X-FAB现推出GaN-on-Si代工服务

中国北京，2025年9月4日——全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工企业X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)今日宣布，凭借其在高功率应用领域氮化镓(GaN)加工技术方面的专业优势，X-FAB基于其XG035技术平台推出针对dMode器件的硅基氮化镓(GaN-on-Si)代工服务。此举进一步发挥和强化了X-FAB作为专业纯晶圆代工企业的优势，现可提供涵盖GaN及其它宽禁带半导体材料(包括碳化硅(SiC))的全套加工技术，助力无晶圆厂半导体公司实现设计落地。

X-FAB德累斯顿厂制造的8英寸GaN-on-Si晶圆

X-FAB的GaN-on-Si技术由其位于德国德累斯顿的先进8英寸晶圆厂提供。该厂是X-FAB在全球运营的六大生产基地之一，拥有稳定可靠、符合汽车行业认证标准的制造环境，且配备各类专业加工设备、测量工具和技术，并针对GaN的研发与生产进行了优化，同时兼顾模拟CMOS工艺，能够提供满足汽车、数据中心、工业、可再生能源、医疗等领域客户所需的较厚GaN-on-Si晶圆。

得益于多年来在高压GaN技术领域的深厚积累，继近期发布开放XG035 dMode工艺平台后，X-FAB如今已将内部专业能力延伸至dMode器件GaN-on-Si代工服务。该工艺包含常用于功率转换应用的dMode HEMT晶体管(电压可扩展范围为100V至650V)。此外，X-FAB还可提供定制化GaN技术和产品，包括dMode、eMode HEMT，以及肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diodes)，这些器件广泛应用于高频整流、电源系统，和太阳能电池板等领域。

全球市场对充电设备、电动汽车、先进能源管理系统，以及更强大的数据中心等应用的需求持续增长。就数据中心而言，人工智能(AI)的训练与部署促使对算力资源的需求不断增加，这进而推动了对更高功率的需求，以及对更高效电能传输与转换技术的需求。

GaN-on-Si技术是一种极具前景的半导体工艺，它能够实现高频开关与低导通电阻(Rds，即漏极与源极之间的电阻)。凭借其小尺寸和高电压处理能力，GaN-on-Si技术进一步完善了X-FAB的宽禁带芯片工艺产品线，使客户从电网到汽车电池，乃至GPU层级，都能够设计出更加高效节能的产品。

“我们拥有30多年车规级CMOS技术领域经验——包括350nm CMOS工艺、共享工具和设备，以及BEOL，这使得我们的GaN技术具备内在的品质优势，且显著降低客户进入门槛。”X-FAB德累斯顿CEO Michael Woittennek表示，“我们开发定制化技术多年，如今我们在位于萨克森硅谷中心的德累斯顿工厂为通用原型设计项目开放XG035 dMode技术平台。我们350nm工具集的灵活性也使我们能够快速扩大量产规模，为客户提供快速可靠的上市途径。”

“随着GaN供应商格局的不断演变，X-FAB正逐步发展成为专业的GaN代工合作伙伴。”X-FAB产品营销副总裁Luigi Di Capua补充道，“我们的8英寸GaN-on-Si平台能够帮助客户确保供应链稳定，并毫无顾虑地扩大其设计规模。”

目前，X-FAB已推出可简化客户设计流程并实现更快速入门的PDK。此外，从2025年第四季度起，还将开放公共MPW服务，允许多个客户共享单片硅晶圆进行芯片制造。这些举措将进一步降低原型设计及小批量生产的准入门槛。

缩略语：

BEOL   后端工艺

CMOS   互补金属氧化物半导体

dMode   耗尽模式

eMode   增强模式

GaN-on-Si   硅基氮化镓

HEMT   高电子迁移率晶体管

MPW   多项目晶圆

PDK   工艺设计套件

WBG   宽禁带半导体