Nvidia日前宣布,暂时停止为英特尔新处理器开发芯片组,直至双方之间的授权纠纷得以解决。 Nvidia在一份声明中称:“英特尔面向消费者和市场错误地声称我们并未获得新的DMI总线授权,使我们无法继续为英特尔未来的处
2009年NAND Flash缺货缺翻天,三星电子(Samsung Electronics)在享有最大获利之余,不但对饱受缺货之苦的存储器模块厂袖手旁观,还要推出「SAMSUNG」自有品牌记忆卡产品来抢食客户饭碗,到底葫芦里是卖什么药?业界相
分区存储管理是满足多道程序设计的最简单的存储管理方法。本文首先分析了嵌入式RTOS中动态分区内存管理机制的实现方法,并在此基础上结合动态分区机制提出了一种小块内存动态缓存分配机制,有效地弥补了动态分区内存管理的不足之处,减少了内存中外部碎片的数量并提高了内存的利用率及分配的实时性,对嵌入式RTOS内核的设计有一定指导意义。
1. 引言 本文设计的50MHz/250W 功率放大器采用美国APT公司生产的推挽式射频功率MOSFET管ARF448A/B进行设计。APT公司在其生产的射频功率MOSFET的内部结构和封装形式上都进行了优化设计,使之更适用于射频功率放大器
科胜讯系统公司推出新型视频“帧捕获器”参考设计,帮助用户通过一个集成的通用串行总线接口(USB)捕捉和传送来自摄像机和 VCR的采用旧技术的模拟视频文件到个人电脑。这将有助于用户在因特网上更轻松地数字化、编辑
Maxim推出采用2mm x 2mm µDFN封装的快速采样/保持电路DS1843。该器件可以通过其差分输入在低于300ns时间内采集信号,并在输出端保持长达100µs。低输入失调电压(约5mV)保证了精确的测量。DS1843包含差分、
XE1201是XEMICS公司生产的RFIC,它集无线电发射与接收功能于一身,并具有外用元件少,功率损耗低等特点,可使用3线总线接口来选择发射、接收与待机三种传输状态。文中介绍了XE1201的引脚功能、工作原理、外部元件的选择及其相关的匹配网络电路,最后给出了它的典型应用电路。
高功率器件采用TO-277A封装,具有6.8V~43V的击穿电压和10.5V~61.9V的钳位能力 Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新系列1500W表面贴装车用瞬态电压抑制二极管(TVS) --- TPC系列,器件的厚度为业界最薄
中国铁路建设热潮给半导体与元器件厂商带来了千载难逢的发展机会,除了DSP、电力电子器件等主要核心器件供应商外,电量传感器厂商也从中收益颇丰。“莱姆集团(LEM)是全球电量传感器行业的领导者,我们在全球铁路
近期在美国亚特兰大举办的CEDIA Expo 2009上,Diodes公司的多通道DAC及数字前置放大器Zetex ZXCZM800在世界首次THX "Big Room"音频概念演示中起到了举足轻重的作用。Big Room是THX公司全新的产品设计和经过认证的概念
据报道,联电近日表示,他们在新加坡的Fab 12i晶圆厂已经开始启动扩产计划进行45/40nm工艺生产,联电的此次扩产计划也是为满足客户对先进制程技术的需求。Fab 12i晶圆厂是联电的首个300mm晶圆厂,于2002年4月完工,并
据台湾媒体报道,业内人士预计,由于台积电看好明年IDM(集成器件制造)厂扩大委托代工,台积电月底可能将再度调升今年资本支出预算至25亿~30亿美元以上。台积电花钱扩产不手软,由于看好明年IDM厂扩大委托代工,及65纳
据报道,联电近日公布了9月份的财政收入报告,联电9月份总收入2.96亿美元,创下了自2007年以来的月收入新高。与此同时,联电的季度收入也在逐步增加,并朝着同比增长的趋势发展。联电9月份总收入同比去年增长了18.41
style=" padding-left:8px; padding-right:8px; margin-top:5px; line-height: 24px; clear:both;">德州仪器(TI)宣布启用位于德州Richardson的晶圆制造厂,并预计于十月份将设备迁入厂内。该晶圆厂为美国绿建筑协会(
USB是近年来在计算机领域日益流行的一种总线形式。在数据采集领域,基于FPGA和USB2.0的数据采集系统不但具有速度快、易扩展等特点,而且凭借即插即用的功能,适用于更广泛的应用场合。本文介绍了数据采集与传输系统的工作原理。硬件部分,给出了各模块的内部结构设计,以及FPGA内部各个功能模块的设计思路和具体实现过程;软件部分,给出了系统的软件结构,以及固件程序流程。