台积电2nm工艺提升有限：仅提升10%

前几天的技术论坛上，全球第一大晶圆代工厂台积电公布了芯片工艺路线图，其中3nm工艺就有5种之多，2025年将推出2nm工艺，用上GAA晶体管技术。

根据台积电的说法，相比3nm工艺，在相同功耗下，2nm速度快10~15%;相同速度下，功耗降低25~30%。

虽然这些指标看着不错，但是2nm工艺的密度提升挤牙膏了，仅提升了10%，远远达不到摩尔定律密度翻倍的要求，比之前台积电新工艺至少70%的密度提升也差远了。

2nm工艺的难度显然成了一个挑战，这让台积电未来的密度提升越来越难，不过对竞争对手来说，台积电这次的挤牙膏让他们窃喜，有了追赶的机会。

不仅Intel的20A/18A工艺会在2024-2025年对台积电2nm带来压力，更大的麻烦还有三星，三星使用GAA晶体管比台积电还要激进，3nm工艺上就会使用。

根据三星的计划，3nm GAA工艺预计会在6月份就试验性量产，相比5nm工艺，该工艺的性能提升15%，功耗降低30%，芯片面积减少35%。

三星也将2nm GAA工艺的量产时间定在2025年，跟台积电差不多同步，这也是三星近年来首次的新工艺量产上追上台积电，此前都要慢上1-2年，导致缺乏竞争力。