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[导读]据路透社报导,知情人士透漏,就在美国“芯片法案”正式完成立法的之后,韩国存储芯片厂商SK海力士将在美国建设一座先进的芯片封装工厂,并将于2023 年第一季左右破土动工。

据路透社报导,知情人士透漏,就在美国“芯片法案”正式完成立法的之后,韩国存储芯片厂商SK海力士将在美国建设一座先进的芯片封装工厂,并将于2023 年第一季左右破土动工。

报导引用一位不愿透露姓名的消息人士说法表示,SK海力士赴美新建工厂的计划预计将耗资“数十亿美元”,未来将在当地创造1000个工作机会,并将于2025~2026 年进入量产阶段。该消息人士还指出,目前预计的工厂位置,可能在拥有工程相关人才的大学附近。事实上,不久前SK 海力士才宣布将在美国投资220亿美元的金额,用于发展半导体、绿色能源和生物科学等领域。

海力士半导体在1983年以现代电子产业有限公司成立,在1996年正式在韩国上市,1999年收购LG半导体,2001年将公司名称改为(株)海力士半导体,从现代集团分离出来。2004年10月将系统IC业务出售给花旗集团,成为专业的存储器制造商。2012年2月,韩国第三大财阀SK集团宣布收购海力士21.05%的股份从而入主这家内存大厂。

2019年9月5日,据韩国《中央日报》报道,在日本政府限制向韩国出口氟化氢、光刻胶、含氟聚酰亚胺等尖端半导体材料后,SK海力士设在中国无锡的半导体工厂已经完全使用中国生产的氟化氢取代了日本产品。

在韩国有4条8英寸晶圆生产线和一条12英寸生产线,在美国俄勒冈州有一条8英寸生产线。2004年及2005年全球DRAM市场占有率处于第二位,中国市场占有率处于第一位。在世界各地有销售法人和办事处,共有员工15000人.海力士(Hynix)半导体作为无形的基础设施,通过半导体,竭尽全力为客户创造舒适的生活环境。海力士半导体致力生产以DRAM和NAND Flash为主的半导体产品。海力士半导体以超卓的技术和持续不断的研究投资为基础,每年都在开辟已步入纳米级超微细技术领域的半导体技术的崭新领域。另外,海力士半导体不仅标榜行业最高水平的投资效率,2006年更创下半导体行业世界第七位,步入纯利润2万亿韩元的集团等,正在展现意义非凡的增长势力。海力士半导体不仅作为给国家经济注入新鲜血液的发展动力,完成其使命,同时不断追求与社会共同发展的相生经营。海力士半导体为发展成为令顾客和股东满意的先导企业,将尽心尽责,全力以赴。

受美国芯片法案限制条款及美国持续限制大陆半导体产业发展的背景之下,韩国三星电子和SK海力士开始重新评估中国大陆投资案。目前三星在中国西安拥有投资额超百亿元的存储芯片工厂,SK海力士则在收购英特尔闪存业务之后,接手了其在大连的闪存工厂。

报道称,一位资深韩国官员表示,随着时间过去,韩国在中国的数项芯片投资案可能会遭“放弃”,“要是中方不开心,得去跟美国谈”,这显示美国力促芯片大厂脱中转美的努力,初见成效。

SK Securities研究主管兼韩国政府半导体政策顾问Kim Young-woo说,芯片法案当中防堵中国大陆的“护栏”条款,促使韩国芯片厂未来布局从中国转向美国。

TrendForce 最新发布的6月研究报告指出,俄乌冲突、通货膨胀高涨对消费者电子产品需求造成负面冲击,也导致整体DRAM库存增加;这是第三季DRAM价格下滑3%~8%的主因,针对PC、智能手机设计的DRAM产品有跌价超过8%的可能。得益于对英特尔NAND闪存业务收购的完成(成立了Solidigm公司运营),使得SK海力士在二季度的销售额环比增长12.1%,达到了36.15亿美元,市场份额也由18%增至19.9%,超越铠侠,成为了全球第二大NAND闪存厂商。

SK海力士计划先为客户端固态硬盘(SSD)供应238层NAND,之后逐步将产品使用范围扩大至智能手机和大容量服务器固态硬盘,并于明年推出该产品的1Tb扩容版。

值得注意的是,在今年7月底,美光已经宣布量产了业界首款232层NAND芯片。虽然SK海力士宣布的238层NAND芯片堆叠层数要更高一些,但目前仍然还是纸面上的宣布,量产时间还要等到明年上半年。

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