2023年DRAM芯片供应将同比减少，NAND芯片供应量同比增幅将为个位数

存储芯片，是嵌入式系统芯片的概念在存储行业的具体应用。因此，无论是系统芯片还是存储芯片，都是通过在单一芯片中嵌入软件，实现多功能和高性能，以及对多种协议、多种硬件和不同应用的支持。

对存储行业而言，存储芯片主要以两种方式实现产品化：1、ASIC技术实现存储芯片ASIC(专用集成电路)在存储和网络行业已经得到了广泛应用。除了可以大幅度地提高系统处理能力，加快产品研发速度以外，ASIC更适于大批量生产的产品，根椐固定需求完成标准化设计。在存储行业，ASIC通常用来实现存储产品技术的某些功能，被用做加速器，或缓解各种优化技术的大量运算对CPU造成的过量负载所导致的系统整体性能的下降。

2、FPGA 技术实现存储芯片FPGA(现场可编程门阵列)是专用集成电路(ASIC)中级别最高的一种。与ASIC相比，FPGA能进一步缩短设计周期，降低设计成本，具有更高的设计灵活性。当需要改变已完成的设计时，ASIC的再设计时间通常以月计算，而FPGA的再设计则以小时计算。这使FPGA具有其他技术平台无可比拟的市场响应速度。

新一代FPGA具有卓越的低耗能、快速迅捷(多数工具以微微秒-百亿分之一秒计算)的特性。同时，厂商可对FPGA功能模块和I/O模块进行重新配置，也可以在线对其编程实现系统在线重构。这使FPGA可以构建一个根据计算任务而实时定制软核处理器。并且，FPGA功能没有限定，可以是存储控制器，也可以是处理器。新一代FPGA支持多种硬件，具有可编程I/O，IP(知识产权)和多处理器芯核兼备。这些综合优点，使得FPGA被一些存储厂商应用在开发存储芯片架构的全功能产品。

美东时间周三，美光科技表示，因市场需求下滑导致公司难以清理过剩库存，美光将减少存储芯片供应，并进一步削减资本支出计划。不过，也有行业分析师指出，当芯片巨头们普遍因需求疲软而削减资本支出和供应时，往往意味着行业触底信号已经出现。

美光计划削减存储芯片供应,今年早些时候，美光就早早对PC和智能手机需求下滑发出警告，也是行业内首家发出此类警告的大型芯片制造商。

今年以来，需求疲软、库存过剩已经是逐步蔓延至整个芯片行业的不争事实。从最初的智能手机、PC等消费电子需求降温，到后来的数据中心、乃至工业端都出现了芯片需求降温的迹象。芯片制造商也为此面临下游需求疲软的冲击，今年迄今为止，费城SE半导体指数已下跌超过31%。

美光公司表示：“为了显著改善总库存情况……DRAM芯片供应将需要收缩，NAND芯片供应增长将需要显著低于此前的预期。美光表示，与截至今年9月1日的第四季度相比，该公司本季度正将DRAM和NAND晶圆开工量(即半导体生产的初始流程)减少约20%。该公司预计，2023年DRAM芯片供应将同比减少，NAND芯片供应量同比增幅将为个位数。

韩国三星电子公司等存储芯片制造商近期同时面临芯片价格下跌和需求下滑。一些行业人士预测，存储芯片降价直到明年年中才能见底或缓和。　　存储芯片主要用于智能手机、个人电脑和数据服务器，去年年底开始降价。美国《华尔街日报》7日报道，存储芯片可称为半导体行业的晴雨表。　　《华尔街日报》援引行业机构的分析报道，今年第三季度，两种主要类型的存储芯片DRAM和NAND闪存合同价格环比分别下跌15%和28%;随着库存积压，这两种芯片价格预计在第四季度和明年全年继续下跌，但到明年春季应当会结束两位数的下跌，到明年年底企稳。　　全球最大存储芯片制造商三星电子7日预测，其第三季度营业利润减少32%，远糟于分析师预期。韩国SK海力士公司则预计当季营业利润同比减少大约40%。　　美国高德纳咨询公司提供的数据显示，半导体行业2022年共计6190亿美元营收中，存储芯片占大约27%。　　世界半导体贸易统计协会预测，2023年，存储芯片营收增幅将在各类芯片中最小，仅为0.6%;逻辑芯片营收将增长8.1%;模拟芯片营收将增加6.4%;传感芯片营收将增加3.9%。　　《华尔街日报》认为，影响存储芯片价格的一个变量是厂商是否减产。日本铠侠控股公司上周说，其NAND闪存产量自10月起减少大约30%。

近年来，受物联网、网络通讯、汽车电子、消费电子等下游应用需求增长的驱动，代码型闪存芯片市场空间持续扩张，虽然受全球贸易摩擦及下游需求变动的影响有一定波动，但 NOR Flash 及 SLC NAND Flash 市场规模整体保持稳定增长的趋势。芯天下技术股份有限公司(以下简称“芯天下 ”)作为业内代码型闪存芯片产品覆盖范围较全面的厂商之一存在巨大发展机遇。

一直以来，芯天下在代码型闪存芯片领域紧紧围绕客户及市场需求，在技术、模式、产业等方面持续创新。为满足下游市场的应用需求，芯天下持续拓展产品系列，产品容量范围覆盖1Mbit-8Gbit，电压范围覆盖主流电压(3.3V)、低电压(1.8V)及宽电压(1.65-3.6V)，同时 NOR Flash 产品在研超低电压(1.2V)系列产品。此外，芯天下自主研发的 SPI NAND 控制器晶圆具备较强的 ECC(错误检查和纠正)及坏块管理能力，包含自研控制器晶圆的 SPI NAND 产品已实现量产，有效提升产品的可靠性及稳定性。