• 全球“缺芯难题”延续:严重危及路由器生产

    全球“缺芯难题”延续:严重危及路由器生产

    众所周知,路由器是连接两个或多个网络的硬件设备,在网络间起网关的作用,是读取每一个数据包中的地址然后决定如何传送的专用智能性的网络设备。它能够理解不同的协议,例如某个局域网使用的以太网协议,因特网使用的TCP/IP协议。这样,路由器可以分析各种不同类型网络传来的数据包的目的地址,把非TCP/IP网络的地址转换成TCP/IP地址,或者反之;再根据选定的路由算法把各数据包按最佳路线传送到指定位置。所以路由器可以把非TCP/ IP网络连接到因特网上。 路由器又可以称之为网关设备。路由器就是在OSI/RM中完成的网络层中继以及第三层中继任务,对不同的网络之间的数据包进行存储、分组转发处理,其主要就是在不同的逻辑分开网络。而数据在一个子网中传输到另一个子网中,可以通过路由器的路由功能进行处理。在网络通信中,路由器具有判断网络地址以及选择IP路径的作用,可以在多个网络环境中,构建灵活的链接系统,通过不同的数据分组以及介质访问方式对各个子网进行链接。路由器在操作中仅接受源站或者其他相关路由器传递的信息,是一种基于网络层的互联设备。 近几个月,全球缺芯危机从汽车行业蔓延到了智能手机等其他行业,现在又危及路由器。据财联社报道,电信运营商的路由器订单已经延误了60周,是以前的两倍多。问题在于,如果没有路由器,电信运营商无法增加新订户,就可能在竞争日趋激烈的宽带市场失去机会,这也是这些运营商如此紧张的原因。 自去年9月美国实施芯片限令后,全球芯片供应链受到扰乱,美国芯片行业发展也遭到了严重的反噬。有声音指出,如今看来“美国也经不起制裁”。 目前全球性缺芯问题严重,对于整个产业链的影响也十分巨大。 由于芯片供应短缺的缘故,美国福特汽车和通用汽车4月8日分别增加三个工厂到停工停产名单。 早前通用宣布因缺芯削减北美数家工厂的产量。据报道,因芯片短缺,通用汽车削减了北美数个工厂的产量。通用汽车预计本次减产将对本年营业收入造成15亿-20亿美元的损失,减产的影响将会计入公司本年的财务报表中。 据《日经亚洲评论》4月8日报道,由于全球零部件短缺,部分MacBook和iPad的生产已被推迟。这一现象表明,即便是对供应链拥有强大掌控能力的苹果,也无法避免这场“前所未有”的供应危机的影响。 报道援引知情人士称,缺芯已导致生产MacBook的一个关键步骤延迟,即在最终组装前需要先将零部件安装在印刷电路板上。与此同时,由于因为缺乏显示器和显示器部件,一些iPad生产也被推迟。 事实上,这种情况比我们预知的要早很多。中国台湾路由器制造商合勤科技(ZyXEL Communications Corp)的欧洲地区业务主管Karsten Gewecke表示,自今年1月以来,博通芯片等零部件的交货时间翻了一番,长达一年乃至更久。美国网络设备制造商Adtran也表示近几个月存在严重的供应链风险和交货期延长的情况。 据外媒报道,宽带供应商目前在订购互联网路由器时正遭遇长达一年多的交付延迟,这令其成为芯片短缺扼杀全球供应链的又一受害者。同时,这也给数百万仍在居家办公的人士带来了挑战。 知情人士透露,一些运营商的报价订单交付期限长达60周,比之前的等待时间翻了一倍不止。 中国台湾路由器制造商合勤科技(ZyXEL Communications Corp)的欧洲地区业务主管Karsten Gewecke表示,对家庭宽带设备的更新需求持续飙升,加剧了因疫情导致的供应短缺。他指出,自1月以来,公司已要求客户提前一年订购产品,因为自那时起,博通芯片等零部件的交货时间翻了一番,长达一年乃至更久。 美国网络设备制造商Adtran也警告客户,近几个月存在严重的供应链风险和交货期延长。该公司发言人在电子邮件中说,公司扩大了在英国的仓库设施,将库存和物流能力增加了一倍以上,以避免出现问题。 而在供应商方面,博通CEO陈福阳(Hock Tan)上个月曾表示,该公司2021年约九成芯片货源已被预订。 值得注意的是,由于路由器的利润率远低于智能手机和电脑,所以半导体代工厂在分配有限产能的时候将路由器的生产暂时搁置了,集中主要的产能来生产手机和电脑。 值得一提的是,在半导体代工厂努力分配有限产能的过程中,那些利润较低的工作往往被推到了更后面。而显然,路由器的利润率远低于智能手机和电脑。 Karsten Gewecke指出,还没有路由器制造企业的存货完全耗尽,但供应链在未来6个月似乎还很紧张,因此存货耗尽的情况有可能会发生。他表示:“我们的存货很多次面临耗尽。这种情况仍会发生。” 因为芯片供应商的交货周期已超过1年,所以该公司在1月已经要求客户提前1年订货。 美国网络设备制造企业Adtran也警告称,近几个月存在供应链风险,且交付周期延长。 半导体晶圆代工企业正在努力分配稀缺的产能,把盈利较低的产品押后生产,而路由器的利润率比智能手机和电脑的利润低。在路由器领域,东欧等不那么富裕的市场使用的是精密程度和利润率都较低的部件。同样,规模较小的通信运营商受到的打击最大。全球企业都在运用自身的购买力来争夺供应。 难以恢复的不仅仅是制造能力,晶圆和封装衬底的短缺加剧了这个问题。理查德补充说,这对汽车行业的打击尤其严重,台湾的干旱和日本一家工厂的火灾可能会加剧该行业的困境。 许多供应最短缺的芯片,包括那些面向汽车行业的芯片,都是用旧工艺制造的。许多晶圆厂在接近其容量极限的情况下运行它们,这意味着系统中没有太多的闲置空间。 在其他行业,这样的短缺问题更容易解决——客户只需向其他制造商下订单,就能满足暂时的需求激增。但汽车制造商不太可能联系新的供应商,因为需要大约三到六个月,有时更久,才有资格从新工厂获得芯片。半导体制造商不太可能建立新的晶圆厂来满足可能是暂时的需求激增。最后,对双方来说,最好的办法是推动现有晶圆厂增加产量。 此次困境给全行业敲响了警钟,并有望推动产业未来的重塑和优化。工信部副部长辛国斌表示,近期汽车芯片供应短缺既是全球共性问题,也反映出我国自主供给能力不足的深层次矛盾。汽车芯片是关乎产业核心竞争力的重要器件,需要统筹发展和安全,坚持远近结合、系统推进,提升全产业链水平,有力支撑汽车和半导体产业高质量发展。

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  • 贸泽备货Analog Devices ADAQ23875,16位15 MSPS µModule数据采集解决方案

    贸泽备货Analog Devices ADAQ23875,16位15 MSPS µModule数据采集解决方案

    2021年4月8日 – 专注于引入新品并提供海量库存的电子元器件分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货Analog Devices的ADAQ23875 µModule®数据采集解决方案 (DAQ)。ADAQ23875采用系统级封装 (SIP) 技术,通过将多个通用信号处理和调理模块整合在一个器件中,减少了终端系统元件数量,缩短了精密测量系统开发周期。 Analog Devices ADAQ23875 DAQ集成低噪声全差分模数转换器 (ADC) 驱动器、稳定的参考缓冲器和16位高速15 MSPS逐次逼近寄存器 (SAR) ADC。ADAQ23875采用Analog Devices的iPassives®技术,还集成了具有出色匹配和漂移特性的关键无源元件,通过优化性能可最大程度地减少与温度有关的误差源。ADC驱动级快速稳定、全差分或单端至差分输入、无延迟SAR ADC等特性,为高通道数多路复用信号链架构和控制环路应用提供了独特的解决方案。 ADAQ23875采用9 mm×9 mm封装,是分立式等效器件的四分之一,可进一步减小仪器仪表的外形尺寸,而不影响其性能。此DAQ具有串行低压差分信号 (LVDS) 数字接口,提供单通道或双通道输出模式,用户可以针对具体应用优化接口数据速率。 此外,贸泽还备有支持ADAQ23875的EVAL-ADAQ23875FMCZ评估板。EVAL-ADAQ23875FMCZ结合所需的EVAL-SDP-CH1Z高速控制器板和信号源可用于演示ADAQ23875 µModule的性能。该板包括一个预安装的ADAQ23875、可选的4.096V或2.048V参考电压、板载参考电压、低压差 (LDO) 稳压器、电源电路,以及800MHz时钟分配IC。

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  • ROHM开发出针对150V GaN HEMT的8V栅极耐压技术

    ROHM开发出针对150V GaN HEMT的8V栅极耐压技术

    全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向以工业设备和通信设备为首的各种电源电路,开发出针对150V耐压GaN HEMT*1(以下称“GaN器件”)的、高达8V的栅极耐压(栅极-源极间额定电压)*2技术。 近年来,在服务器系统等领域,由于IoT设备的需求日益增长,功率转换效率的提升和设备的小型化已经成为重要的社会课题之一,而这就要求功率元器件的进一步发展与进步。 ROHM一直在大力推动业内先进的SiC元器件和各种具有优势的硅元器件的开发与量产,以及在中等耐压范围具有出色的高频工作性能的GaN器件的开发。此次,ROHM就现有GaN器件长期存在的课题开发出可以提高栅极-源极间额定电压的技术,能够为各种应用提供更广泛的电源解决方案。 与硅器件相比,GaN器件具有更低的导通电阻值和更优异的高速开关性能,因而在基站和数据中心等领域作为有助于降低各种开关电源的功耗并实现小型化的器件被寄予厚望。然而,GaN器件的栅极-源极间额定电压较低,在开关工作期间可能会发生超过额定值的过冲电压,所以在产品可靠性方面一直存在很大的问题。 在这种背景下,ROHM利用自有的结构,成功地将栅极-源极间额定电压从常规的6V提高到了8V,这将有助于提高采用高效率的GaN器件的电源电路的设计裕度和可靠性。此外,还配合本技术开发出一种专用封装,采用这种封装不仅可以通过更低的寄生电感更好地发挥出器件的性能,还使产品更易于在电路板上安装并具有更出色散热性,从而可以使现有硅器件的替换和安装工序中的操作更轻松。 未来,ROHM将加快使用该技术的GaN器件开发速度,预计于2021年9月即可开始提供产品样品。 <开发中的GaN器件的特点> ROHM即将推出的目前正在开发中的GaN器件具有以下特点: 1. 采用ROHM自有结构,将栅极-源极间额定电压提高至8V 普通的耐压200V以下的GaN器件的栅极驱动电压为5V,而其栅极-源极间额定电压为6V,其电压裕度非常小,只有1V。一旦超过器件的额定电压,就可能会发生劣化和损坏等可靠性方面的问题,这就需要对栅极驱动电压进行高精度的控制,因此,这已成为阻碍GaN器件普及的重大瓶颈问题。 针对这种课题,ROHM通过采用自有的结构,成功地将栅极-源极间的额定电压从常规的6V提高到了业内超高的8V。这使器件工作时的电压裕度达到普通产品的三倍,在开关工作过程中即使产生了超过6V的过冲电压,器件也不会劣化,从而有助于提高电源电路的可靠性。 2. 采用在电路板上易于安装且具有出色散热性的封装 该GaN器件所采用的封装形式,具有出色的散热性能且通用性非常好,在可靠性和可安装性方面已拥有可靠的实际应用记录,因此,将使现有硅器件的替换工作和安装工序中的操作更加容易。此外,通过采用铜片键合封装技术,使寄生电感值相比以往封装降低了55%,从而在设计可能会高频工作的电路时,可以更大程度地发挥出器件的性能。 3. 与硅器件相比,开关损耗降低了65% 该GaN器件不仅提高了栅极-源极间额定电压并采用了低电感封装,还能够更大程度地发挥出器件的性能,与硅器件相比,开关损耗可降低约65%。 <应用示例> ・数据中心和基站等的48V输入降压转换器电路 ・基站功率放大器单元的升压转换器电路 ・D类音频放大器 ・LiDAR驱动电路、便携式设备的无线充电电路 <术语解说> *1) GaN HEMT GaN(氮化镓)是一种用于新一代功率元器件的化合物半导体材料。与普通的半导体材料硅相比,具有更优异的物理性能,目前利用其高频特性的应用已经开始增加。 HEMT是High Electron Mobility Transistor(高电子迁移率晶体管)的英文首字母缩写。 *2) 栅极-源极间额定电压(栅极耐压) 可以在栅极和源极之间施加的最大电压。 工作所需的电压称为“驱动电压”,当施加了高于特定阈值的电压时,GaN HEMT将处于被动工作状态。

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  • 射频收发器在数字波束合成相控阵中实现强制杂散去相关性

    射频收发器在数字波束合成相控阵中实现强制杂散去相关性

    简介 在大型数字波束合成天线中,人们非常希望通过组合来自分布式波形发生器和接收器的信号这一波束合成过程改善动态范围。如果关联误差项不相关,则可以在噪声和杂散性能方面使动态范围提升10logN。这里的N是波形发生器或接收器通道的数量。噪声在本质上是一个非常随机的过程,因此非常适合跟踪相关和不相关的噪声源。然而,杂散信号的存在增加了强制杂散去相关的难度。因此,可以强制杂散信号去相关的任何设计方法对相控阵系统架构都是有价值的。 在本文中,我们将回顾以前发布的技术,这些技术通过偏移LO频率并以数字方式补偿此偏移,强制杂散信号去相关。然后,我们将展示ADI公司的最新收发器产品,ADRV9009,说明其集成的特性如何实现这一功能。然后,我们以测量数据结束全文,证明这种技术的效果。 已知杂散去相关方法 在相控阵中,用于强制杂散去相关的各种方法问世已有些时日。已知的第一份文献1可以追溯到2002年,该文描述了用于确保接收器杂散不相关的一种通用方法。在这种方法中,先以已知方式,,修改从接收器到接收器的信号。然后,接收器的非线性分量使信号失真。在接收器输出端,将刚才在接收器中引入的修改反转。目标信号变得相干或相关,但不会恢复失真项。在测试中实现的修改方法是将每个本振(LO)频率合成器设置为不同的频率,然后在数字处理过程中以数字方式调谐数控振荡器(NCO),以校正修改。文献里还提到了若干其他方法2, 3。 多年以后,随着完整的收发器子系统被先进地集成到单个单片硅片当中,收发器产品中的嵌入式可编程特性为实现以下文章描述的杂散去相关方法提供了可能:“Correlation of Nonlinear Distortion in Digital Phased Arrays:Measurement and Mitigation”(数字相控阵中的非线性失真:测量与缓解)。1 实现杂散去相关的收发器功能 图1所示为ADI公司收发器ADRV9009的功能框图。 图1.ADRV9009功能框图 每个波形发生器或接收器都是用直接变频架构实现的。Daniel Rabinkin的文章“Front-End Nonlinear Distortion and Array Beamforming”(前端非线性失真与阵列波形合成)详细地讨论了各种直接变频架构。4 LO频率可以独立编程到各IC上。数字处理部分包括数字上/下变频,其NCO也可跨IC独立编程。Peter Delos的文章《A Review of Wideband RF Receiver Architecture Options》(宽带射频接收器架构的选项)对数字下变频进行了进一步的描述。5 接下来,我们将展示一种方法,可以用于在多个收发器上强制杂散去相关。首先,通过编程板载锁相环(PLL)偏移LO的频率。然后,设置NCO的频率,以数字化补偿施加的LO频率偏移。通过调整收发器IC内部的两个特性,进出收发器的数字数据不必在频率上偏移,整个频率转换和寄生去相关功能都内置在收发器IC中。 图2所示为具有代表性的波形发生器阵列功能框图。我们将详细描述波形发生器的方法,展示波形发生器的数据,但该方法同样适用于任何接收器阵列。 图2.通过编程波形发生器阵列的LO和NCO频率,强制杂散去相关 为了从频率角度说明概念,图3展示了一个带有来自直接变频架构的两个发送信号的示例。在这些示例中,射频位于LO的高端。在直接变频架构中,镜像频率和三次谐波出现在LO的相对侧,并显示在LO频率下方。当将不同通道的LO频率设置为相同的频率时,杂散频率也处于相同的频率,如图3a所示。图3b所示为LO2的设置频率高于LO1的情况。数字NCO同等地偏移,使RF信号实现相干增益。镜像和三次谐波失真积处于不同的频率,因此不相关。图3c所示为与图3b相同的配置,只是RF载波添加了调制。 图3.用频率显示杂散信号的光谱示例。三个示例:(a) 无杂散去相关的两个组合CW信号; (b) 强制杂散去相关的两个组合CW信号;以及 (c) 强制杂散去相关的两个组合调制信号。 测量结果 组装了一个基于收发器的8通道射频测试台,用于评估相控阵应用的收发器产品线。评估波形发生器的测试设置如图4所示。在该测试中,将相同的数字数据应用于所有波形发生器。通过调整NCO相位实施跨通道校准,以确保射频信号在8路组合器处同相并且相干地组合。 图4.波形发生器杂散测试设置 接下来,我们将展示测试数据,比较以下两种情况下的杂散性能:一是将LO和NCO都设为相同的频率;二是偏移LO和NCO的频率。所使用的收发器在一个双通道器件内共用一个LO(见图1),因此对于8个射频通道来说,共有4个不同的LO频率。 在图5和图6中,收发器NCO和LO都设置为相同的频率。在这种情况下,由镜像、LO泄漏和三次谐波产生的杂散信号都处于相同的频率。图5所示为通过频谱分析仪测得的各发射输出。图6所示为组合输出。在这个特定的测试中,相对于载波以dBc为单位测量的镜像杂散和LO泄漏杂散展现出改善的迹象,但三次谐波没有改善。在测试中,我们发现,三次谐波在各个通道之间始终相关,镜像频率始终不相关,LO频率根据启动条件而变化。这反映在图3a中,其中,我们展示了三次谐波的相干叠加、镜像频率的非相干叠加以及LO泄漏频率的部分相干叠加。 图5.各通道的波形发生器杂散(LO和NCO设为相同的频率) 图6.组合波形发生器杂散(LO和NCO设为相同的频率)。注意,在这种配置中,三次谐波杂散没有改善 在图7和图8中,收发器LO全部设为不同的频率,并且同时调整数字NCO的频率和相位,使得信号相干地组合。在这种情况下,由镜像、LO泄漏和三次谐波产生的杂散信号被强制设为不同的频率。图7所示为通过频谱分析仪测得的各发射输出。图8所示为组合输出。在这个测试中,相对于载波以dBc为单位测量的镜像杂散、LO泄漏杂散和三次谐波杂散开始扩散进噪声,将通道组合起来后,每种杂散都展现出改善的迹象。 图7.各通道的波形发生器杂散(LO和NCO的频率偏移) 图8.组合波形发生器杂散(LO和NCO频率偏移)。注意,在这种情况下, 杂散的频率有所扩散,并且相对于单个通道SFDR,其SFDR有明显的改善 当组合非常少量的通道时,比如在本测试中,杂散的相对水平实际上提高了20log(N)。这是由于信号分量相干地组合并以20log(N)递增,而杂散根本没有组合。在实践中,通过组合大通道阵列和更多通道,改善程度有望接近10log(N)。原因有二。首先,在组合大量信号的情况下,充分扩散杂散以独立考虑每个杂散是不现实的。以1 MHz调制带宽为例。如果规格规定,要在1 MHz带宽内测量杂散辐射,那么最好扩散杂散,使它们相距至少1 MHz。如果无法做到,则每1 MHz的测量带宽都会包括多个杂散分量。由于这些分量将处于不同的频率,所以,它们将不相干地组合,并且在每1 MHz带宽中测得的杂散功率将以10log(N)递增。然而,任一1 MHz测量带宽都不会包含所有杂散,因此在这种情况下,杂散N小于信号N;尽管改进增量为10log(N),但一旦N足够大,使其杂散密度能在测量带宽内容纳多个杂散,则与无杂散信号去相关的系统相比,绝对改善量仍然优于10log(N)——也就是说,改善量将介于10log(N)和20log(N)分贝(或dB)之间。其次,这个测试是用CW信号完成的,但现实信号会被调制,这将导致它们扩散,使得在组合大量信道的情况下,不可能实现不重叠的杂散信号。这些重叠的杂散信号将是不相关的,并且在重叠区域以10log(N)不相干地递增。 当将不同通道的LO设为相同频率时,需要特别注意LO泄漏分量。当两个信号分支相加时,模拟调制器中LO的不完全消除,这是导致LO泄漏的原因。如果幅度和相位不平衡是随机误差,则剩余LO泄漏分量的相位也将是随机的,并且当将许多不同的收发器的LO泄漏相加时,即使它们的频率完全相同,它们也将以10log(N)不相干地叠加。调制器的镜像分量也应如此,但调制器的三次谐波则不一定这样。在少量通道被相干组合的情况下,LO相位不太可能是完全随机的,因此测得数据中展示了部分去相关的原因。由于信道数量非常多,因此,不同通道的LO相位更接近随机条件,并且预计为不相关叠加。 结论 当LO和NCO的频率偏移时,结果会测得SFDR,其清楚地表明,所产生的杂散全部处于不同频率并且在组合过程中不相关,从而确保在组合通道时SFDR能得到改善。现在,在ADI公司的收发器产品中,LO和NCO频率控制已经成为一种可编程的特性。结果表明,该功能可用于相控阵应用,相比单通道性能,可确保阵列级的SFDR改善。 参考文献 1 Lincoln Cole Howard和Daniel Rabideau,“Correlation of Nonlinear Distortion in Digital Phased Arrays: Measurement and Mitigation”(数字相控阵中的非线性失真:测量与缓解),2002 IEEE MTT-S国际微波研讨会文摘。 2 Salvador Talisa、Kenneth O’Haever、Thomas Comberiate、Matthew Sharp和Oscar Somerlock,“Benefits of Digital Phased Arrays”(数字相控阵的好处),IEEE论文集,第104卷第3期,2016年3月。 3 Keir Lauritzen,“Correlation of Signals, Noise, and Harmonics in Parallel Analog-to-Digital Converter Arrays”(并行模数转换器阵列中的信号、噪声与谐波相关性),博士论文,马里兰大学,2009年。 4 Rabinkin,Song,“Front-End Nonlinear Distortion and Array Beamforming”(前端非线性失真与阵列波形合成),Radio and Wireless Symposium (RWS) 2015 IEEE。 5 Peter Delos,“A Review of Wideband RF Receiver Architecture Options”(宽带射频接收器架构选项综述),ADI公司,2017年2月。 Delos,Peter,“Can Phased Arrays Calibrate on Noise?”(相控阵能校准噪声吗),Microwave Journal,2018年3月。 Jonathan Harris,“What’s Up with Digital Downconverters—Part 1”(数字下变频器的发展和更新——第一部分),《模拟对话》,2016年7月。 Jonathan Harris,“What’s Up with Digital Downconverters—Part 2”(数字下变频器的发展和更新——第一部分),《模拟对话》,2016年11月。 Howard,Lincoln、Nina Simon和Daniel Rabideau,“Mitigation of Correlated Nonlinearities in Digital Phased Arrays Using Channel- Dependent Phase Shifts”(运用通道依赖型相移缓解数字相控阵中的相关非线性问题),2003 EEE MTT-S Digest。

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  • 手机90Hz高刷屏和60Hz普通屏,实际体验有啥区别?

    手机90Hz高刷屏和60Hz普通屏,实际体验有啥区别?

    近年来高刷新率已经取代了过去的「DC调光」,成为除iPhone外旗舰手机的刚性指标。根据旗舰手机技术下放的产品理念,手机品牌也陆续将高刷新率屏幕带到了中低端手机上,让中低端手机也能拥有类似高端旗舰手机的流畅体验。 自从某厂家推出的90Hz高刷屏火爆之后,很多厂家都纷纷跟进,甚至还有提升到120Hz的。但不少朋友却不知道90Hz比60Hz有多大区别,该不该花钱买高刷屏的手机?下面就来简单说说两者之间的区别。 我们都知道,普通视频的帧率一般都是在每秒25帧,而之前手机的帧率都是传统的60Hz,也就是每秒60帧。简单来说,60Hz就是能够一秒内显示60张画面,而90Hz则是能够在一秒内显示90张画面,120Hz和144Hz也是同理。相比之下,最顶级的144Hz屏幕刷新率比传统的60Hz屏幕的显示画面快了整整2.4倍,并且这个屏幕刷新率决定了显示画面的流畅性,还有细腻程度。 屏幕的刷新率就是屏幕每秒钟更新多少次显示信息。在过去CRT显示器的年代,75Hz的刷新率是无闪烁的最低标准。而LCD显示器不存在闪烁,一般60-75Hz基本就能满足使用。目前手机屏幕基本都是LCD屏幕,60Hz对于普通使用足够了。那90Hz刷新率是不是就浪费了呢?也不能这幺说,因为手机还有一个重要功能就是玩游戏。 以往的智能手机似乎没有屏幕刷新率一说,但是在最近几年里,屏幕刷新率这个参数走上了市场的舞台,而且还扮演着很重要的角色;90HZ刷新率渐渐成为了手机的标配。有时就因为屏幕刷新率的问题而陷入纠结之中;在同一系列的手机中,刷新率越高,则越贵;如荣耀30pro与荣耀30pro+。那幺,除了价格上的差异之外,60HZ刷新率与90HZ刷新率还有哪些区别呢? 不过在手机屏幕上,用户能感觉到这种刷新率的提升吗?近日外媒 AndroidAuthority 对 60Hz 和 90Hz 刷新率的手机进行了用户测试,结果发现,大多数人无法分辨出 90Hz 刷新率屏幕和 60Hz 刷新率屏幕的区别。 测试方法简单粗暴:外媒挑选了十名智能手机用户参加测试,发给他们两组手机,其中一部是 60Hz 刷新率屏幕,另一部是 90Hz 刷新率屏幕。 为了让测试尽可能公平,测试人员给这些手机安装了相同壁纸和应用,亮度都设置为 100%。每位参与者都先使用同一品牌的两款不同刷新率的手机,然后再换一个品牌,同样是两款不同刷新率的产品。 测试结果是:几乎没有人分辨出 60Hz 刷新率屏幕和 90Hz 刷新率屏幕的差异。 当然,这个结果并不意外。游戏对GPU有很高要求,对屏幕也有较高的要求。在游戏领域里,60fps的帧率是游戏流畅的基本要求。 游戏需要高fps,但还需要屏幕来配合。如果显卡可以输出90fps的帧率,而显示屏只有60Hz的话,在1秒内就会有30帧游戏画面被当作无效帧丢弃,这就相当于浪费了显卡的游戏能力。而如果显示屏也有90Hz的话,那游戏就会显得更加流畅。 最近玩手游越来越不爽,只要玩QQ飞车那种竞速类的游戏,手机就会卡屏,而且玩两把王者荣耀游戏,手机电量就会从100%以肉眼可见的速度变成40%,每次遇到这样的问题都会气的我想摔手机。不只是我,相信很多玩家也遇到过这样的困扰,可以说手机屏幕卡和电池容量小是大部分手游玩家永远的痛。 那怎幺解决这个问题呢?只有换手机了,不花钱怎幺能变强?在各大手游论坛问了一圈、肝了几篇全是数据分析的评测之后,我最终选择了电竞游戏手机—红魔3S。体验了一段时间新手机那叫一个爽,觉得手里的iPhone 11再也不香了!真心后悔为什幺没有早一点下手红魔3S,不然我现在早就在冲击王者的路上了。因为对于普通手机屏幕卡和电池容量小这两大难题,在红魔3S面前就是小case啊。 60Hz以及90Hz,指的都是屏幕的刷新率,表示屏幕上的图像从上到下重复扫描的次数,刷新率越高,显示的画面稳定性就越高,人眼疲劳程度就越低。其中90Hz刷新率是指,手机屏幕每秒刷新率高达90张画面/秒,密集的画面能够带来更加流畅、平滑细腻的显示效果。在实际测试中,我们将选用Reno Ace的90Hz电竞屏,与市面上任意一款60Hz屏幕手机进行对比。 在浏览资讯的时候,我们同时滑动屏幕,可以明显的看到,左侧60Hz刷新率的手机,出现了明显的拖影问题。而右边的90Hz屏幕的显示则更为流畅平滑,整个视觉效果也更为舒服。 测试是在正常速度中的显示效果,当我们采用高速拍摄的方式,将拍摄速度放慢了之后,两者之间的差距就更明显了,90Hz的屏幕刷新率延迟低了很多,而60Hz的屏幕则出现了明显的卡顿。 其实细细比较不难发现,60HZ与90HZ刷新率的区别不是特别大,况且60HZ的手机相对便宜些,因此没有必要在刷新率这个参数纠结。对此,小伙伴觉得屏幕刷新率这个参数重要吗?欢迎评论区留言讨论,谢谢!

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  • 芯片新一轮涨价潮来袭,今年我们该如何应对?

    芯片新一轮涨价潮来袭,今年我们该如何应对?

    芯片新一轮涨价潮来袭,今年准备换机的你可能要趁早了。业内人士分析认为,全球芯片产能持续紧张、新一轮价格上涨将直接影响手机厂商对5G手机的定价策略,进入2021年第二季度,包括手机在内的消费电子将迎来一波涨价。 芯片新一轮涨价潮来袭 全球最大的硅片制造商信越化学3月初宣布,4月1日起硅片提价10%-20%,原因是原材料硅的成本上升。国产硅片厂商沪硅产业近日也表示,公司目前有部分品类硅片涨价,订单已经超过了供给能力。 当前这轮芯片涨价潮正是从上游传导而来。除了上述原材料厂商,芯片制造厂商也在涨价之列。 全球芯片供货困境持续,自年初以来,在欧美政府和汽车行业的请求下,晶圆代工厂们已多次传出调整车用芯片生产优先级。但现在各晶圆代工厂产能满载,且产能已确定无法再进行明确调整的情况下,原本被晶圆厂置后生产的显示驱动IC也出现供应紧缺困境。 业内人士表示,晶圆代工、封测产能紧缺的影响已经进一步扩散到显示驱动IC市场。 驱动IC供需缺口达50%,调涨15%-20% 据近日报道,禹创半导体驱动IC销售总监Jill表示,“显示驱动IC从2020年Q3就开始缺货,到现在供应缺口一直在扩大,目前只能供应市场需求的50%,小客户甚至无法供货,紧张状况预估到2022年。” 这次缺货要持续多久?没人能够清楚确切的答案,现实中芯片代工行业的厂商一直放风说,这次芯片缺货可能要持续到2022年甚至2023年,在未来几年里都面临缺货、涨价的压力。正因为此,台积电、联电等代工厂最近也不断传出涨价的消息,甚至每个季度都要调整一次价格,进一步加剧了其他公司抢单、预定产能的激烈情况。 随着消费电子需求日益旺盛,加之终端厂商恐慌性备货与重复下单不减,晶圆需求依旧维持高位,导致显示驱动IC供应持续偏紧。2020年Q4以来,显示驱动IC厂商也纷纷调涨产品价格,涨幅落在10-20%左右不等。而随着成本压力递增,显示驱动IC厂商于四月起开启新一轮涨价潮,涨幅达到15%-20%。据业界透露,显示驱动IC从2020年Q3就开始缺货,到现在供应缺口一直在扩大,目前只能供应市场需求的50%,小客户甚至无法供货,紧张状况预估到2022年;而为了保证每月稳定的显示驱动IC供货,面板厂商已经与显示驱动IC设计厂商签署了两三年的合约,例如,天钰与群创、友达与瑞鼎都签署了长期的合作。 此此前3月,《中国移动2021终端产品策略白皮书》显示,2021年国内手机市场发展面临的不利因素显而易见,主要两条是上游供应与下游需求矛盾显著以及5G手机成本下探至千元存在压力。 芯片价格上涨一定会反映在手机等终端设备上,但往往会滞后三个月。“当前市场上发售的新机,其芯片订单多是2020年年末签订的,芯片涨价没有在它们身上表现出来。但进入2021年第二季度,包括手机在内的消费电子受芯片涨价影响,或将迎来一波价格上涨。” 半导体行业的发展奉行三段论,从存货到消化库存再到重新拉库存。 按照半导体市场的发展规律,在总供应不变的情况下,需求时强时弱,存在从强转弱或从弱到强的动态变化,芯片缺货属于正常情况,且存在一定的缺货周期。 但当下这一动态出现不平衡和矛盾点,芯片缺货的周期规律发生巨大变化。 三段论也从2016年之后不再适用,导致企业可能在价格高时反而拉高库存,造成供需动态不平衡。 此外,全球芯片供货困境持续,自年初以来,在欧美政府和汽车行业的请求下,晶圆代工厂们已多次传出调整车用芯片生产优先级。但现在各晶圆代工厂产能满载,且产能已确定无法再进行明确调整的情况下,原本被晶圆厂置后生产的显示驱动IC也出现供应紧缺困境。 业内人士表示,晶圆代工、封测产能紧缺的影响已经进一步扩散到显示驱动IC市场。 但驱动IC的涨价来得比想象中更快。此前在中国台湾上游晶圆代工厂陆续缩减显示驱动IC投片量的动作之后,台系显示驱动IC供应商已经开启涨价动作,涨幅直接从20%开始起跳,最高达30%以上。当时业界表示第1季涨价幅度将在20%以上,且不排除第2季还有可能要再涨。果然,第二季度伊始,驱动IC再次传出以上涨价消息。

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  • 美国设备出口被卡死:是否就能卡死中芯国际?

    美国设备出口被卡死:是否就能卡死中芯国际?

    不可否认,当前美国打压华为的手段可谓是愈发无耻和露骨。在2019年中旬,美国将华为列入实体管制清单,断绝美国企业对华为的技术和零部件输出,对华为的整体业务产生了一定影响。时隔一年,美国打压华为手段再次升级,在近期所发布的禁令,涉及对象不再仅局限于美企,更多的则是华为芯片全球供应链。 根据美国最新发布的禁令显示,所有使用美国技术,零部件,设备的芯片公司,向华为供货将会受到美国政府的限制。大家都知道,当前华为已实现自主研发芯片设计架构,目前最新发布的芯片为麒麟990,但科技公司一般都有着自己的技术储备,所以,乐观估计华为当前已经将麒麟1020芯片设计完毕。 “中芯国际面临的困难比想象的要大得多。”一位资深半导体人士对AI财经社说,“现在的情况是,美国设备的出口被卡得很死,国产设备顶上来还要时间。这给中芯国际带来了不确定性。” 中芯国际是国内最大的芯片制造厂。根据AI财经社了解,一条芯片生产线上有数十种机台、几百台设备。在中芯国际,海外设备占到90%左右。其中,美国半导体设备占到60%左右,其余为日韩等国的设备,国产设备占比仅为10%左右。 中芯国际集成电路制造有限公司(00981.HK)被纳入“实体清单”的公告。中诚信国际认为,中芯国际被纳入“实体清单”使得公司未来生产经营和投资面临较大的不确定性,中诚信国际将持续关注上述事项的后续进展,并与中芯国际保持沟通,积极收集相关资料,及时评估上述事项对公司未来生产经营及整体信用状况的影响,并披露相关信息。公告称,中芯国际发行的“19 中芯国际 MTN001”由中诚信国际进行相关评级工作。 针对适用于美国《出口管制条例》的产品或技术,供应商须获得美国商务部的出口许可才能向公司供应;对用于10nm及以下技术节点(包括极紫外光技术)的产品或技术,美国商务部会采取“推定拒绝”(Presumptionof Denial)的审批政策进行审核;同时公司为部分特殊客户提供代工服务也可能受到一定限制。 目前,美国设备的供应没有恢复正常。比如,美国第一大半导体设备企业应用材料公司虽然在申请许可证,“但其设备,甚至连一个零部件都不能从美国发货。” 不过为了避免给芯片厂商造成巨大损失,美国方面也给出了120天的缓冲期。而这接下来的120天也是华为生死存亡的时刻。据最新的消息称,华为近期已经开始大肆囤货,向台积电下了7亿美元的订单,为接下来的手机生产做足准备,这样至少可以维持到明年9月份。 “过去,国产设备最难的是敲开门,让客户给你试的机会,现在这个大背景下,这反而不是最难的了,中芯国际有了强烈的需求。目前如果大家凭真正的专业能力,为用户提供真正在性能上对标国际厂商的设备,就能抓住黄金机会长足发展。”他认为,2021、2022年会看到本土设备市占率会有大幅的提升。 中芯国际集成电路制造有限公司(00981.HK)被纳入“实体清单”的公告。中诚信国际认为,中芯国际被纳入“实体清单”使得公司未来生产经营和投资面临较大的不确定性,中诚信国际将持续关注上述事项的后续进展,并与中芯国际保持沟通,积极收集相关资料,及时评估上述事项对公司未来生产经营及整体信用状况的影响,并披露相关信息。公告称,中芯国际发行的“19 中芯国际 MTN001”由中诚信国际进行相关评级工作。 一路蒸蒸日上的中芯国际突然被其评级公司认定为有“较大不确定性”。 自2020年12月中芯国际CEO离职后,该企业收到了一个巨大的噩耗。中芯国际放出了这样一条公告,称中芯国际集成电路制造有限公司被纳入了“实体清单”。 公告中解释道,针对适用于美国《出口管制条例》的产品或技术,供应商须获得美国商务部的出口许可才能向公司供应;对用于10nm及以下技术节点(包括极紫外光技术)的产品或技术,美国商务部会采取“推定拒绝”(Presumptionof Denial)的审批政策进行审核;同时公司为部分特殊客户提供代工服务也可能受到一定限制。 中芯国际集成电路制造有限公司于2000年4月3日根据开曼群岛法例注册成立。2004年3月18日于香港联合交易所主板上市。 2020年7月16日在上海证券交易所科创板鸣锣上市 中芯国际控股有限公司,注册成立于2015年7月28日 ,是中国内地规模大、技术先进的集成电路芯片制造企业 。中芯国际主要业务是根据客户本身或第三者的集成电路设计为客户制造集成电路芯片。中芯国际是纯商业性集成电路代工厂,提供 0.35微米到14纳米制程工艺设计和制造服务 。荣获《半导体国际》杂志颁发的"2003年度最佳半导体厂"奖项。

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  • 从辉煌到落寞!日本存储已走向末路?

    从辉煌到落寞!日本存储已走向末路?

    存储器(Memory)是现代信息技术中用于保存信息的记忆设备。其概念很广,有很多层次,在数字系统中,只要能保存二进制数据的都可以是存储器;在集成电路中,一个没有实物形式的具有存储功能的电路也叫存储器,如RAM、FIFO等;在系统中,具有实物形式的存储设备也叫存储器,如内存条、TF卡等。 存储器依照特点不同可分为众多类别。存储器种类众多,具有不同的分类方法,按存储形式不同,存储器可分为三大类:光学存储,根据激光等特性进行存储,常见的有DVD/VCD等;磁性存储,常见的有磁盘、软盘等;半导体存储器,采用电能存储,是目前应用最多的存储器。依照断电后是否还能保留数据,可分为“易失性(VM)”与“非易失性(NVM)”存储两大类。按是否可以直接被CPU读取,可分为内存(主存,如RAM)和外存(如ROM,硬盘等)。 中国是一个半导体存储器的消费大国,消费了全球接近50%的存储器产能。但目前国内相关技术积累薄弱,自给能力基本为零,完全失去控制能力。《国家集成电路产业发展推进纲要》发布后,在关键核心技术国产替代浪潮的推动下,中国大陆迎难而上,开启对DRAM的战略布局,力争在这一高端产业上有所作为。就国家层面来讲,如何切入该行业,切入的力度和规模有多大,这需要有一个清晰的产业定位。 近日,据华尔街日报报道,知情人士指出,美光科技公司和西部数据公司都在探索与Kioxia Holdings Corp.(铠侠)的潜在交易,该交易可能使这家日本半导体公司的估值达到300亿美元左右。 对存储行业而言,存储芯片主要以两种方式实现产品化: 1、ASIC技术实现存储芯片ASIC(专用集成电路)在存储和网络行业已经得到了广泛应用。除了可以大幅度地提高系统处理能力,加快产品研发速度以外,ASIC更适于大批量生产的产品,根椐固定需求完成标准化设计。 2、FPGA 技术实现存储芯片FPGA(现场可编程门阵列)是专用集成电路(ASIC)中级别最高的一种。与ASIC相比,FPGA能进一步缩短设计周期,降低设计成本,具有更高的设计灵活性。当需要改变已完成的设计时,ASIC的再设计时间通常以月计算,而FPGA的再设计则以小时计算。这使FPGA具有其他技术平台无可比拟的市场响应速度。新一代FPGA具有卓越的低耗能、快速迅捷(多数工具以微微秒-百亿分之一秒计算)的特性。 目前,铠侠是全球第二大闪存芯片厂商,在全球闪存市场占据20%左右的市场份额,也是日本仅剩的存储芯片厂商,若一旦收购成功,这将意味着:日本的DRAM基本与美国同时起步。1972年日本研制成功1 kB DRAM,基本与英特尔公司同时推向市场。 众所周知,EUV光刻工艺是当前存储行业关注的重点之一。今年台积电、三星都在逻辑芯片生产中引入了EUV,量产7nm产品。存储芯片对于采用EUV并不如逻辑芯片那样迫切,现有的多重图形曝光技术在成本上仍然更加有优势。不过有消息称,三星已在探索在DRAM芯片中的应用。中国企业也应前期会投入,进行相关工艺的探索和开发,不能输在起跑线上。同时积极布局新型存储器技术研究和开发,对目前的几个新技术,如RRAM、MRAM、PRAM等均应投入资金和人才研究,而不要停留在讨论那种技术未来可能胜出。 国内目前有三大存储芯片基地,紫光主导的长江存储以武汉为基地,主要生产3DNAND闪存,目前已开始小规模量产32层3D NAND Flash。 根据最新的消息显示,长江存储目前已经获得了第一个闪存芯片订单,用于生产8GB容量的SD存储卡,订单规模为一万套32层3D NAND闪存芯片。消息人士称,长江存储公司的闪存芯片月产能只有5000片晶圆(芯片的产量往往描述为原材料晶圆的消耗数量),产能还比较小。 发展存储芯片的必要性在于其大而重要。重要体现在存储芯片是电子系统的粮仓,数据的载体,关乎数据的安全;大体现在其市场规模足够大,约占半导体总体市场的三分之一。以行军打仗作比喻,发展存储芯片可谓是兵马未动粮草先行。 一个基本的电子系统主要包括以下几个部分:传感器、处理器、存储芯片和执行器。传感器负责获取数据,处理器负责处理数据,存储芯片负责存储数据,执行器负责执行处理器的结果。 由于中国拥有庞大内需市场优势,目前已成为全球最大集成电路消费市场。中国集成电路产业是获得中国政府大力支持的一个战略性产业,历年集成电路设计公司规模持续增长及设计能力显著提升。尽管中国集成电路设计公司的平均规模仍落后于世界顶尖的集成电路企业,但差距已日益缩小。 但是存储器作为我国集成电路产业中占比最大的领域之一,势必会在我国信息产业发展中扮演极为重要的角色,而云计算、物联网、大数据等领域的布局,集成电路相关政策的发布,更是为存储器产业发展奠定了市场、政策等基础。

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  • 苹果A15增强版5nm打造! 性能强大到“爆炸”!

    苹果A15增强版5nm打造! 性能强大到“爆炸”!

    在失去了华为这个合作伙伴之后,台积电的业务似乎并没有受到太大的影响,反倒是苹果的需求量越来越大。除了每年要生产大批量的A系列处理器之外,现在苹果电脑使用的M系列芯片也开始由台积电代工。 据上游产业链最新消息称,今年虽然芯片短缺,不过不太可能影响苹果的节奏,换句话说就是A15还会按照后者的既定时间发布。 随着iOS15系统在苹果开源 WebKit 引擎的代码中被发现,作为首发机型登场的新款iPhone也传出已经定案的消息,这意味着传说中的iPhone 13系列已进入EVT(工程验证与测试)阶段。 包括此前传出的高端版本将采用LTPO背板技术和支持 120Hz刷新率,缩小刘海面积以及增加电池容量等变化也将很快得到证实。 据报道,用于iPhone 13系列的A15处理器将升级为N5P工艺,也就是第二代5nm,制程层面的性能进一步增加,功耗进一步降低。今年苹果将会推出A15处理器和M2处理器,根据DigiTimes最新报告显示,苹果已经向台积电订购了4nm芯片的首批产能,同时使用5nm+的A15也有了最新的进展,消息称A15处理器将会在5月份投产,而且有消息表示A15的性能比前代会提升30%左右。 另一方面,DigiTimes表示苹果已经向台积电预订了N4工艺的订单,以确保在工艺节点和产能供应上处于优先位置,预计N4工艺会在2021年底开始投入生产。这些使用4nm工艺制造的新芯片很可能会用于未来的Mac产品线,但暂时不清楚具体是哪些产品。 此前有报道称,苹果下一阶段会发布采用新模具的新款Mac,其使用的新芯片仍可能使用5nm工艺制造,比如M2 SoC,这也是苹果占据台积电5nm工艺超过50%订单的原因之一。 今天苹果已经宣布了WWDC2021的发布时间是6月7号-11号,届时将会推出iOS 15等多款新系统。而iPhone 13系列也将会预装。 目前N5P一切顺利,预计5月底开始投产A15芯片,以保证今年iPhone不再重蹈延期的覆辙。 与此同时,苹果还联系台积电,使用5nm或5nm Plus工艺生产下一代iPhone(即iPhone 13系列)芯片A15。 A15芯片依旧需要搭配高通的5G基带才能够支持5G网络,型号为X60 5G,苹果自研5G基带可能需要等到2023年,也就是iPhone 15那一代。 另外,苹果对Face ID组件进行了大幅优化,使得iPhone 13的刘海面积将变得比较小,但不会没有。而且iPhone 13将会采用高刷屏,最高刷新率为120Hz,同时支持刷新率调节功能。其屏幕为LTPO,最低刷新率可达1Hz,从而可以在不增加功耗的前提下,让iPhone 13做到息屏常显。 除了N5P,台积电的N4也就是4nm同样异常顺利,量产时间有望从2022年提前到2021年底。之前有猜测N4可能会拿下高通的骁龙895、骁龙X65/X62 5G基带订单,但消息称,N4头一批产能已经被苹果包圆,将用于Mac电脑的Apple Silicon芯片,也就是M1X、M2等,它们可能升级到12核甚至16核规模。 虽然关于A15的细节不详,但苹果历代A系处理器都不曾让人失望过,只是去年A14因为照顾功耗,性能提升比较保守,希望A15工艺改进后,可以释放更多潜力。 而根据此前陆续曝光的信息来看,传说中的iPhone 13系列四款机型均会借助3D结构光组件和听筒设计的重新布局,从而达到缩减刘海面积的目的。同时还将通过SIM卡插槽与主板集成在一起,并减小正面TrueDepth相机的光学阵列的厚度来增加四款机型的电池容量,以及在摄像头方面皆会采用感光面积更大的CMOS图像传感器(CIS),甚至还会标配Sensor-Shift防抖功能。 苹果预计将在2021年发布一款更小的Mac Pro和一款重新设计的24英寸iMac,采用Apple Silicon处理器,而有消息还称,Mac Pro将围绕M系列处理器进行更新,尺寸约为"当前Mac Pro的一半"。 今年秋季登场的iPhone 13系列将缩小刘海面积看上去已没有什么悬念,就在曝光该系列新机前玻璃盖板谍照之后,日本博客网站MacOtakara也首次分享了3D打印的iPhone 13 Pro的机模照片,确认刘海区域相比过去变得“更高更窄”。同时还有网友爆料称,今年的iPhone 13系列不仅会搭载屏下ALS环境光传感器,而且A15芯片也会增加ALS处理区块,至于基础款则将首次大量采用京东方的显示屏,据悉,iPhone 13系列的基础款会有新的蓝色和粉色版本推出,而高端版则会新增磨砂黑和古铜色版本,目前传出的消息是将于今年9月份第三周正式与我们见面。

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  • 芯片代工市场竞争变得异常激烈, 三星却失算了?

    芯片代工市场竞争变得异常激烈, 三星却失算了?

    芯片对于智能手机而言尤为重要,作用相当于是心脏,手机综合实力如何,很大程度都是由芯片决定。正因为芯片的重要性,因此进入芯片制造领域的厂商也逐年增多,芯片代工市场间的竞争随之变得激烈。 在今年国际固态电路会议上,三星对外展示了全球首款基于3nm芯片。并且三星还在这款芯片上使用了全新GAAFET技术,而台积电则会等到2nm工艺时才切入GAAFET技术。可以预见,有GAAFET技术加持的三星3nm工艺,芯片水准会反超同时期的台积电。 不过,令三星没有想到的是,自家3nm芯片亮相才一个月,中国芯片巨头——台积电就再次确立了领先地位。 根据台湾媒体报道,台积电的4nm工艺产能已经被苹果包圆。而且,台积电的4nm工艺量产时间也从2022年提前到今年第四季度。该工艺将会被用于生产苹果Mac新品(大概率会是M2处理器)。 按照台积电芯片工艺的路线来看,今年3nm会风险试产,明年才会正式量产3nm芯片。但是在3nm之前,台积电还有两个先进制程要量产,一个是N5P,也就是5nm增强版工艺,目前已经可以投入生产了;另一个则是N4,也即是4nm制程。台积电的4nm制程实际是5nm技术改进而来,按照计划应该是明年第一二季度量产,不过现在看来台积电的4nm量产时间会提前,这也导致一大批厂商的产品改变了生产计划。 按照台积电的计划,明年会率先推出4nm制程的工艺,然后再开始量产3nm芯片。不过现在台积电的4nm工艺从2022年提速到今年第四季度,这会给台积电带来更多的订单,因为很多厂商的芯片都会在下半年发布,正好可以交给台积电4nm生产,考虑到4nm的成本要高于5nm,所以台积电的收入必然会迎来一波增长。 得益于台积电对自身制程工艺的良好把控,在有关于5nm Plus、4nm的代工制程中,台积电进行得十分顺利,特别是台积电的4nm工艺。由于4nm芯片的风险试产质量提前达标,台积电原先定于2022年商用的4nm工艺,将在今年年底提前投入商用。 在异常激烈的市场角逐中,台积电就凭借着超高的精密度以及良品率成为了众多知名手机厂商所合作的对象。就以苹果为例,据外资摩根大通所发布的报告显示,苹果最新款iPhone SE所搭载的处理器已由台积电100%代工,而苹果接下来将推出的四款iPhone新机,也就是iPhone 12系列,其所搭载的5nm制程工艺芯片,也将全部交付台积电代工生产。 对于台积电而言,苹果新订单将会为台积电带来极高的营收与利润,有利于公司更加健康地发展。 报道指出,苹果同时还要求台积电第四季度追加近1万片产能,加上辉达、超微等大客户同步扩增7nm投片量,台积电5nm不仅如期且产能全开,7nm也持续满载至年底。 据了解到,台积电目前正处于第一季度财报发布前的缄默期,将在本周四召开财报说明会。台积电此前曾预告,5nm制程已准备量产,预计第二季度放量,同时看好5nm和7nm两大主力制程,今年营收增幅可望超过产业平均数、达17%以上。 同时,苹果将订单交付给台积电,也意味着三星反超台积电基本无望。要知道,三星和台积电的差距并不只是体现在工艺上。芯片量产能力以及客户质量,才是决定芯片代工厂市场地位的最重要因素。 据悉,苹果的A15芯片将于5月份正式投产。也就是说:苹果13将会如期发布。抛去苹果M1x、M2芯片所处的PC端领域不谈,iPhone13如期发布,将会对我国的手机市场带来很大的冲击,对于我国的手机厂商来说,也会是一场严峻的挑战。 台积电正在为苹果研发 2nm 工艺,且 3nm 订单增长强劲。据说两家公司正在为进一步提升芯片效率而努力,并且在研发上实现了多项突破。此前,苹果已在智能手机 / 笔记本电脑产品线上运用了 5nm 芯片组,且 2020 下半年的 Apple Silicon Mac 受到了市场的高度关注。 若台积电可在 2022 年开始大规模生产 3nm 芯片,那 2nm 的试生产或在 2023 年进行。 当然,在正式转向用于 iPhone/ iPad / Mac 的 2nm 定制芯片生产之前,台积电还需通过为各个合作伙伴完成 3nm 订单,以积累足够丰富的先进制程经验。 预计在 2021 年,台积电可在 5nm 产能中占据 80% 的市场份额。而即将面世的 A15 Bionic 芯片,也有望基于更先进的 NP5 节点来生产。

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  • 贸泽电子备货符合ASIL-D标准的DAQ系统Maxim Integrated MAX17852

    贸泽电子备货符合ASIL-D标准的DAQ系统Maxim Integrated MAX17852

    2021年4月6日 – 专注于引入新品的全球电子元器件授权分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开售Maxim Integrated Products, Inc.的MAX17852 14通道高压ASIL-D数据采集 (DAQ) 系统。该产品可以集成到汽车的电池管理系统 (BMS) 中,使之符合ASIL-D有关电压、电流、温度和通信的要求,同时还能够实现出色的安全性、减少空间占用、降低解决方案成本。 贸泽电子分销的Maxim Integrated MAX17852是一款灵活的数据采集解决方案,用于管理纯电动或油电混合动力汽车等多种运输系统内的高低压电池模块,非常适合用于智能接线盒、48V系统,以及工作在400V、800V和更高电压下的多种汽车电池系统。根据Maxim Integrated的设计,MAX17852可在263µs的时间内通过完全冗余的测量引擎完成14个电芯电压的测量、一次电流测量,以及总共四次温度或系统电压测量(两者任意组合)。或者,也可以只靠模数转换器 (ADC) 测量引擎,在156µs内执行所有输入。MAX17852可与多达32个器件实现菊链连接,管理448个电芯,监控128处温度。 MAX17852还采用了Maxim Integrated的电池管理UART或SPI协议,并支持I²C主接口以用于控制外部设备。该产品的嵌入式通信和硬件警报接口也经过了优化,支持简化的内部诊断和快速警报通信功能,同时也支持ASIL-D和FMEA安全要求。 MAX17852具有配套的MAX17852评估套件,如果再结合MAX17841B评估套件和PC主机,设计人员便可快速构建并评估由多达32个通过菊链连接的器件组成的系统。

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  • OPC UA、TSN和传统工业以太网系统将在未来扮演什么角色?

    通过合作实现更大的普适性 OPC UA通过其地址空间形成通用应用接口,而TSN为标准以太网添加实时能力并实现千兆位数据速度。因此,通过发布/订阅(pub/sub)模型将这两种技术结合起来是有意义的,但在工业4.0的背景下,工业通信还有其他可能性。在本次采访中,ADI公司确定性以太网技术部的系统应用工程师Volker Goller提供了一些背景信息。 问:在OPC UA TSN系统中,OPC UA和TSN分别承担哪些任务和功能? 答:为了阐明OPC UA的作用,我想引用OPC基金会副总裁Stefan Hoppe的话:“OPC UA不是一种协议,而是一种信息模型。”他的意思是,OPC UA首先且最重要的是一种信息模型。当然,它还是一种用于连接客户端和服务器的协议,但OPC UA的优势在于地址空间,正是这一点使得OPC UA成为通用应用接口。OPC UA非常灵活,允许将现有用户接口(工业以太网协议的配置文件)映射到OPC UA。因此,现在工业以太网协议中的几乎每个配置文件在OPC UA地址空间中都有表示,或者正在开发以实现其表示。OPC UA尚未明确这些配置文件(I/O、驱动器、安全等),但很可能会改变。在工业4.0的框架下,OPC UA被视为未来非常有前途的通用语言。 相比之下,TSN是IEEE-802.1以太网的扩展,具有完整的一系列新能力,旨在让以太网更具确定性和实时性。因为预计未来将有众多制造商生产支持TSN的硬件,所以也可以把它视为实时通信的平民化。几乎每种协议都可以通过TSN获得实时能力。 在此背景下,成立了一个pub/sub工作组,目的是在TSN的帮助下,为OPC UA指定一种实时传输协议。这将使OPC UA具备实时性,从而可以替代工业以太网协议。它将受到传统PLC以上层次的热烈欢迎,因为来自不同制造商的控制器将能与OPC UA实时交互。TSN还能为OPC UA提供有保证的网络带宽,因而其鲁棒性会比目前所能实现的要更高。 但是,pub/sub不是让OPC UA具备实时能力的唯一途径。业界也在努力开发一种针对DDS的OPC UA模型,DDS是一种应用广泛且经过验证的实时协议。这将使得分布式系统的运行具有DDS/TSN能力,并将OPC UA用作应用接口。 结果如何还有待观察。 问:未来哪些任务和功能会留给传统工业以太网系统和现场总线? 答:传统工业以太网协议不会消失。在未来,有些仍会以不同形式存在(作为OPC UA中的配置文件或配置文件系列),有些则将基于TSN。传统现场总线将被以太网取代。 问:在OPC UA TSN系统中,除了配置文件级别的OPC UA TSN,传统工业以太网系统可以履行哪些任务和功能? 答:需要再次澄清,TSN并不会自动实现OPC UA。它们是两种完全独立的技术。OPC UA可以在控制器网络(控制器到控制器)中发挥重要作用。pub/sub与TSN在这里很有优势;它是否也能在现场层面发挥作用尚有待证实,因为OPC UA不是一个小堆栈,至少如果您希望利用其全部优势,它不会是一个小堆栈。 问:传统工业以太网系统的用户组织如何应对TSN挑战? 答:我想说,所有用户组织都在响应TSN带来的机会。TSN有望提供更多硬件选择,尤其是基础设施组件,并且实现更高速度,即1 Gbps或更高。最终,我们将看到Profinet® TSN,以及EtherNet/IP® over TSN和OPC UA Pub/Sub。 问:TSN能否支持实时并将周期时间降至31.25μs,在未来甚至可能更低? 答:在100 Mbps的速度,要使周期时间低于250μs,现有工业以太网协议将不得不对标准以太网进行重大修改。对于非标准方法,例如EtherCAT®甚至Sercos所基于的集总帧协议,IEEE并不是很友好。这些扩展不大可能被纳入TSN标准。 针对您的问题,TSN将达到IEEE定义的极限,即100 Mbps时250μs——至少只要标准TCP/IP应用的真正并行操作必须有效。如需更短的周期时间,通往1 Gbps的道路已开放。 问:TSN如何解决或预期如何解决安全问题? 答:安全一般运用Black channel原则。安全性定义在实际通信协议之上。然而,通信信道的可靠性是安全考虑因素之一。TSN不会比今天的系统更不可靠。 问:OPC UA协议也可以通过传统工业以太网系统传输,如时隙或隧道。那么为什么它还需要TSN呢? 答:TSN在标准以太网基础上增加了确定性和实时性。在很多情况下,不同的协议共存于同一根电缆中。TSN支持在一根电缆中实现实时和“尽力而为”型TCP/IP的稳健共存。 问:TSN相对于传统工业以太网系统到底有哪些优势? 答:TSN不是一种新的工业以太网协议。它是对标准以太网的统一扩展,增加了实时能力。我们已阐明其优势:硬件可用性、统一基础设施以及与速度无关的定义。 问:成本在这里扮演什么角色? 答:可扩展的标准化硬件和基础设施有望降低成本并统一技术诀窍。 问:实现1 Gbps或更高数据速率的期望起着什么样的作用? 答:1 Gbps(及以上)是当今网络的逻辑进展。它是否会取代100 Mbps?不会完全取代,但是 1 Gbps支持新的应用,并且可以克服当今数据密集型应用的性能瓶颈。 TSN不是一种新的工业以太网协议,而是对标准以太网增加实时能力的统一扩展。

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  • 中国工程师再显神威:成功破解M1处理器MacBook

    中国工程师再显神威:成功破解M1处理器MacBook

    苹果在2020年的秋季发布会推出了iPhone 12系列新机,并且同步宣称后面会推出搭载自研芯片的Mac电脑。就在大家都以为苹果会在2021年推出新Mac的时候,2020年的双十一当天苹果就推出了搭载新M1芯片的MacBook Pro、MacBook Air以及Mac mini。要知道,小编手里的2020款基础款MacBook air也才仅仅买了半年多而已(同样是2020款,差距怎么就这么大呢……) 苹果发布了macOS Big Sur 11.2 RC 2版本,目的在于修复目前出现的这些BUG。本次修复的主要是:输入管理员密码时,系统偏好设置可能无法解锁;禁用 iCloud Drive 的“桌面和文档文件夹”选项后,iCloud Drive可能会关闭;在照片应用中对Apple ProRAW照片进行编辑可能无法保存等。 现在相信已经有很多用户已经用上了M1新电脑,在观望的朋友相信网上的评测已经看过无数次了。M1是划时代的,苹果将处理器、显卡、内存全部封装在了一个M1芯片里面,这才造就了新Mac电脑功耗低,续航最多可达20小时的成绩。 自从苹果自研M1芯片,抛弃英特尔之后,后者对其的质疑几乎从未停止。本周,英特尔推出了一个名为“PC vs. Mac”的对比网站,这家网站只做一件事——吹嘘搭载了英特尔自家芯片的PC设备,并且将苹果M1 Mac作为比较对象进行抨击。 苹果M1处理器自发售以来就以“逆天”的姿态狂虐X86架构的各种高端处理器,各种性能测试霸榜的爆料给人一种十分强悍的错觉。但是也有人指出这些都是“算法优化”的结果,并不能说苹果M1在普遍应用中的实际表现,可能一切都是测试软件的“锅”。 按照用户的反馈看,M1 Mac mini每次电脑和屏幕进入睡眠状态时,电脑都无法唤醒屏幕,而非M1处理器的Mac设备则并没有出现这个问题,显然苹果这个错误“很低级”。 M1处理器对于外接第三方显示器体验并不是很好,而苹果也一直在积极的寻找原因。另外,苹果的部分M1 Mac机型容易出现快速用户切换错误,故障症状是会自动激活屏幕保护程序,且用户无法解除。 这是M1芯片的MacBook Air基础款,8GB内存,256GB固态硬盘的配置。如果想要升级存储空间的话还可以通过外接固态硬盘来实现,但如果想升级内存的话,似乎只能换电脑,也只能如此,但今天的这篇内容将会刷新各位的认知。 作为苹果第一款自研芯片,采用Arm架构的M1与市面上大多数处理器的设计都不同——它是一款SoC(系统级芯片),采用5nm制程工艺,包括中央处理器、图形处理器、神经网络引擎、连接功能在内的众多组件均集中在同一块芯片上,封装晶体管数量高达160亿个。 具体参数方面,M1芯片内置8核CPU,包括4个性能核心和4个能效核心。在相同功耗下,M1芯片的CPU的性能是其他最新PC芯片的2倍,而在同性能条件下,M1芯片CPU的功耗只有其他PC芯片的四分之一——虽然苹果并没有明确点出“其他PC芯片”具体指谁,但业界普遍认为苹果是在暗喻英特尔的CPU性能不如M1。 显然,Apple GPU 没有在 ethminer 中列入白名单。不过这应该很容易解决。相关行在中 libethash-cl/CLMiner.cpp,我将 Apple GPU 添加到了白名单中,“假装”它是英特尔 GPU。 然后,boost 将无法编译,因为它正试图使用 -fcoalesce-templates 参数进行编译,而该参数在最新的 clang 版本中并不存在。所以我必须将 boost 更新到最新版本,并修复相关的 asio 代码,因为 ethminer 使用的是弃用的 asio api。 我还需要将 OpenSSL 升级到最新版本,以使其支持 darwin + arm64。 苹果一直走在科技的前沿,也一直在引领着产品的走向,此前众多的Windows电脑都会预留出内存插槽方便用户自行升级,但苹果的MacBook电脑就没有走这一条路。十多年来,MacBook电脑性能越来越强,机身越来越轻薄,同时也在一步步的将内部的元器件高度集成化。 毫无疑问第一代arm芯片的产品是不成熟的,16寸和未来性能更强,更有竞争力的产品还在研发中,big sur摆明了就是支持触控的设计,下一代会上触摸屏,而且ipad有动态刷新率,macbook应该未来也会支持的。等这些东西都配上的时候生态也健全了,ios该适配的也适配了,各种游戏也有一点了。 如果不是一定要用mac,不太建议现在入手,新款出来必然是要更新的,这一代产品寿命不会很长的,做等等党永远不亏?

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  • 苹果加速在中国可再生能源工作: 已完成其生产目标

    苹果加速在中国可再生能源工作: 已完成其生产目标

    苹果公司(Apple Inc. )是美国一家高科技公司。由史蒂夫·乔布斯、斯蒂夫·盖瑞·沃兹尼亚克和罗纳德·杰拉尔德·韦恩(Ron Wayne)等人于1976年4月1日创立,并命名为美国苹果电脑公司(Apple Computer Inc.),2007年1月9日更名为苹果公司,总部位于加利福尼亚州的库比蒂诺。 苹果公司1980年12月12日公开招股上市,2012年创下6235亿美元的市值记录,截至2014年6月,苹果公司已经连续三年成为全球市值最大公司。当地时间2020年8月19日,苹果公司市值首次突破2万亿美元。 苹果公司在2016年世界500强排行榜中排名第9名。 2013年9月30日,在宏盟集团的“全球最佳品牌”报告中,苹果公司超过可口可乐成为世界最有价值品牌。2014年,苹果品牌超越谷歌(Google),成为世界最具价值品牌。 3月31日晚间消息,苹果公司今天宣布已超越2千兆瓦清洁能源生产目标。 此举每年可通过太阳能,风能和其他可再生能源解决方案减少近400万吨二氧化碳的排放,相当于约100万辆汽车停驶一年。 苹果昨天晚上通过新闻稿宣布,已超越 2 千兆瓦清洁能源生产目标,加快步伐助推中国的绿色经济转型。 此举每年可通过太阳能,风能和其他可再生能源解决方案减少近 400 万吨二氧化碳的排放,相当于约 100 万辆汽车停驶一年。 2019 年,苹果及其在中国的供应链企业共同承诺直接投资近 3 亿美元用于发展可再生能源项目,目前该计划也取得进展:这些资金将于明年年底之前得到充分利用,支持一系列项目,有望再增 1 千兆瓦可再生能源。 “Apple 致力于引领保护地球的行动,应对气候变化并保护我们所有人的共享资源,” Apple 副总裁、大中华区董事总经理葛越表示。“与本地的合作伙伴携手,我们正在帮助保护中国的绿水青山,造福子孙后代。” 自2020年7月以来,中国已有15家供应商加入了 Apple 的供应商清洁能源计划。 苹果的供应商之一,昆山科森科技有限公司目前已有6个光伏发电项目竣工,并网发电,累计装机容量约10兆瓦。实施这6个项目除了能为环保处理,也获得了一定经济回报。 今天早些时候,苹果CEO库克发微博称,苹果致力于保护地球的行动,助推绿色经济转型。为此我们加快了推进可再生能源的努力,在中国已达到并超越我们2千兆瓦清洁能源生产目标,相当于约100万辆汽车停驶一年。我们将继续这项紧急工作,以保护我们共享的资源。 库克的这条微博也是引来了不少网友的围观和点赞,同时也有网友调侃称,这才是真环保,取消充电器根本没用。 Apple 做出的承诺,作为其中的一部分,Apple 今天宣布其全球设施采用 100% 清洁能源供电。落实这一承诺的场所设施包括:位于美国、英国、中国和印度等 43 个国家或地区的零售店、办公室、数据中心和多方场所设施。公司还宣布,新增了九个制造合作伙伴,承诺以 100% 清洁能源为其所有 Apple 产品制造设施供电,使做出承诺的供应商总数达到 23 家。 “我们承诺,让世界变得更美好。经过持之以恒的努力,我们取得的这一重大成果让我们倍感自豪,”Apple 首席执行官 Tim Cook 表示,“在产品所用材料、回收它们的方式、我们的场所设施以及与供应商的合作方面,我们将不断突破边界、开辟新的可能,开发新的富有创意且具有前瞻性的可再生能源来源,因为我们深知,这是未来发展的基石。” 为使自身的场所设施实现 100% 采用可再生能源,公司努力以身作则。Apple 今天还宣布,现有 23 家供应商承诺以 100% 可再生能源运营,其中包括 9 家新供应商。总的来说,在 2017 年,供应商清洁能源项目帮助避免了超过 150 万公吨的温室气体排放量,相当于让超过 300,000 辆汽车停驶。此外,超过 85 家供应商注册了 Apple 的 Clean Energy Portal,Apple 开发这个在线平台是为了帮助供应商在全球各个地区,找出具有商业可行性的可再生能源解决方案。 自2020年7月以来,中国已有15家供应商加入了 Apple 的供应商清洁能源计划。 苹果的供应商之一,昆山科森科技有限公司目前已有6个光伏发电项目竣工,并网发电,累计装机容量约10兆瓦。实施这6个项目除了能为环保处理,也获得了一定经济回报。这项新承诺意味着到2030年,每一部售出的苹果设备对气候的影响都将降至净零。 自该公告发布以来, 他们已大幅增加了向可再生能源转型的供应商数量。目前,苹果公司在全球的业务运营已实现碳中和。他们还在近期宣布了47亿美元绿色债券,用于支持全球各地环境项目的具体细节。 现在,苹果公司不仅自身已经使用100%可再生能源运营了近3年,也一直致力于帮助其供应商实现可再生能源的目标。 真正的有担当愿意负责任的公司,会想方设法为世界作出负责的事情, 至少会尽力的向这方面努力。中国不缺少大公司和赚钱的公司,有没有负责任的公司呢?说说你的看法吧。

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  • 华为公开“石墨烯场效应晶体管”专利:石墨烯成电子器件原料?

    华为公开“石墨烯场效应晶体管”专利:石墨烯成电子器件原料?

    由于石墨烯具有高迁移率的特性,业界已经开始将石墨烯应用于半导体器件的制作。目前石墨烯晶体管的制造方法一般是采用液相涂膜或转移的方法将石墨烯薄膜形成于玻璃衬底上。然而,此方法的缺点在于,石墨烯薄膜与玻璃衬底之间的接口经常会发生污染,从而严重影响石墨烯晶体管的性能。此外,目前石墨烯晶体管的制造方法由于操作繁复、成本较高、产率也较低,因此难以满足大规模应用的需求。有鉴于此,目前有需要发展一种改良的石墨烯晶体管的制造方法。 “石墨烯场效应晶体管传感器”是复旦大学研究员魏大程团队开发的一种基于内剪切反应的传感器 。2019年4月,相关研究成果以《基于内剪切反应的石墨烯场效应晶体管自由基传感器》为题在线发表于《自然·通讯》。 2019年4月,复旦大学高分子科学系、聚合物分子工程国家重点实验室研究员魏大程课题组在场效应晶体管传感器领域取得重要进展。他们开发出一种基于内剪切反应的石墨烯场效应晶体管传感器,实现了对羟基自由基的检测。 在传感器中,石墨烯作为导电沟道。检测过程中,羟基自由基与Au-S键发生氧化剪切反应,从石墨烯表面释放带电金属离子,引起石墨烯沟道的电流变化,从而间接实现对羟基自由基的检测。 该传感器对羟基自由基具有良好的选择性,最低检测浓度达到十亿分之一摩尔 。场效应晶体管传感器不需要标记,具有高灵敏度、低成本、微型便携、实时检测等优势,是一种潜力巨大的传感技术,被广泛应用于检测金属离子、DNA、蛋白质、有机小分子等。 企查查 App 显示,近日,华为技术有限公司公开 “石墨烯场效应晶体管”专利,公开号为 CN110323266B。 了解到,专利摘要显示,该申请提供一种石墨烯场效应晶体管,涉及半导体技术领域,可提高器件输出电阻,从而提高开关比,实现更好的射频性能。一种石墨烯场效应晶体管,包括:衬底、第一栅电极、第二栅电极、第一栅介质层、第二栅介质层、沟道层以及源电极和漏电极。 此外,沟道层的材料包括 AB 堆垛双层石墨烯或者 AB 堆垛多层石墨烯;第一栅电极和第一栅介质层设置于沟道层的一侧,第二栅电极和第二栅介质层设置于沟道层的另一侧;第一栅电极包括多个间隔设置的第一子电极以及第一连接子电极;第一子电极的延伸方向与源电极和漏电极的间距方向交叉,第一连接子电极与沟道层在衬底上的投影无交叠;第一子电极和第二栅电极用于向沟道层提供垂直于沟道层的纵向电场。 石墨烯是一种六方点阵蜂窝状结构的二维( 2D) 材料,由sp2杂化碳原子相互连接构成。目前,应用较为广泛的制备石墨烯方法主要有: 机械剥离法、Hummers 法( 制备石墨烯的化学氧化-还原法) 、化学气相沉积法( CVD) 和外延生长法等。机械剥离法制备的石墨烯完整度较高,但是操作复杂,可控性低,成本较高且效率低下,实际生产中很少被采用; 化学氧化-还原法操作简单,可以制备大规模石墨烯,被广泛用于石墨烯复合材料制备,但氧化石墨烯表面的含氧官能团不能完全被还原,易出现结构缺陷,空洞等破坏石墨烯共轭大π 键,影响石墨烯的导电性能; CVD 法制备的石墨烯完整度很高,在精细加工领域,比如集成电路方面,可以充分发挥其优势,但由于其在金属层上沉积,需要腐蚀掉金属层才能得到石墨烯,成本较高; 外延生长法得到的石墨烯,难转移、不能精确控制石墨烯厚度,很难得到大尺寸、高均匀性的石墨烯,原料碳化硅又十分昂贵,不适合一次性制得大量的石墨烯。 由于石墨烯优异的导电、导热性能、光学性能及机械性能,使其成为集成电路、场效应晶体管、光电器件及传感器的热门材料,本文综述了近年来石墨烯电子器件的研究进展。 2019年中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家研究中心首次制备出以肖特基结作为发射结的垂直结构晶体管“硅—石墨烯—锗晶体管”,成功将石墨烯基区晶体管的延迟时间缩短了1000倍以上,能使电子部件信号的传递和处理速度极大降低。未来将有望在太赫兹(THz)领域的高速器件中应用。 分析人士称一旦石墨烯晶体管投入市场,意味着我国半导体行业将得到极大的发展。此外,在上海举行的国际石墨烯创新大会上,中国中科院就向世界展示了最新研制的8英寸石墨烯单晶晶圆。碳基芯片相比硅基芯片具有高硬度、高导热性以及高导电性等独特的优势特性。华为公开的这项专利将有助于打破美国等对半导体行业的垄断。 石墨烯具有较大比表面积,可以负载较多分析的分子,提供更多活性位点,同时石墨烯极好的电子传输能力、对外部环境敏感性、对多种氧化还原反应具有电催化活性及化学稳定性等优势,使其在化学传感器领域拥有巨大潜力。 石墨烯电子器件的关键问题在于石墨烯结构及层数的精准控制,利用化学沉积法制备石墨烯的工艺价格昂贵,无法规模化生产; 外延生长法制备的石墨烯层数无法准确控制; 机械剥离法效率低价格高;Hummer 法制备石墨烯结构受到破坏。因此,找到一种价格低廉,制备高品质石墨烯的方法势在必行。随着研究的不断深入和技术的进步,相信不久之后这些问题就会解决,石墨烯会成为电子器件家族的重要一员。

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