五大趋势推动 MCU “芯” 变革
扫描二维码
随时随地手机看文章
MCU 被誉为现代电子设备的 “神经中枢”,是嵌入式电子系统中控制各种功能的核心器件。当前,边缘 AI、具身智能、新能源汽车、制造业数智转型等新业态,正在为 MCU 开辟更多增量市场,并倒逼 MCU 技术升级。MCU 厂商通过架构创新、工艺迭代、工具链等一系列创新举措,推动 MCU 的功能扩容和性能跃迁,满足下游应用对定制化设计与贴身化方案的需求。在市场需求与技术创新的碰撞下,MCU 五大趋势脱颖而出。
打破 eFlash 限制 迈向 22nm 及以下制程
MCU 制程已经突破 40nm,正在向 22nm、18nm 乃至 16nm 下探。今年 3 月,恩智浦发布 S32K5 系列汽车 MCU,为业界首款带有嵌入式 MRAM (磁随机存储器) 的 16nm FinFET MCU。据悉,该系列 MCU 采用台积电的 16nmFinFET 嵌入式 MRAM 技术,具有 100 万个更新周期的耐久性,支持回流焊,在 150℃条件下数据可保留 20 年。意法半导体推出了基于 18nm 全耗尽型绝缘体上硅 (FD-SOI) 工艺并集成 ePCM (相变存储器) 的制程技术,首款基于该技术的 STM32 MCU 计划 2025 年下半年投入量产。相比当前采用的 40nm 嵌入式 eNVM (非易失性存储器) 技术,18nm FD-SOI 与 ePCM 的组合将带来 50% 以上的能效比提升,2.5 倍的非易失性存储器密度提升。据悉,该技术由意法半导体与三星代工联合开发。
不难看出,MCU 厂商采用更先进制程的同时,也同步嵌入新型存储。此前,MCU 常用的代码和数据存储器为 eFlash,但传统的 eFlash 方案在 28nm 以下工艺节点面临成本和可靠性挑战,也限制了 MCU 的制程微缩。在此趋势下,MRAM、RRAM 等新型存储器被视为 28nm 及以下工艺节点中嵌入式存储的主要解决方案。恩智浦方面表示,Flash 存储器更新 20MB 的代码需要约 1 分钟时间,而 MRAM 只需 3 秒左右,缩短了软件更新带来的停机时间。此外,MRAM 提供 100 万个更新周期,耐久性远超闪存。瑞萨电子于今年 7 月推出的 22nm RA8P1 MCU,也集成了嵌入式 MRAM。瑞萨方面表示,与闪存相比,MRAM 具备更快的写入速度、更高的耐久性和更强的数据保持能力。
具身智能与人形机器人成为新蓝海
具身智能被视为 AI 的下一个浪潮,人形机器人是具身智能的最佳载体。前者对 MCU 提出了新的设计要求,后者则拓宽了 MCU 的市场容量。从数量来看,仅全身关节控制这一类任务,就可能用到 30 个以上的 MCU。兆易创新 MCU 事业部产品市场总监李懿在 NEPCON China 的演讲中表示,一个机器人有 20 个左右的自由度和关节,每个关节都有特定的负载要求。在完成一个动作时,各关节之间需要精准协调。兆易创新采用 Arm Cortex-M33 内核的 GD32G553 系列 MCU 适合控制大的关节,采用 Arm Cortex-M7 内核的 GD32H7 系列 MCU 更加合适需要精密运动控制、对算法实时性要求更高的精细关节。“有的客户一个机器人整体算下来会用到 20 多个 M7 内核的 MCU,再加上十多个 M33 内核的 MCU 去做不同的关节任务,这些关节之间通过内置的总线进行通信,以保障每个关节之间的运动同步和数据同步。” 李懿表示。
而具身智能这一技术范式,将人工智能融入机器人等物理实体,赋予其像人一样感知、学习及与环境动态交互能力,也对 MCU 提出了多项需求。一是更高集成度,将算力、存储、ESC (EtherCAT 从站控制器)、PHY (外部信号接口芯片) 等集成到更紧凑的封装中;二是更高的实时性与通信数据带宽,且能够与传感、AI 推理、伺服、执行器等单元实现低延迟通信,比如通过 I3C 串行通信协议与更多传感器进行高速、低功耗的通信;三是构建从配置可信的启动、执行到加密存储的数据安全机制。
MCU+AI 趋势深化
AI 向边侧、端侧下沉的趋势,使边缘 AI 成为 MCU 厂商的必争之地。为增强 MCU 的 AI 计算能力,越来越多的厂商在 MCU 集成 NPU 等 AI 加速器,以提升 AI 推断与训练任务的执行速度。意法半导体认为,将 NPU 引入 MCU 将触发边缘 AI 应用新场景的 “aha moment”。其 STM32N6 搭载了意法半导体自研 NPU,运算吞吐量达 600 GOPS (每秒 6000 亿次操作),比不具备 NPU 的 STM32H7 高出 600 倍。相比在 STM32N6 的 Cortex-M55 内核运行图像分类、对象检测、语音识别等神经网络模型,在 STM32N6 的 NPU 运行这些神经网络模型时,推理性能提升了 26 倍到 134 倍。
随着 AI 用例复杂性提升,多模态场景更加广泛。MCU 需持续提升系统集成能力,配置丰富的硬件接口,以满足高实时性场景下的多模态处理需求。比如 XMOS 推出了集成 AI 加速器、高性能 DSP、控制 MCU 和灵活 I/O 的边缘多核控制器,支持音频、图像、视觉和其他多种传感信号,实现实时、持续工作的 AI 应用。该控制器也可以作为大模型、云和网络的接口,提供传感器信息预处理,用于人脸检测、特征提取、身份验证、图像分类、离线本地自主运行、智能传感器接口。由于边侧、端侧设备往往靠电源供电,还需要 MCU 优化能效比,在完成 AI 负载的同时保证设备的续航能力。此外,MCU+AI 运行人脸检测、语音交互等功能时,会涉及用户的个人数据,需要 MCU 的安全标准从 “功能安全” 向 “AI 可信计算” 升级。
积极拥抱 RISC-V
为更好地满足下游应用的定制化需求,MCU 正在积极拥抱 RISC-V 开源架构,在汽车、智能终端、行业领域多点开花。在汽车领域,基于 RISC-V 架构设计的车规级 MCU 将在今、明两年加速上车。今年 4 月,东风汽车研发总院宣布,其完全国产化的车规级高性能 MCU 芯片 DF30 已完成第一次流片验证,计划明年量产上市。据悉,DF30 芯片基于 RISC-V 多核架构,采用国内 40nm 车规工艺,功能安全等级达到 ASIL-D。近日,南京紫荆半导体宣布其高性能车规级 MCU M100 的量产版本顺利回片,预计 2025 年第三季度进入量产阶段,将率先应用于长城汽车蓝山、高山、坦克 300、坦克 400、坦克 500 等车型。据悉,紫荆 M100 基于开源 RISC-V 内核构建,采用模块化设计、内核可重构,4 级流水线使其具备更快的处理速度和更少的耗时,满足 ASIL-B 等级要求。
在终端领域,海思面向白电的智能化需求,在今年 3 月上新 Hi3066M。该 MCU 使用海思自有 RISC-V 内核,内置 eAI 引擎,支持 200MHz 主频,可应用于空调、冰箱、洗衣机的端侧 AI 等创新应用场景,如支持空调 AI 节能,洗衣机 AI 称重和偏心检测以及冰箱 AI 降噪和节能。此外,上海海思正在推动 RISC-V 与 OpenHarmony 深度适配,累计向开源社区贡献代码数百万行。海思技术有限公司 RISC-V 首席专家张涛在今年 5 月的演讲中表示,RISC-V 打造核芯底座,支撑技术创新,OpenHarmony 提供统一底座,支撑产业生态。二者深度融合,为开发者提供了统一、丰富、高效的软件平台,能够有效降低开发成本,提升开发效率,从而促进产业生态的繁荣发展。
聚焦特定应用 提供贴身化方案
如今,消费、汽车、工业等不同领域的智能化变革,正不断拓宽 MCU 的应用边界。不同领域的应用需求千差万别,促使 MCU 厂商深入理解特定应用场景的需求,提供贴身化的产品方案。在汽车领域,新能源汽车的 “三电” 系统 (电池、电机、电控) 对 MCU 的算力、可靠性、安全性都提出了严苛要求。以电池管理系统 (BMS) 为例,需要 MCU 精准监测电池电压、电流、温度等参数,对电池的充放电过程进行精细控制,以保障电池的性能、寿命与安全性。英飞凌的 AURIX TC4x 系列 MCU 专为汽车动力总成、底盘和安全应用而设计,支持功能安全 ASIL D 系统,能够满足汽车行业对可靠性和安全性的严格标准。
在工业领域,工厂自动化、过程控制、机器人等应用场景需要 MCU 具备高实时性、高可靠性以及丰富的通信接口。例如,在工业自动化生产线中,MCU 需要实时采集传感器数据,控制电机的运转,实现精确的运动控制。瑞萨电子的 RZ/T2M 微控制器专为工业以太网应用而设计,集成了双核 Arm Cortex-R5F 内核,具备卓越的实时性能和通信能力,可满足工业自动化对高速、可靠数据传输的需求。在消费电子领域,随着智能家居、可穿戴设备的普及,MCU 需要在低功耗、小型化、成本控制方面表现出色。例如,在智能手表中,MCU 不仅要驱动显示屏、处理传感器数据,还要实现蓝牙通信等功能,同时要保证设备的续航能力。恩智浦的 i.MX RT1010 crossover MCU 采用低功耗设计,集成了丰富的外设,能够满足可穿戴设备对高性能、低功耗的需求。
总体来看,MCU 正站在变革的十字路口。随着技术的演进和市场需求的多元化,这五大趋势将持续重塑 MCU 的产业格局。从制程工艺的突破到新兴应用领域的拓展,从 AI 融合带来的功能升级到 RISC-V 架构的创新,以及针对特定应用的深度定制,MCU 厂商唯有紧跟趋势,不断创新,才能在激烈的市场竞争中占得先机,推动 MCU 在更多领域发挥关键作用,助力产业的智能化升级。