肖特基二极管和普通二极管区别

肖特基二极管(Schottky Barrier Diode，缩写成SBD)是一种特殊的二极管，其名称来源于其发明人肖特基博士(Walter Hermann Schottky)。肖特基二极管的主要特点是，它并不是利用P型半导体与N型半导体接触形成的PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。因此，肖特基二极管也被称为金属-半导体(接触)二极管或表面势垒二极管。

肖特基二极管的正向压降较低，通常只有0.4V左右，而其反向击穿电压却很高，可以达到100V以上。这一特性使得肖特基二极管非常适用于高频、低压、大电流的电路中，如开关电源、变频器、驱动器等。此外，肖特基二极管的反向恢复时间很短，可以用于高速开关电路中。

肖特基二极管有单极性和双极性两种类型。单极性肖特基二极管只有一个PN结，而双极性肖特基二极管则有两个背靠背的PN结。双极性肖特基二极管具有更高的反向击穿电压和更大的电流容量，但其正向压降也更高。肖特基二极管的反向漏电流较大，温度系数也较大，因此在使用时需要注意温度和反向电压的影响。肖特基二极管是一种在高频、低压、大电流应用中有独特优势的半导体器件。

普通二极管，也被称为晶体二极管或二极管，是一种由P型半导体和N型半导体形成的PN结，以及两个引出电极构成的半导体器件。这种电子器件在电路中按照外加电压的方向，具备单向电流传导性。

普通二极管有硅管或锗管两种类型，其正向导通电压(PN结电压)存在差别。锗管的正向导通电压约为0.2～0.3V，而硅管的正向导通电压约为0.6～0.7V。根据用途的不同，普通二极管还可以分为检波二极管、整流二极管、阻尼二极管、开关二极管、续流二极管等。

在普通二极管中，P型区的引出线称为正极或阳极，N型区的引出线称为负极或阴极。当二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端时，二极管会导通，这种连接方式称为正向偏置。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门槛电压”)以后，二极管才能真正导通。反之，当二极管处于反向偏置时，仍然会有微弱的反向电流流过二极管，称为漏电流。

普通二极管在电路中有着广泛的应用，如用于整流、检波、稳压、开关等。其正向特性是，在正向偏置时，二极管会导通，电流随电压的增大而增大。而反向特性则是，当二极管处于反向偏置时，反向电流很小，但当反向电压增大到某一数值时，反向电流会急剧增大，二极管将失去单向导电特性，这种状态称为二极管击穿。

肖特基二极管(Schottky Diode)与普通二极管(PN结二极管，如硅二极管或锗二极管)的主要区别在于结构、工作原理以及电气性能上的差异：

1. **结构**：

- 普通二极管是由P型半导体和N型半导体形成的P-N结。

- 肖特基二极管则是由金属与N型半导体接触形成的金属-半导体接面(也称肖特基势垒)，没有明显的P型区域。

2. **工作原理**：

- 普通二极管在正向偏置时，通过P-N结的载流子需要跨越耗尽区才能形成电流，因此存在一定的开启电压(约0.6~0.7V对于硅二极管，0.2~0.3V对于锗二极管)。

- 肖特基二极管由于其金属-半导体界面形成的势垒较低，电子可以更容易地从N型半导体穿越到金属层，导致其正向导通压降较小(一般为0.15至0.45V)。

3. **电气性能**：

- **正向压降**：肖特基二极管的正向压降明显小于普通二极管，意味着在相同条件下，它具有更低的功耗和更高的效率。

- **反向恢复时间**：肖特基二极管的反向恢复时间极短，通常为几纳秒级别，远低于普通二极管的几十纳秒甚至微秒级别，这使得肖特基二极管适用于高频开关电路。

- **反向耐压**：肖特基二极管的最大缺点是反向击穿电压相对较低，一般不超过200V左右，而普通二极管可以承受较高的反向电压。

- **频率响应**：由于快速的开关速度和低存储电荷的特点，肖特基二极管在高频应用中表现出色，例如在射频通信、高速数据线保护和开关电源等领域。

- **温度稳定性**：虽然肖特基二极管在高温下的正向压降会增大，但其温度系数通常比普通二极管小。

肖特基二极管主要应用于对开关速度、低正向压降有严格要求，且不需要高反向击穿电压的场合。而普通二极管则适用于更广泛的直流整流、稳压、钳位等应用场景，特别是在需要较高反向耐压的电路中更为常用。