散功率，延长续航里程。在以电芯状态监测、负载均衡与安全保护为核心功能的电池管理系统(BMS)中，新系列 MOSFET 更低的导通电阻RDS(on)可有效提升电池充放电效率。

STL059N4S8AG目前已量产，符合汽车级标准。意法半导体后续还将推出额定电流 350A、导通电阻 0.75mΩ的 STL075N4S8AG和额定电流 780A、导通电阻 0.35mΩ的 STK035N4S8AG 。

产品详情访问https://www.st.com/smart-stripfet-f8

关于意法半导体

意法半导体拥有48,000名半导体技术的创造者和创新者，掌握半导体供应链和先进的制造设备。作为一家半导体垂直整合制造商(IDM)，意法半导体与二十多万家客户、成千上万名合作伙伴一起研发产品和解决方案，共同构建生态系统，帮助他们更好地应对各种挑战和新机遇，满足世界对可持续发展的更高需求。意法半导体的技术让人们的出行更智能，让电源和能源管理更高效，让云连接的自主化设备应用更广泛。我们正按计划在所有直接和间接排放（包括范围1和范围2）、产品运输、商务旅行以及员工通勤排放（重点关注的范围3）方面实现碳中和，并在2027年底前实现 100%使用可再生电力的目标。详情请浏览意法半导体公司网站：www.st.com.cn