芯存远见，轻启未来：华邦电子重塑可穿戴设备设计效率

在 AI 的加持下，可穿戴设备正逐步改变人们的日常生活与工作方式。2026 年 1 月于拉斯维加斯举行的 CES 展会上，多款创新产品的亮相也印证了可穿戴设备的大规模普及时机已然到来。最新的产品设计融合了用户易于理解且看重的各项功能，同时采用纤薄、时尚、舒适且实用的外形设计——这些正是赢得市场广泛青睐的必备特质。

举个例子，消费级智能眼镜的再度兴起，正是基于 2010 年代早期试水型号的经验。尽管当时消费者市场反响平平，但它在工业领域却蓬勃发展：通过为工作人员提供与设备/工艺流程相关的情境化信息，智能眼镜有效提升了生产质量，减少了操作失误，并提高了工作效率。

随着边缘 AI 的集成，消费级智能眼镜涌现出一系列强大新功能，为日常活动提供切实助力，也迎来了新的发展机遇。其核心亮点包括阅读辅助功能(如即时语言翻译);以及出行辅助功能，如融合本地游客信息与可查找附近便民设施的增强版 GPS 导航。同样重要的是其时尚轻盈的外观设计(这也是今年 CES 展会上展示的新一代智能眼镜的显著特征)，显著提升了产品吸引力。这一切得益于当前高度小型化、超低功耗电子技术的发展，其中包括高容量、低功耗存储芯片。近期闪存与 DRAM 技术的进步尤其功不可没。

面向智能眼镜的存储解决方案

在设计智能眼镜时，工程师必须在严苛的功耗、散热与空间限制下，集成显示屏、传感器及连接功能。镜框需保持纤薄轻巧，这严格限制了 PCB 面积与元器件高度。同时，用户期望设备具备长续航能力，但受限于镜框尺寸，只能配置少量电芯。另一方面，系统还需做到无延迟响应，以防止显示渲染或传感器反馈出现卡断，从而影响用户体验。

综合以上因素，在极致紧凑的架构中实现容量、功耗与响应性能的平衡，存储子系统已成为最关键的设计环节之一。从系统启动、传感器管理，到无线通信与显示渲染，存储芯片的尺寸与重量、读写速度以及能效，都直接影响智能眼镜的外观、佩戴舒适度与整体性能。

低电压闪存

1.8V 低电压 QSPI NOR 闪存可为代码与参数提供紧凑、高能效的非易失性存储。运行于较低电压，使其能够与低核心电压(Core Voltage)处理器直接共享电源轨(Power Rails)，从而简化供电布局，并提升了系统整体能效。

此外，该 NOR 闪存支持高达 105°C 的工业级高温环境，应用范围可进一步拓展至边缘计算和 AI 等新兴领域，尤其适用于普遍存在高温环境的工业及计算场景，专为支持 AI 与高性能计算(HPC)带来的高负载应用而设计。

作为 2025 年全球最大的闪存产品供应商，华邦电子的 1.2V QSPI NOR 闪存，正推动存储产品向更低工作电压演进——在保持高性能的同时，降低工作电流与待机电流。相较于 1.8V 和 3.3V 器件，其工作电压仅略高于 1V，可显著降低能耗。

凭借标准 4KB 扇区架构以及 Dual SPI、Quad SPI 和 QPI 等先进串行接口，华邦的 1.2V QSPI NOR 闪存产品支持高速数据访问与就地执行(XIP)功能。其掉电电流通常低至零点几微安，尤其适合需要长时间处于休眠模式的产品设计。

WLCSP(晶圆级芯片尺寸封装)和 USON(超小型无引脚封装)等封装选项，则可在 PCB 空间受限的高度紧凑布局中实现灵活布局。低功耗与小型化是电池供电类可穿戴设备设计师的核心目标，因为体积更小、充电频次更低的设备，能够带来更出色的用户体验。

常见封装尺寸

提升 DRAM 性能

华邦的 HYPERRAM™ 支持 HyperBus 接口，提供低功耗、高吞吐量的存储方案，可在空间受限系统中替代传统 DRAM 或 pSRAM。HYPERRAM™ 能够为处理传感器数据、图形显示或无线协议栈的设备提供外部运行内存。

由于 HYPERRAM™ 仅需 13 个信号引脚即可运行，相比传统 DRAM 或 pSRAM，它的功耗更低、引脚更少，这简化了 PCB 布线，既降低了设计复杂度与制造成本，还节约了整体电路板面积。其待机与混合休眠模式电流通常处于数十微瓦范围，有力支持便携式系统的长续航需求。该产品容量覆盖 32Mb 至 256Mb，设计师可根据处理需求灵活选配运行内存的容量。与此同时，WLCSP 封装与 FBGA(细间距球栅阵列)封装进一步节省空间，助力设备小型化。

HYPERRAM™ 的吞吐量高达 400MB/s，运行功耗低于 50mW，在 1.8V 混合休眠模式下功耗仅 35µW。凭借性能与能效优势，它能够实时缓冲来自传感器及显示屏的数据;其高速读取写入能力，支持帧缓冲、图像处理及无线协议栈管理，同时避免了传统 DRAM 带来的高能耗问题。

超低压 QSPI NOR 闪存与 HYPERRAM™ 相结合，共同构建出一套专为紧凑型、功耗受限系统量身定制的优化型存储架构。该组合可实现流畅响应的显示性能、高效的数据处理以及更长的续航时间，帮助工程师满足下一代智能眼镜在机械、电气及功耗方面的关键要求。

案例：W25Q32JWBYIQ 在智能眼镜中的应用

为打造引领行业的新一代智能眼镜，以满足该新兴市场的需求，华邦的 W25Q32JWBYIQ QSPI NOR 闪存可用于存储系统固件、校准数据、配置参数以及图形资源。这款采用 WLCSP 封装的闪存产品，标称工作电压为 1.8V，存储容量为 32Mb，具备超薄外形，使存储产品能够灵活嵌入眼镜镜腿等狭小空间。W25Q32JWBYIQ 支持高频 Quad SPI 模式，确保高速数据吞吐与就地执行(XIP)功能，省去耗时的数据读取与解码步骤。

与上一代产品相比，W25Q32JWBYIQ 的读取速度提升约 30%，擦除时间缩短近一半。这进一步提升了 OTA(空中下载)更新的效率，实现更快、用时更短的固件升级。此外，其读取功耗最高可降低 66%，有效延长电池续航，缓解“电量续航焦虑”，这对于 AI 眼镜等可穿戴设备尤为关键。

可穿戴设备集成时的设计考量

将存储芯片集成至可穿戴系统时，有效的电源域规划至关重要。采用 1.2V QSPI NOR 闪存可与处理器的核心电源轨相匹配，从而减少所需稳压器的数量。封装选择也发挥着关键作用。WLCSP 与 USON 封装可使闪存与 RAM 灵活安置于原本无法利用的空间中。

对于 SPI 与 HyperBus 接口，信号完整性必须得到严格保障，尤其是在较高时钟频率下。通过匹配阻抗(Matched Impedance)、缩短走线长度以及确保稳定的接地参考(Ground References)，可以确保高速通信的可靠性。在固件层面，应通过让闪存和 RAM 在系统空闲时进入深度睡眠模式，来主动管理低功耗状态。充分利用现代 NOR 闪存与 HYPERRAM™ 的超低待机电流特性，以显著延长电池续航。

存储容量必须精心选型。容量过大会增加成本、浪费 PCB 空间，而容量不足则会在传感器融合或显示缓冲等场景中造成数据瓶颈。工作负载分析有助于为不同应用确定最优的存储容量配置。此外，由于许多可穿戴设备需紧贴皮肤使用，还必须考虑散热设计与人体工学因素。

小结

设计包括智能眼镜在内的可穿戴设备，本质上是一项受严苛约束的工程。工程师必须在极低功耗与极小空间的限制下，实现最大化的系统性能，同时确保流畅的用户体验。紧凑的架构、低功耗运行以及快速响应能力，是产品成功的关键。

超低电压 QSPI NOR 闪存为智能可穿戴设备提供赖以运行的高效代码存储，而 HYPERRAM™ 则为持续数据处理提供高速、低功耗的运行内存。两者协同，可助力设计人员突破可穿戴设备在物理与电气性能方面的创新障碍，推动新一代智能、轻量化且续航更持久的设备走向市场。