EUV光刻机成为各大晶圆制造厂必争产品，佳能研发新型3D光刻机

众所周知，目前全球最牛的光刻机厂商是ASML，并且全球仅有它能够研发EUV光刻机，用于7nm及以下的芯片。而像佳能、尼康、上海微电子的光刻机，均无法支持7nm及以下的芯片制造，更多的只能用于中、低档的晶圆制造。

所以EUV光刻机也成为了各大晶圆制造厂必争产品，而其它的光刻机厂商，必然也想造出自己的EUV光刻机来。但ASML在EUV光刻机上，是设了几道坎的，比如收购了美国企业Cymer，后来又与德国的TRUMPF独家合作，还与卡尔蔡司独家合作，从光源到透镜、到供应链方面，让其它企业没法追上。

所以对于其它光刻机企业而言，按照ASML的方式，其实是很难追上ASML的，得到了供应链的支持，EUV光刻机就难以研发出来，所以换道超车也是另外一种考虑的方向。特别是在后摩尔时代，芯片工艺越来越难，各大晶圆厂商都在发力3D封装，小芯片技术、堆叠等半导体结构时，不再一味追求EUV光刻机，也成为了可选项。

何谓3D光刻机，顾名思议，就是直接光刻3D堆叠的芯片。以前的芯片，都是一块一块晶圆来光刻，然后在封装时进行3D堆叠。但3D光刻机，可以在光刻时就实现3D结构，采用堆叠的方式直接光刻，这样大幅度提高效率和性能，也算是真正的换道超车。

按照报道称，3D光刻机的曝光面积扩大至现有产品的约4倍，佳能是在原基础上改进透镜和镜台等光学零部件，来提高曝光精度，增加布线密度，从而实现3D光刻。道称，光刻机巨头佳能正在开发用于半导体3D技术的光刻机，最早在2023年就会面市。当然，现在还只是报道，具体会不会实现，能不能实现还是未知数。如果佳能真的实现了这一技术，那么对于整个芯片制造产业而言，将会是一个巨大的改变。想当年ASML率先推出了浸润式光刻机，用水来替代空气做为介质，从而奠定了自己成为全球第一大光刻机巨头的基础。

4 月 1 日消息，据日经中文网报道，佳能正在开发用于半导体 3D 技术的光刻机。佳能光刻机新品最早有望于 2023 年上半年上市。曝光面积扩大至现有产品的约 4 倍，可支持 AI 使用的大型半导体的生产。

3D 技术可以通过堆叠多个半导体芯片使其紧密连接来提高性能的方式。据介绍，在放置芯片的板状零部件上，以很高的密度形成以电气方式连接各个芯片的多层微细布线，佳能就正在开发用于形成这种布线的新型光刻机，在原基础上改进透镜和镜台等光学零部件，来提高曝光精度以及布线密度。据称，普通光刻机的分辨率为十几微米，但新产品还能支持 1 微米的线宽。

在尖端半导体领域，3D 技术可以通过堆叠多个芯片来提高半导体的性能。在这个领域，3D 半导体光刻机是十分重要的设备，而且我们企业在这一领域也有建树。

了解到，今年 2 月 7 日，上海微电子举行首台 2.5D / 3D 先进封装光刻机发运仪式，这标志着中国首台 2.5D / 3D 先进封装光刻机正式交付客户。

在 3 月 28 日的财报会上，华为郭平表示华为未来将投资三个重构，用堆叠、面积换性能，用不那么先进的工艺也可以让华为的产品有竞争力。“解决芯片问题是一个复杂的漫长过程，需要有耐心，未来我们的芯片方案可能采用多核结构，以提升芯片性能”。

据日经中文网报道，佳能正在开发用于半导体3D技术的光刻机，佳能光刻机新产品最早于2023年上半年上市。曝光面积扩大至现有产品的约4倍，可支持AI使用的大型半导体的生产。

据悉，3D技术是通过堆叠多个半导体芯片使其紧密连接来提高性能的方式。在放置芯片的板状零部件上，以很高的密度形成以电气方式连接各个芯片的多层微细布线，佳能就正在开发用于形成这种布线的新型光刻机。

此外，该新型光刻机通过在原基础上改进透镜和镜台等光学零部件，来提高曝光精度;通过提高分辨率来增加布线密度，还支持1微米的线宽。