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强打28纳米 联电Q2稼动率达8成
联电（2303）昨日召开法说会，尽管联电今年还是40纳米制程为主力，28纳米制程年底拚个位数百分点，联电认为，28纳米将是强劲且生命周期很长的制程，20纳米制程不会成为主流，联电将在28纳米之后直攻14纳米，预计2015
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联华电子公布2013 年第一季财务报告
预期第二季晶圆齣货季成长双位数，40nm营收到达二成联华电子股份有限公司8日公佈首次以TIFRSs為编製基础之2013年第一季财务报告，营业收入為新檯币277.8亿元。本季毛利率為16.2%?营业净利率為1.1%?归属母公司净利為新
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电容传感器在使用中存在的几个问题及处理方法
电容传感器是将被测的非电量的变化转换为电容量变化的一种传感器，它不仅能测量荷重、位移、振动、角度、加速度等机械量，还能测量液面、料面、成分含量等热工参量。这种传感器具有高阻抗、小功率、动态范围大、动态
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Silicon Labs数字隔离解决方案提升电机控制的长期可靠性
21ic讯 Silicon Labs (芯科实验室有限公司)日前宣布推出业界首款基于CMOS工艺的数字解决方案，可直接替换光电耦合隔离式栅极驱动器(简称光电耦合驱动器)。新型Si826x隔离式栅极驱动器支持高达5kV隔离等级和10kV浪涌保
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韩研究人员成功研发可弯曲半导体
据韩联社的消息，韩国科学技术院(KAIST)7日表示，韩国科学技术院新材料学科教授李健载率领的研究小组近期研发出了可弯曲面板的核心部件——可弯曲的高韧性半导体(LSI)。这种半导体可以应用在手机应用处理器
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英飞凌发布2013财年第二季度财报
英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)近日发布了2013财年第二季度(截至2013年3月31日)的财务数据。英飞凌科技股份公司首席执行官 Reinhard Ploss博士称：“上一季度，公司营收和利润率出现了喜
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为MEMS产业打造测量标准
随着微机电系统(MEMS)快速拓展在消费产业中的应用，标準的MEMS元件测量方法有助提高MEMS元件测试效率，减少成本和测试时间，并促进不同製造商之间的产品互通性。美国国家标準与技术研究院(NIST)稍早前推出新的测量工
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联电：20nm不会成主流，28nm后直接跳14nm
联电(2303)今(8日)召开法说会，关于外界关注的先进制程进度，即使28奈米之路仍颠簸，而老大哥台积电(2330)20奈米制程量产在即，但联电执行长颜博文(见附图)仍表示，他认为28奈米制程会是一个「强劲、且生命周期长」(
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《半导体》Q2大啖通讯财，封测厂搭台股顺风车
受惠于通讯芯片需求在第二季稳步回温，不仅封测双雄日月光(2311)、矽品(2325)4月业绩开红，京元电(2449)营运也逐步攀升。展望后市，随着本季通讯芯片市况持续增温，将推升封测厂营运同步走扬。 日月光4月IC封测与材
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强打28纳米 联电Q2稼动率达8成
联电（2303）昨日召开法说会，尽管联电今年还是40纳米制程为主力，28纳米制程年底拚个位数百分点，联电认为，28纳米将是强劲且生命周期很长的制程，20纳米制程不会成为主流，联电将在28纳米之后直攻14纳米，预计2015
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爱德万为飞思卡尔导入测试机台 跨足MEMS测试市场
爱德万测试(Advantest)宣布已在飞思卡尔全球数个据点导入 V93000 Smart Scale 系统，此举并意味着爱德万测试成功跨入高成长的微机电系统 (MEMS) 感测器测试市场。飞思卡尔除了在美国亚利桑那州坦佩市感测器与致动器解
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ADI针对助听设计推出小型化MEMS麦克风
美商亚德诺公司(Analog Devices, Inc.；ADI)日前推出一款专门针对助听应用而开发的高性能 MEMS 麦克风 ADMP801 。与驻极体电容器麦克风(ECM)等传统解决方案相较， ADMP801 不仅在尺寸上更小(仅7.3立方厘米)，而且性能
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Cadence与GLOBALFOUNDRIES携手改善20/14奈米DFM流程
益华电脑(Cadence Design Systems)宣布，晶圆代工业者格罗方德半导体(GLOBALFOUNDRIES)与该公司合作，为 20奈米与 14奈米制程提供样式分析资料。GLOBALFOUNDRIES运用Cadence样式分类(Pattern Classification)与样式比
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益华电脑/格罗方德合作改善20/14奈米制程
益华电脑宣布，格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)与益华电脑合作，为20与14奈米(nm)制程提供样式分析资料。格罗方德运用益华电脑样式分类(Pattern Classification)与样式比对(Pattern Matching)解决方案，因为使用者能够使可
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三极管的结构与分类
晶体三极管晶体三极管又称半导体三极管，简称晶体管或三极管。在三极管内，有两种载流子：电子与空穴，它们同时参与导电，故晶体三极管又称为双极型晶体三极管，简记为BJT(英文Bipo1ar Junction Transistor的缩写)。
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