可控硅和MOS有什么区别？可控硅为什么会被击穿

今天，小编将在这篇文章中为大家带来可控硅的有关报道，通过阅读这篇文章，大家可以对它具备清晰的认识，主要内容如下。

一、可控硅和MOS有什么区别

（一）功能差异

可控硅是一种功率半导体器件，可以实现电流和电压的控制。它具有一个控制极（G）、一个负极（K）和一个正极（A）。可控硅在导通状态下能够通过电流来控制，只有当控制极施加正向电流时，才能够使得正极和负极之间形成一个导通路径。一旦正向电流被断开，可控硅立即进入阻断状态，不再导通电流。

而MOS管（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种基于半导体材料和场效应原理的数字电子开关。它由源极（S）、漏极（D）、栅极（G）和互补介质氧化层（OX）组成。MOS管可以通过栅极电压的控制来实现导通和截断状态的切换。当栅极施加正向电压时，会形成一个导通通道，电流可以从源极流向漏极；当栅极施加负向电压时，通道被封闭，电流无法通过。

（二）工作原理差异

可控硅的工作原理基于PN结组成的四层结构，该结构在正向电流注入时会形成一种相互注入的状态，从而实现导通。同时，可控硅也需要一个触发电压来将其从阻断状态切换到导通状态。触发电压可以是正向电压脉冲、连续正向电压或施加在G极的触发脉冲。

MOS管的工作原理基于栅极电压的变化，其栅极与互补介质氧化层（OX）之间的电容可以通过施加不同的电压来进行控制。当栅极电压高于临界电压时，导通通道形成，将电流从源极引导到漏极。而当栅极电压低于临界电压时，导通通道关闭，电流无法通过。

二、可控硅为什么会被击穿

1、过压击穿过压击穿是可控硅击穿的主要原因之一，可控硅对过压的承受能力几乎是没有时间的，即使在几毫秒的短时间内过压也会被击穿的，因此实际应用电路中，在可控硅两端一定要接入RC吸收回路，以避免各种无规则的干扰脉冲所引起的瞬间过压。如果经常发生可控硅击穿，请检查一下吸收回路的各元件是否有烧坏或失效的。

2、过热击穿

这里所说的过热击穿是指在工作电流并不超过可控硅额定电流的情况下而发生的热击穿，发生这种击穿的原因主要是可控硅的辅助散热装置工作不良而引起可控硅芯片温度过高导致击穿。对于采用水冷方式工作的，主要检查进水温度是否过高，流量是否充足；对于采用风冷方式工作的，应检查风扇的转数是否正常，还有环境温度也不能太高等，但无论是风冷的还是水冷的，如果你在更换可控硅时只是更换了芯片的话，安装时要注意芯片与散热器之间的接触面一定要保证良好的接触，接触面要平整，不能有划痕或凹凸且不能有灰尘夹入，还要保证有足够且均匀的压力，特别是对水冷的可控硅，三个螺栓的拉力一定要均匀，并且还要经常检查和清理水垢，水垢太多也会影响散热效果导致过热击穿的。另外如果多次更换芯片也会导致散热器的接触面变形而影响散热效果，如果您的机器上的某只可控硅经常击穿又找不到其他原因的话，就应该考虑在更换可控硅时连同散热器一齐更换。

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