基辛格宣布全新IDM 2.0战略:产能将提升30%

随着先进制程芯片上量(包括逻辑芯片和存储器)，芯片制造端的高技术含量规模也在不断扩大，其中，最具代表性的就是EUV光刻机，市场对其需求在未来几年将大幅增加。

今年3月份Intel新任CEO基辛格宣布了全新的IDM 2.0战略，此后Intel开始了大规模的工厂扩建计划，在美国、欧洲、亚洲等地区都会建晶圆制造及封测工厂，未来五年内产能提升30%，而且新工艺频发。

今年9月份，Intel已经在亚利桑那州动工建设新的晶圆厂，投资高达200亿美元，两座工厂分别会命名为Fab 52、Fab 62，并首次透露这些工厂将会在2024年量产20A工艺——这与之前预期的不同，原本以为会量产的是Intel 4这样的下两代工艺。

在欧洲，Intel之前宣布了未来十年内有望投资1000亿美元的庞大计划，目前除了扩建爱尔兰的晶圆厂之外，还有望在德国建设新的晶圆厂，在意大利建设新的封测厂，只不过现在还没有正式公布，要到明年初才能决定。

前不久Intel还宣布在马来西亚投资71亿美元扩建封测厂，这里是Intel的芯片封测基地。

业界估计，Intel此番大举扩张，预计在5年内，也就是2026年的时候产能将增长30%以上，有望追赶台积电。

除了产能提升之外，Intel的芯片工艺也会突飞猛进，从今年底的12代酷睿使用的Intel 7工艺开始，到2025年的四年里升级五代工艺——分别是Intel 7、Intel 4、Intel 3及Intel 20A、Intel 18A，其中前面三代工艺还是基于FinFET晶体管的，从Intel 4开始全面拥抱EUV光刻工艺。

至于后面的两代工艺，20A首次进入埃米级时代，放弃FinFET晶体管，拥有两项革命性技术，RibbonFET就是类似三星的GAA环绕栅极晶体管，PoerVia则首创取消晶圆前侧的供电走线，改用后置供电，也可以优化信号传输。

20A工艺在2024年量产，2025年则会量产改进型的18A工艺，这次会首发下一代EUV光刻机，NA数值孔径会从现在的0.33提升到0.55以上。