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[导读]【2023年7月27日,德国慕尼黑讯】在静态开关应用中,电源设计侧重于最大程度地降低导通损耗、优化热性能、实现紧凑轻便的系统设计,同时以低成本实现高质量。为满足新一代解决方案的需求,英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)正在扩大其CoolMOS™ S7 系列高压超结(SJ)MOSFET 的产品阵容。该系列器件主要适用于开关电源(SMPS)、太阳能系统、电池保护、固态继电器(SSR)、电机启动器和固态断路器以及可编程逻辑控制器(PLC)、照明控制、高压电子保险丝/电子断路器和(混动)电动汽车车载充电器等应用。

【2023年7月27日,德国慕尼黑讯】在静态开关应用中,电源设计侧重于最大程度地降低导通损耗、优化热性能、实现紧凑轻便的系统设计,同时以低成本实现高质量。为满足新一代解决方案的需求,英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)正在扩大其CoolMOS™ S7 系列高压超结(SJ)MOSFET的产品阵容。该系列器件主要适用于开关电源(SMPS)、太阳能系统、电池保护、固态继电器(SSR)、电机启动器和固态断路器以及可编程逻辑控制器(PLC)、照明控制、高压电子保险丝/电子断路器和(混动)电动汽车车载充电器等应用。

该产品组合进行了重要扩充,新增了创新的 QDPAK顶部冷却(TSC)封装,能够在较小的封装尺寸内实现丰富的功能。这些特性使得该器件在低频开关应用中极具优势,同时还可以降低成本。得益于新型大功率 QDPAK 封装,这款器件的导通电阻值仅为 10 mΩ,在市场上同电压等级产品中以及采用SMD 封装的产品中属于最低值。CoolMOS S7/S7A 解决方案通过最大程度地降低 MOSFET 产品的导通损耗,提高了整体效率,并提供了一种简单易用且经济高效的方式来提高系统性能。

CoolMOS S7 电源开关还借助已改进的热阻来有效管理散热,通过采用创新、高效的 QDPAK 封装,减少甚至消除了固态设计中对散热器的需求,从而使系统变得更加紧凑和轻便。该系列 MOSFET产品提供顶部散热和底部散热两种封装形式,均能够抵御高脉冲电流,并应对突然的浪涌电流。此外,该系列 MOSFET产品还具有体二极管的稳健性,能够确保在交流线路换向期间可靠运行。

由于所需的元器件较少,CoolMOS™ S7系列高压超结(SJ)MOSFET能够减少零部件的数量,进而实现灵活的系统集成,降低BOM(材料清单)成本和总体拥有成本(TCO)。同时,该系列MOSFET 产品还能缩短反应时间,尤其在断开电流时,能够更加平稳、高效地运行。

供货情况

用于静态开关的全新 600 V 工业级 CoolMOS S7 和车规级 CoolMOS S7A 超结MOSFET ,均提供顶部冷却(TSC)和底部冷却(BSC)QDPAK封装(PG-HDSOP-22)两种封装形式可供选择,新产品现已开放订购。

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