美国国际贸易委员会(ITC)裁定英飞凌胜诉，并对英诺赛科实施进口及销售禁令

· 美国国际贸易委员会(ITC)全体委员会在针对英诺赛科的专利侵权案中做出裁决，裁定英飞凌胜诉

· ITC下令对英诺赛科在美国销售的氮化镓产品实施进口及销售禁令

· 此项裁决再次凸显了英飞凌行业领先专利组合的价值

【2026年5月8日，德国慕尼黑讯】美国国际贸易委员会(ITC)全体委员会维持了其于2025年12月作出的初步裁定，确认英诺赛科(Innoscience)侵犯了英飞凌的一项氮化镓(GaN)技术专利，并下令对英诺赛科实施进口和销售禁令。ITC委员会的最终裁决及其颁布的相关禁令仍需经过为期60天的美国总统审查期后生效。

英飞凌300mm GaN技术

英飞凌科技高级副总裁、氮化镓系统业务线负责人Johannes Schoiswohl表示：“此项裁决再次印证了英飞凌在知识产权方面的坚实基础，也彰显了我们坚决捍卫专利组合、维护市场公平竞争的决心和承诺。凭借业界领先的300毫米氮化镓制造能力，我们在推动规模化创新方面具备独特优势，能够为客户提供加速低碳化与数字化进程所需的性能、质量及成本优势。”

该裁决是又一项积极的结果，进一步彰显了英飞凌在氮化镓技术领域所作贡献的价值。在德国进行的相关诉讼中，英飞凌正在慕尼黑第一地方法院(Landgericht München I)就三项专利和一项实用新型专利的侵权问题提起诉讼。早在2024年8月，慕尼黑法院就已裁定英诺赛科侵犯了英飞凌指控的首项专利。另一项专利和一项实用新型专利的庭审将于2026年6月举行。

英飞凌是氮化镓市场领先的垂直整合器件制造商(IDM)，拥有行业内最广泛的知识产权组合，涵盖约450个氮化镓专利家族。氮化镓在实现高性能、高能效的功率系统中起着关键作用，其应用范围覆盖可再生能源系统、人工智能数据中心、工业自动化以及电动汽车(EV)等领域。凭借更高的功率密度、更快的开关速度以及更低的能耗，氮化镓半导体能支持更紧凑的设计，有效降低能耗和减少热量产生。作为功率系统的领导者，英飞凌在硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)这三种关键半导体材料领域都处于行业领先地位，并持续推动技术进步。