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[导读]众所周知,目前全球最牛的光刻机厂商是ASML,并且全球仅有它能够研发EUV光刻机,用于7nm及以下的芯片。而像佳能、尼康、上海微电子的光刻机,均无法支持7nm及以下的芯片制造,更多的只能用于中、低档的晶圆制造。

众所周知,目前全球最牛的光刻机厂商是ASML,并且全球仅有它能够研发EUV光刻机,用于7nm及以下的芯片。而像佳能、尼康、上海微电子的光刻机,均无法支持7nm及以下的芯片制造,更多的只能用于中、低档的晶圆制造。

所以EUV光刻机也成为了各大晶圆制造厂必争产品,而其它的光刻机厂商,必然也想造出自己的EUV光刻机来。但ASML在EUV光刻机上,是设了几道坎的,比如收购了美国企业Cymer,后来又与德国的TRUMPF独家合作,还与卡尔蔡司独家合作,从光源到透镜、到供应链方面,让其它企业没法追上。

所以对于其它光刻机企业而言,按照ASML的方式,其实是很难追上ASML的,得到了供应链的支持,EUV光刻机就难以研发出来,所以换道超车也是另外一种考虑的方向。特别是在后摩尔时代,芯片工艺越来越难,各大晶圆厂商都在发力3D封装,小芯片技术、堆叠等半导体结构时,不再一味追求EUV光刻机,也成为了可选项。

何谓3D光刻机,顾名思议,就是直接光刻3D堆叠的芯片。以前的芯片,都是一块一块晶圆来光刻,然后在封装时进行3D堆叠。但3D光刻机,可以在光刻时就实现3D结构,采用堆叠的方式直接光刻,这样大幅度提高效率和性能,也算是真正的换道超车。

按照报道称,3D光刻机的曝光面积扩大至现有产品的约4倍,佳能是在原基础上改进透镜和镜台等光学零部件,来提高曝光精度,增加布线密度,从而实现3D光刻。道称,光刻机巨头佳能正在开发用于半导体3D技术的光刻机,最早在2023年就会面市。当然,现在还只是报道,具体会不会实现,能不能实现还是未知数。如果佳能真的实现了这一技术,那么对于整个芯片制造产业而言,将会是一个巨大的改变。想当年ASML率先推出了浸润式光刻机,用水来替代空气做为介质,从而奠定了自己成为全球第一大光刻机巨头的基础。

4 月 1 日消息,据日经中文网报道,佳能正在开发用于半导体 3D 技术的光刻机。佳能光刻机新品最早有望于 2023 年上半年上市。曝光面积扩大至现有产品的约 4 倍,可支持 AI 使用的大型半导体的生产。

3D 技术可以通过堆叠多个半导体芯片使其紧密连接来提高性能的方式。据介绍,在放置芯片的板状零部件上,以很高的密度形成以电气方式连接各个芯片的多层微细布线,佳能就正在开发用于形成这种布线的新型光刻机,在原基础上改进透镜和镜台等光学零部件,来提高曝光精度以及布线密度。据称,普通光刻机的分辨率为十几微米,但新产品还能支持 1 微米的线宽。

在尖端半导体领域,3D 技术可以通过堆叠多个芯片来提高半导体的性能。在这个领域,3D 半导体光刻机是十分重要的设备,而且我们企业在这一领域也有建树。

了解到,今年 2 月 7 日,上海微电子举行首台 2.5D / 3D 先进封装光刻机发运仪式,这标志着中国首台 2.5D / 3D 先进封装光刻机正式交付客户。

在 3 月 28 日的财报会上,华为郭平表示华为未来将投资三个重构,用堆叠、面积换性能,用不那么先进的工艺也可以让华为的产品有竞争力。“解决芯片问题是一个复杂的漫长过程,需要有耐心,未来我们的芯片方案可能采用多核结构,以提升芯片性能”。

据日经中文网报道,佳能正在开发用于半导体3D技术的光刻机,佳能光刻机新产品最早于2023年上半年上市。曝光面积扩大至现有产品的约4倍,可支持AI使用的大型半导体的生产。

据悉,3D技术是通过堆叠多个半导体芯片使其紧密连接来提高性能的方式。在放置芯片的板状零部件上,以很高的密度形成以电气方式连接各个芯片的多层微细布线,佳能就正在开发用于形成这种布线的新型光刻机。

此外,该新型光刻机通过在原基础上改进透镜和镜台等光学零部件,来提高曝光精度;通过提高分辨率来增加布线密度,还支持1微米的线宽。

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