场效应管有哪些特点、测量方法？场效应管是如何导通的

以下内容中，小编将对场效应管的相关内容进行着重介绍和阐述，希望本文能帮您增进对场效应管的了解，和小编一起来看看吧。

一、场效应管特点和测量方法

场效应管（fet）是电场效应控制电流大小的单极型半导体器件。在其输入端基本不取电流或电流极小，具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、制造工艺简单等特点，在大规模和超大规模集成电路中被应用。

FET由各种半导体构成，目前硅是最常见的。大部分的FET是由传统块体半导体制造技术制造，使用单晶半导体硅片作为反应区，或者沟道。

场效应管与晶体管在电气特性方面的主要区别有以下几点：

1：场效应管是电压控制器件，管子的导电情况取决于栅极电压的高低。晶体管是电流控制器件，管子的导电情况取决于基极电流的大小。

2：场效应管漏源静态伏安特性以栅极电压UGS为参变量，晶体管输出特性曲线以基极电流Ib 为参变量。

3：场效应管电流IDS与栅极UGS之间的关系由跨导Gm 决定，晶体管电流Ic与Ib 之间的关系由放大系数β决定。也就是说，场效应管的放大能力用Gm 衡量，晶体管的放大能力用β衡量。

4：场效应管的输入阻抗很大，输入电流极小；晶体管输入阻抗很小，在导电时输入电流较大。

5：一般场效应管功率较小，晶体管功率较大。

场效应管的测量方法主要有电压测量法、电流测量法、电阻测量法、电容测量法、晶体管特性测量法等。

1、电压测量法是通过测量晶体管的输入电压和输出电压来确定晶体管的特性；

2、电流测量法是通过测量晶体管的输入电流和输出电流来确定晶体管的特性；

3、电阻测量法是通过测量晶体管的输入电阻和输出电阻来确定晶体管的特性；

4、电容测量法是通过测量晶体管的输入电容和输出电容来确定晶体管的特性；

5、晶体管特性测量法是通过测量晶体管的静态电流比、静态电压比、动态电流比和动态电压比来确定晶体管的特性。

在使用场效应管时，应注意以下几点：

1、应确保场效应管的工作电压不超过其额定电压；

2、应确保场效应管的工作电流不超过其额定电流；

3、应确保场效应管的工作温度不超过其额定温度；

4、应确保场效应管的工作环境温度不超过其额定温度；

5、应确保场效应管的工作环境湿度不超过其额定湿度；

6、应确保场效应管的工作环境没有腐蚀性气体；

7、应确保场效应管的工作环境没有强烈的电磁干扰；

8、应确保场效应管的工作环境没有强烈的热源。

二、场效应管是如何导通的

在使用场效应管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑场效应管的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。

场效应管作为开关元件，同样是工作在截止或导通两种状态。由于场效应管是电压控制元件，所以主要由栅源电压UGS决定其工作状态。N沟道结型场效应管的特性：Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。

P沟道结型场效应管的特性：Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。但是，虽然P沟道结型场效应管可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用N沟道结型场效应管。

以上就是小编这次想要和大家分享的有关场效应管的内容，希望大家对本次分享的内容已经具有一定的了解。如果您想要看不同类别的文章，可以在网页顶部选择相应的频道哦。