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瑞晶下季度为尔必达试产移动DRAM芯片

台湾媒体报道，尔必达总裁兼CEO阪本幸雄上周表示，瑞晶电子将在今年5月份使用尔必达工艺设计试产移动DRAM（mobileDRAM）芯片产品。阪本幸雄称，为了满足日益增长的移动DRAM需求，旗下子工厂瑞晶计划在三季度开始为其

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2011-03-01

移动尔必达 DRAM芯片 LED
IDC：去年全球处理器芯片出货量增长17.1%

市场研究公司IDC的数据显示，2010年全球处理器芯片出货量增长17.1%；销售额达363亿美元，增长26.7%。值得注意的是，去年第四季度，全球处理器芯片出货量环比下滑0.04%，同比下滑0.21%。IDC分析师谢恩-劳(ShaneRau)说

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2011-03-01

芯片市场 AMD 处理器芯片 IDC
Fox Electronics公司2010年XpressO振荡器销售增长103%

21ic讯 Fox Electronics Asia Ltd.宣布其广泛产品系列的销售显著增长。Fox Electronic产品系列包括石英晶体、温控和压控晶体振荡器(TCXO和VCXO)，时钟振荡器，单片式晶体滤波器，以及创新的XpressO®晶体振荡器产

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2011-03-01

产品系列振荡器 ELECTRONICS XPRESS
安森美半导体完成收购赛普拉斯CMOS图像传感器业务部

应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)已完成向赛普拉斯半导体以全现金交易收购CMOS图像传感器业务部(ISBU)，金额为约3,140万美元，以购买协议为

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2011-03-01

赛普拉斯安森美半导体 CMOS图像传感器 DM
比利时IMEC宣布已安装ASML NXE:3100试产型EUV光刻机

比利时半导体研究机构IMEC最近宣布在其设在比利时鲁汶的研究设施中安装了一台ASML生产的NXE:3100试产型EUV光刻机。IMEC机构的总裁兼CEO Luc Van den hove会在今天召开的SPIE高级光刻技术会议（SPIE advanced lithog

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2011-03-01

光刻技术 EUV光刻机 ASML SPI
抢盖超级晶圆厂　英特尔布局晶圆代工

2010年底决定于美国奥勒冈州兴建一座新12寸晶圆厂D1X的英特尔(Intel)，2月中旬再度宣布将砸下50多亿美元的巨资于亚历桑纳州打造另一座12寸晶圆厂Fab 42。由于新厂房产能规模庞大，加上英特尔已宣布为现场可编程闸阵列

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2011-03-01

英特尔晶圆代工晶圆厂 NI
2010年繁荣过后　2011年NOR市场或衰退6%

在经历了繁荣的2010年之后， NOR闪存市场营收可能会在 2011年衰退近6%，来到48亿美元规模；市场研究机构 iSuppli 表示，这意味着该市场将因价格下跌影响，开始进入一段艰困时期。虽然 NOR闪存因为应用领域扩增、出货

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2011-03-01

闪存市场 ISUPPLI NOR闪存 MICHAEL
基于Cortex-M3的数字可调共振源的设计

介绍了一种基于Cortex-M3(STM32F103C8)芯片的高速度、低功耗、多功能数字可调共振源，以及系统的CPU部分、信号发生、滤波及放大部分及相应的软件设计。实测表明，与传统的模拟式共振源相比具有USB接口、分辨率高、稳定性好等优点，可用于完成共振实验，并具有广阔的应用前景。

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2011-02-28

输出信号 BSP CORTEX-M3 AD9850
关于多级低通有源滤波器的增益及Q值排序的深入思考

概要　　常见的多级低通有源滤波器的增益排序方法是把大部分乃至全部增益放在第一级。如果只考虑要降低低频的输入参考噪声，这是正确的设计方法。然而，其它的几种考虑因素可能会使您改变这种增益排序，以实现更为出

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2011-02-28

低通带宽运算放大器有源滤波器
ISSCC:高端处理器龙芯3B处理器受关注

在“ISSCC2011”Session4“EnterpriseProcessors&Components”的分科会上，汇集了有关服务器和超级计算机用高端处理器的技术报告。IBM就“zEnterprise”处理器、英特尔就Westmere-EXXeon处理器和安腾处理器Poulson、

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2011-02-28

处理器电量动态电路 ISSCC
库存逐渐消化尔必达拟调涨3月DRAM报价

日系存储器大厂尔必达(Elpida)的台湾存托凭证(TDR)即将于25日，以每股新台币21.3元挂牌，预计筹得42.6亿元资金，社长坂本幸雄在24日挂牌前法说会中指出，看好3月DRAM价格可逐渐上涨，尔必达也计划在3月初调涨DRAM报价

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2011-02-28

DRAM 存储器 GB 尔必达
三星计划2011年测试性生产20nm芯片

韩国三星公司于日前对外表示，该公司正计划在今年开始测试性生产基于20nm工艺的芯片产品。三星公司将会在今年下半年开始为客户提供测试生产，而这也将会使得三星公司成为第一家承诺在2011年推出20nm工艺的公司。三星

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2011-02-28

三星集成芯片芯片代工
基于NI Multisim 1O的函数发生器设计与仿真

摘要：Multisim软件以其强大的仿真功能，在电路设计中已经广泛应用。文章基于NI公司的推出的新版本Multisim 10设计了函数发生器，并对设计进行仿真和理论分析，缩短了电路开发的周期，更加方便地计算电路以及调整参数

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2011-02-28

仿真函数发生器 NI MULTISIM
电子产品热设计越来越重要:JEITA发布半导体封装热特性指南

加快产品设计，背景在于微细LSI的通用化日本电子信息技术产业协会（JEITA）制定了与半导体产品热特性相关的指南“JEITA EDR-7336”。该指南明确了封装半导体产品的印刷基板的性能参数、使用的环境温度、半导体产

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2011-02-28

电子半导体芯片半导体封装印刷基板
基于角闪烁抑制的高分辨雷达角跟踪技术

针对高分辨导引头雷达在近距离跟踪目标时出现角闪烁问题，采用基于角闪烁抑制的高分辨测角算法。对回波信号进行一维成像处理，以距离像幅度作为单脉冲测角幅度，利用单脉冲测角方法得到目标在各个距离单元内的角度信息，通过加权平均处理，得到目标几何中心空间角度。仿真结果表明，该方法可以抑制角闪烁偏差，提高导引头角跟踪精度。

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2011-02-27

带宽雷达回波信号 BSP

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