存储芯片“三国杀”座次重排：三星重回第一，美光紧咬海力士

研究机构Counterpoint Research最新发布的《全球存储追踪报告》显示，2026年第二季度全球DRAM市场格局正在经历剧烈洗牌。三星电子以39%的营收份额重回全球第一，SK海力士滑落至26%，美光则以25%的份额几乎追平。三大巨头的份额差距缩小至历史最低水平。

一年之前，SK海力士还曾以39%的份额与三星并驾齐驱。短短12个月，这家HBM领域的先行者便从巅峰滑落，与美光仅剩1个百分点的差距。Counterpoint甚至预测，美光有望很快超越SK海力士，坐上全球第二的位置。

这一戏剧性反转的核心原因在于HBM（高带宽内存）的价格波动。

SK海力士的营收中HBM占比最高，因此在本季度HBM平均售价走低时遭受的冲击也最大。与此同时，其早期签署的长期协议锁定了相对较低的合同价格，在内存价格上涨周期中反而成了拖累。三星则受益于传统DRAM涨价和HBM业务的同步扩张。美光同样凭借DRAM营收的爆发式增长快速缩小差距。

值得注意的是，三大巨头垄断全球90% DRAM市场的同时，一股新生力量正在崛起。中国DRAM龙头长鑫科技以同比增长716%的速度，成为全球增长最快的DRAM供应商。目前其市场份额约7%，稳居全球第四。

分析师指出，一旦长鑫成功扩大产能、提升技术能力，并从PC市场及海外一线客户切入，全球存储行业延续多年的“三国杀”格局，或将很快迎来真正的“四国演义”。