模拟
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计量模拟前端器件（Microchip）
Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）宣布推出面向计量应用的新一代模拟前端器件（AFE）。MCP3901 AFE具有高达91dB信噪比和失真（SINAD）的双16位/24位高精度Δ-Σ模数转换器（ADC），内部集成了可编程增益
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地下水动态水位信号采集系统的设计与实现
针对地下水位监测系统的下位机架设成本和低功耗要求，设计了一种低功耗地下水位采集终端，采用了GSM/GPRS网络的SMS短消息服务作为与上位机系统的接口，解决了远程监测的数据通信的问题。实验结果表明，测量的结果的绝对误差小于0.16%，4节碱性电池可以维持一年以上的正常工作。
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全球第四家量产LED照明芯片落户广东
旨在打破国外技术垄断的我国首家、全球第四家量产型ＬＥＤ照明芯片核心设备制造项目，1月19日落户广东佛山市南海区。这意味着制约我国ＬＥＤ照明产业瓶颈的核心装备可望实现国产化。 ＬＥＤ产品由于节能环保而应用越
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智能型漏电继电器的设计
设计了基于PIC18F6585单片机的智能型漏电继电器；阐述了智能型漏电继电器的硬件结构和工作原理，同时对软件设计流程进行了详细的分析和描述。该继电器可靠性高，具有自诊断、数据通信、故障报警等多种功能。
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Nvidia官司缠身 暂停为英特尔开发芯片组
Nvidia日前宣布，暂时停止为英特尔新处理器开发芯片组，直至双方之间的授权纠纷得以解决。 Nvidia在一份声明中称：“英特尔面向消费者和市场错误地声称我们并未获得新的DMI总线授权，使我们无法继续为英特尔未来的处
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NAND Flash缺翻天 三星推品牌记忆卡与民争食？
2009年NAND Flash缺货缺翻天，三星电子(Samsung Electronics)在享有最大获利之余，不但对饱受缺货之苦的存储器模块厂袖手旁观，还要推出「SAMSUNG」自有品牌记忆卡产品来抢食客户饭碗，到底葫芦里是卖什么药？业界相
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R TOS动态分区内存管理机制的优化设计
分区存储管理是满足多道程序设计的最简单的存储管理方法。本文首先分析了嵌入式RTOS中动态分区内存管理机制的实现方法，并在此基础上结合动态分区机制提出了一种小块内存动态缓存分配机制，有效地弥补了动态分区内存管理的不足之处，减少了内存中外部碎片的数量并提高了内存的利用率及分配的实时性，对嵌入式RTOS内核的设计有一定指导意义。
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采用射频功率MOSFET设计功率放大器
1. 引言 本文设计的50MHz/250W 功率放大器采用美国APT公司生产的推挽式射频功率MOSFET管ARF448A/B进行设计。APT公司在其生产的射频功率MOSFET的内部结构和封装形式上都进行了优化设计，使之更适用于射频功率放大器
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新型视频“帧捕获器”参考设计（科胜讯）
科胜讯系统公司推出新型视频“帧捕获器”参考设计，帮助用户通过一个集成的通用串行总线接口（USB）捕捉和传送来自摄像机和 VCR的采用旧技术的模拟视频文件到个人电脑。这将有助于用户在因特网上更轻松地数字化、编辑
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业内最小的快速采样/保持IC（Maxim）
Maxim推出采用2mm x 2mm µDFN封装的快速采样/保持电路DS1843。该器件可以通过其差分输入在低于300ns时间内采集信号，并在输出端保持长达100µs。低输入失调电压(约5mV)保证了精确的测量。DS1843包含差分、
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3线总线收发器XE1201
XE1201是XEMICS公司生产的RFIC，它集无线电发射与接收功能于一身，并具有外用元件少，功率损耗低等特点，可使用3线总线接口来选择发射、接收与待机三种传输状态。文中介绍了XE1201的引脚功能、工作原理、外部元件的选择及其相关的匹配网络电路，最后给出了它的典型应用电路。
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业界最薄的表面贴装车用TVS（Vishay）
高功率器件采用TO-277A封装，具有6.8V～43V的击穿电压和10.5V～61.9V的钳位能力 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新系列1500W表面贴装车用瞬态电压抑制二极管(TVS) --- TPC系列，器件的厚度为业界最薄
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莱姆：铁路建设热潮带出巨大电量传感器市场
中国铁路建设热潮给半导体与元器件厂商带来了千载难逢的发展机会，除了DSP、电力电子器件等主要核心器件供应商外，电量传感器厂商也从中收益颇丰。“莱姆集团(LEM)是全球电量传感器行业的领导者，我们在全球铁路
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Diodes音频DAC及前置放大器芯片助力THX Big Room演示
近期在美国亚特兰大举办的CEDIA Expo 2009上，Diodes公司的多通道DAC及数字前置放大器Zetex ZXCZM800在世界首次THX "Big Room"音频概念演示中起到了举足轻重的作用。Big Room是THX公司全新的产品设计和经过认证的概念
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联电新加坡工厂扩产使用45/40nm工艺
据报道，联电近日表示，他们在新加坡的Fab 12i晶圆厂已经开始启动扩产计划进行45/40nm工艺生产，联电的此次扩产计划也是为满足客户对先进制程技术的需求。Fab 12i晶圆厂是联电的首个300mm晶圆厂，于2002年4月完工，并
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