• 分析称台积电或成苹果vs三星专利战大赢家

    腾讯科技讯（晁晖）北京时间2月2日消息，据国外媒体报道，野村证券(Nomura Equity Research)分析师帕特里克·廖(Patrick Liao)表示，三星可能成为与苹果专利大战中的双料输家，台积电将成为大赢家。 帕特里克·廖预

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    2013-02-03
    三星 台积电 苹果 元器件

  • 台积20奈米投片，赛灵思抢头香

    可程式逻辑闸阵列（FPGA）大厂赛灵思（Xilinx）日前表示，今年第2季将率先试产20奈米产品，采用台积电20奈米20SoC制程。据了解，台积电20奈米已完成生产前准备作业，并开始进行风险生产及小量试产，除了获赛灵思订单

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    2013-02-02
    元件 FPGA 赛灵思 台积电

  • 台积20纳米投片 赛灵思抢头香

    可程序逻辑闸阵列（FPGA）大厂赛灵思（Xilinx）日前表示，今年第2季将率先试产20纳米产品，采用台积电20纳米20SoC制程。据了解，台积电20纳米已完成生产前准备作业，并开始进行风险生产及小量试产，除了获赛灵思订单

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    2013-02-02
    元件 FPGA 赛灵思 台积电

  • 英飞凌创新的“带线圈的模块”芯片封装技术

    全球领先的支付应用半导体解决方案制造商英飞凌科技股份公司近日推出其适用于双界面银行卡和信用卡的创新“带线圈的模块”芯片封装技术。既可用于接触式应用，又可支持非接触式应用的双界面卡是一股正在全球支付行业

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    2013-02-02
    英飞凌 芯片封装 封装技术 线圈

  • 电容滤波的两个要点

    电容在EMC设计中非常重要，也是我们常用的滤波元件!但在我培训的过程中发现，大家对电容的使用并不是很明确!这里我把电容滤波的两个要点介绍一下：1、电容滤波是有频段的，很多人以为电容是越大越好，其实不然，每个

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    2013-02-01
    频段 电源 电容滤波 谐振频率

  • 电容在电路中的作用

    电容器在电子电路中几乎是不可缺少的储能元件，它具有隔断直流、连通交流、阻止低频的特性。广泛应用在耦合、隔直、旁路、滤波、调谐、能量转换和自动控制等电路中。熟悉电容器在不同电路中的名称意义，有助于我们读

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    2013-02-01
    电容 电路 串联 交流信号

  • 单片机晶振上两个电容的作用

    这两个电容叫晶振的负载电容，分别接在晶振的两个脚上和对地的电容，一般在几十皮发。它会影响到晶振的谐振频率和输出幅度，一般订购晶振时候供货方会问你负载电容是多少。晶振的负载电容=[(Cd*Cg)/(Cd+Cg)]+Cic+△C

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    2013-02-01
    电容 单片机 引脚 晶振

  • 简谈电容使用的误区

    1.电容容量越大越好?很多人在电容的替换中往往爱用大容量的电容。我们知道虽然电容越大，为IC提供的电流补偿的能力越强。且不说电容容量的增大带来的体积变大，增加成本 的同时还影响空气流动和散热。关键在于电容上

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    2013-02-01
    电容 电流 回路 阻抗

  • 定性判断场效应管、三极管的好坏

    定性判断场效应管、三极管的好坏一、定性判断场效应管的好坏先用万用表R×10kΩ挡(内置有15V电池)，把负表笔(黑)接栅极(G)，正表笔(红)接源极(S)。给栅、源极之间充电，此时万用表指针有轻微偏转。再改用万

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    2013-02-01
    管脚 万用表 三极管 场效应管

  • 测判三极管的口诀

    三极管的管型及管脚的判别是电子技术初学者的一项基本功，为了帮助读者迅速掌握测判方法，笔者总结出四句口诀：“三颠倒，找基极;PN结，定管型;顺箭头，偏转大;测不准，动嘴巴。”下面让我们逐句进行解释吧

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    2013-02-01
    电流 三极管 发射极 集电极

  • 三极管基础知识

    晶体三极管的结构和类型晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧

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    2013-02-01
    电压 电流 基础知识 三极管

  • 怎样快速确定三极管工作状态

    三极管有放大、饱和、截止三种工作状态，放大电路中的三极管是否处于放大状态或处于何种工作状态，对于学生是一个难点。笔者在长期的教学实践中发现，只要深刻理解三极管三种工作状态的特点，分析电路中三极管处于何

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    2013-02-01
    信号 放大电路 三极管 BETA

  • 三极管的检测方法与经验

    1?中、小功率三极管的检测A?已知型号和管脚排列的三极管，可按下述方法来判断其性能好坏(a)?测量极间电阻。将万用表置于R×100或R×1k挡，按照红、黑表笔的六种不同接法进行测试。其中，发射结和集电结

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    2013-02-01
    万用表 三极管 检测方法 TIMES

  • 三极管的饱和条件

    1.在实际工作中，常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。根据Ib*β=V/R算出的Ib值，只是使晶体管进入了初始饱和状态，实际上应该取该值的数倍以上，才能达到真正的饱和;倍数越大，饱和程度就越深。2.集电极电

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    2013-02-01
    电流 三极管 BETA IC

  • IC Insights：中国IC市场将保持13%的增长率持续扩张

    市场研究机构IC Insights的最新预测报告指出，中国IC市场可望在2012~2017年之间，以13%的复合年平均成长率(CARG)持续扩张，报告同时指出，中国IC市场持续扩张的背后，主要依靠来自外国制造商在中国地区的大规模投资建

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    2013-02-01
    晶片 晶圆厂 IC INSIGHT
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