当前位置:首页 > 模拟 > 模拟
[导读]这两天小米12S系列的上市,意味着打开了骁龙8+市场的大门,换用台积电4nm的骁龙8+使得小米12S综合能力得到不少增强,不仅性能上升级,更重要是带来了功耗的大幅降低。

这两天小米12S系列的上市,意味着打开了骁龙8+市场的大门,换用台积电4nm的骁龙8+使得小米12S综合能力得到不少增强,不仅性能上升级,更重要是带来了功耗的大幅降低。

众所周知小米一直都是暖手宝,而小米12S系列在这方面也得到了非常大的改善,发热量、续航情况都让用户觉得好了许多。

就在最近几天,根据爆料博主@数码闲聊站带来的最新消息,骁龙8Gen2会在今年11月14-17号携新机发布,在这段时间就会有多款新机量产上市。

根据之前的爆料,骁龙8Gen2芯片将依旧采用台积电4nm,性能也会继续提升。按照惯例,高通骁龙8Gen2会延续“1+3+4”的三丛集架构设计,CPU由超大核、大核和小核组成,超大核可能是ARMCortexX系列。

此外,高通目前已经公布了下一代骁龙5G调制解调器骁龙X70。据悉,骁龙X70支持10Gbps5G峰值下载速度,还带来了全新的先进功能。比如高通5GAI套件、高通5G超低时延套件和四载波聚合等。

这款新调制解调器也将会被集成到骁龙8Gen2中。

不久之前,三星的下一代折叠屏手机Galaxy Z Fold4与Galaxy Z Flip4通过了泰国的NBTC认证,显然这两款手机不久之后就将正式亮相。不过还没等这两款新机发布,外媒就已经传出了后续的Galaxy Z Fold5与Galaxy Z Flip5的部分规格,后续的第五代折叠屏新机可能会在性能和影像方面有着进一步的升级。

据了解,三星Galaxy Z Fold5与Galaxy Z Flip5的处理器应该都会升级为骁龙8 Gen 2,传言这颗SOC将由台积电代工,能效比应该相比骁龙8+ Gen 1有更好的表现。同时在影像配置方面,三星Galaxy Z Fold5的前置摄像头将由目前三代的1000万像素升级为1200万像素,后置主摄则有望用上5000万像素的三星ISOCELL GN3,这颗CMOS是1/1.57英寸大小,基本可以看做是三星版的IMX766,比起目前三星折叠屏产品中不变的1200万像素后置三摄,这个硬件规格提升确实不小了。

不过目前还暂时没有三星Galaxy Z Flip5的影像规格信息,但已有不少用户对于后置1200万像素的双摄组合感到厌倦,因此不能排除这款折叠屏新机也用上高像素的大底可能性。

最近骁龙8+ Gen1的测试数据出炉,对比骁龙8 Gen1提升还是相当明显,这款处理器拥有苹果A13的单核心性能,苹果A14的多核心性能与超越苹果A15的GPU性能。而且有消息表示骁龙8 Gen2的首发权将会是小米,小米13系列将在2022年11月发布。目前关于骁龙8 Gen2的信息已经得到了较为完整的曝光,下面我们来一起看看它的表现吧,毕竟它决定着2023年安卓旗舰机的表现。

首先是CPU方面,骁龙8 Gen 2首次使用四丛集,为一颗X3超大核心+两颗A720大核心+两颗A710中核心+三颗A5x0小核心。对于这种奇怪的架构,大家可能无法理解。其实这很可能是高通为了应对32位应用而设计,在ARM v9架构中,只有A710可以支持32位应用,其它只能支持64位应用。目前32位应用仍然占据很大比例,所以说A710核心可能无法砍掉。但是A710核心大家都知道能效比一般,大量使用A710核心会影响处理器的综合表现,所以只能将A710核心降低到两颗。

值得一提,这一次的骁龙8 Gen2终于不再砍缓存,而是选择直接拉满。目前在GeekBench 5测试中,骁龙8 Gen2的单核心性能1430分,多核心性能4600分。其中CPU单核心分数介于苹果A13与苹果A14之间,对比骁龙8+ Gen1提升7.5%,多核心性能表现有些不尽人意,仅仅与联发科天玑9000保持了一致。

接着再来看看GPU方面,如果说骁龙8 Gen2的CPU没有太大的亮点,那么GPU就不一样了。骁龙8 Gen2的GPU对比骁龙8+ Gen1提升高达50%,在7W这个功耗节点上能效比提升20%。预计骁龙8 Gen2的GPU在GFX曼哈顿3.1测试中可以达到惊人的264FPS,可能比七核心GPU的苹果M1还要更强一些,基本可以用‘秒天秒地秒空气’来形容,只是此时功耗也达到了10W,仍然有些偏高。

据悉,骁龙8 Gen2由台积电代工,采用4nm工艺,会延续“1+3+4”的三丛集架构设计,CPU由超大核、大核和小核组成,超大核可能是ARM Cortex X系列。这里简单介绍一下骁龙8 Gen2就行了,毕竟号称解决发热骁龙8 Gen1+的真机大家还没用上。

虽然骁龙8 Gen1+的工程机确实在功耗上有了显著下降,但是耳听为虚眼见为实,仍需要量产机来证明此次骁龙8 Gen1+不是火龙的事实。

不管怎样吧,高通也把一个难题放在了我们面前,由于此前就有消息称,骁龙8 Gen1+将采用此前骁龙870的定位,等骁龙8 Gen2出来后,下放给中高端机。

而骁龙8 Gen2会在11月份出来,7月到11月只有4个月的时间,要知道现在的国产旗舰可不便宜,花个大几千,4个月就成老款,不知道大家顶不顶得住。

声明:该篇文章为本站原创,未经授权不予转载,侵权必究。
换一批
延伸阅读

回流焊是一种用于将电子元件焊接到PCB板上的工艺技术,因其加热方式类似于河流回流而得名。该工艺主要通过热传导方式将热量传递给焊料,使焊料熔化并与元件引脚和PCB板上的铜箔进行冶金结合,实现元件与PCB板的可靠连接。回流焊...

关键字: 回流焊 电子元件 工艺

10月23日消息,前不久高通宣布了其为PC设计的下一代芯片计划,正式推出了全新命名体系——骁龙X系列。

关键字: 高通 4nm 半导体芯片

业内消息,近日三星电子和 SK 海力士等韩国公司获得美国政府无限期豁免,其中国工厂无需特别许可即可进口美国芯片设备。知情人士透露三星电子高层已决定将其西安 NAND 闪存工厂升级到 236 层 NAND 工艺,并开始大规...

关键字: 三星 半导体 设备 工艺 NAND

随着电子产品向小型化、轻量化、高性能化方向发展,PCB 设计工艺中的 DFM 技术越来越受到业界的重视。本文从 DFM 技术的定义、要求以及应用等方面进行了详细的阐述,以期为 PCB 设计人员提供有益的参考。

关键字: PCB 设计 DFM 技术 工艺

10月11日消息,高通今天宣布了其为PC设计的下一代芯片计划,正式推出了全新命名体系——骁龙X系列。

关键字: 高通 4nm 半导体芯片

业内最新消息,昨天台湾投审会通过了台积电以 45 亿美金增资位于美国亚利桑那凤凰城的工厂,作为包含运营资金在内等 8 项主要投资项目,这是台积电时隔半年后向该工厂的再次增资,上次是今年 3 月首次向该厂增资约 35 亿美...

关键字: 台积电 4nm 晶圆厂

8月6日消息,在CPU领域,x86、Arm两大架构占据了高性能及低功耗市场,但是RISC-V凭借开放、免费的优势成为第三大架构,而且不断侵蚀Arm市场,现在高通联合多家公司共推RISC-V架构汽车芯片,进一步掏空Arm。

关键字: 高通 4nm 半导体芯片

韩国媒体最新报导,三星的 3nm、4nm 制程工艺良率已从年初的大约五成迅速提升至 60% 和 75%,更先进的 2nm 制程也在加急与台积电竞争,晶圆代工事业不断追赶台积电,后续将准备抢台积电的先进制程订单。

关键字: 三星 3nm 4nm 良率

据业内信息,本周高通公司正式发布新一代入门级移动芯片组骁龙(Snapdragon) 4 Gen 2,据说本次将放弃了上一代的台积电 6nm 工艺,而采用三星代工 4nm 工艺,业内分析人士认为该芯片将为入门级智能手机市场...

关键字: 高通 骁龙 4 Gen 2 台积电 三星 4nm

6月27日消息,高通今天正式发布了第二代骁龙4移动平台(骁龙4 Gen2),为入门级智能手机带来了新工艺、更高频率、更快内存与存储、更强基带。

关键字: 高通 4nm 半导体芯片
关闭