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联电新加坡Fab 12i扩产 将布建45/40奈米制程
晶圆代工大厂联华电子(UMC，联电)宣布，为扩大产能并进行45/40奈米制程生产，该公司位于新加坡之生产基地Fab 12i已启动积极之扩产计划，将能针对客户在先进制程方面日益增多的需求提供更好的服务，并且能扩大先进制程
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传台积电明年测试450mm晶圆生产设备
据报道，来自业界的消息称，台积电将在明年开始测试用于450mm晶圆生产的相关设备，台积电先前的计划是在2012年进行450mm晶圆的试验性生产。DigiTimes网站报道称，台积电维持原计划将在2012年进行试验性生产450mm晶圆
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台积电第三季度营收899亿新台币 环比上升21%
全球第三大芯片代工商台积电(TSMC)表示由于芯片需求上升，该公司第三季度营收比第二季度增长五分之一，达到了该公司自己的预期。业内普遍预测台积电与联电(UMC)第四季度营收将比第三季度略有下滑，同时新台币升值也将
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联电计划将旗下新加坡Fab12i工厂转向40/45nm制程
最近，台湾联电(UMC)公司宣布将利用为其新加坡12英寸芯片厂Fab12i提升产能的机会，将这家工厂的制程转向40/45nm.尽管联电今年的销售 额比去年同期略有下降，但该公司今年的表现相对来说还算不错。上个月，联电的营收
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Gartner：芯片市场今年不可能扭转局面
据市场研究公司Gartner日前发表的研究报告称，半导体市场今年不可能扭转局面，尽管厂商成功地减少了积压产品。芯片产品在过去的四个季度已经达到了严重的水平。 Gartner称，其Dataquest半导体存货指数连续第三个季
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2009年测试测量设备采购指南
2009年采购指南，覆盖超过60种产品和服务类别，细分为五大类及16个子分类，并提供相应分类中设备供应商的具体信息。使用我们的采购指南，将能帮助您更快更准确的找到您所需产品和其供应商。通用测试仪器Instrumentat
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Air Liquide将为中芯国际深圳晶圆厂长期供气
style=" padding-left:8px; padding-right:8px; margin-top:5px; line-height: 24px; clear:both;">中芯国际选择了Air Liquide作为长期气体供应商，为其2010年初投产的深圳200mm和300mm晶圆厂供应气体。Air Liquide将
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台积电、日月光合定全球首份“IC产品类别规则”
台积电(TSMC)与日月光(ASE)宣布，已共同合作完成制定全球第一份“集成电路产品类别规则(IntegratedCircuitProductCategoryRule，ICPCR)”。此份ICPCR系依循ISO14025国际标准，针对半导体制程特性，整合国内外大厂意见
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显卡芯片业务对AMD很重要
近日《福布斯》文章指出，AMD与英特尔之间的竞争异常惨烈，实际上，这个惨烈的程度之高很容易让人忘记英特尔并非AMD唯一的竞争对手。 自从2006年收购显卡芯片厂商ATI之后，AMD就陷入了与专业显卡芯片厂商Nvidia的竞
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采用0.18µm CMOS设计用于2.5Gb/s收发器系统的16:1复用器电路
本文采用0.18µm CMOS工艺设计了用于2.5Gb/s收发器系统的16:1复用器电路。该电路采用数模混合的方法进行设计，第一级用数字电路实现16:4的复用，第二级用模拟电路实现4:1的复用，从而实现16:1的复用器。该电路采用SMIC 0.18µm工艺模型，使用Virtuoso AMS Simulator 工具进行了仿真。仿真结果表明，当电源电压为1.8V，温度范围为0～70℃时，电路可以工作在2.5b/s，功耗约为6mW。
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温度自适应性DRAM刷新时钟电路
动态存储器(DRAM)需要通过刷新来保持内部的数据。为降低存储器刷新过程的电路功耗，设计一种具有温度自适应特性的刷新控制电路。根据二极管的电流在阈值电压附近的温度特性，利用电容充放电的结构，提出一种具有温度自适应特性的刷新时钟电路，使存储器刷新频率随电路温度变化而变化，其趋势符合动态存储器的刷新要求。仿真实验结果表明，新的电路在保证DRAM信息得到及时刷新的前提下，有效地降低了其刷新过程中的功耗。
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火车站信号自动语音播报系统的设计
介绍一种铁路信号自动语音播报系统的硬件电路设计和软件编程方案。详述了基于ISD4004芯片设计的单片机控制系统，对铁路信号进行采集、识别，实现了信号室控制台信息的语音自动播报，消除了控制台电铃提示噪音，降低了值班员的劳动强度，改善工作环境，提高了反违章操作的警示作用。设计的样机经现场安装使用，系统运行稳定，信号播报准确、可靠，具有一定的推广使用价值。
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科学家开发出一种可转换为半导体的高导性碳纳米管
据英国皇家化学学会网站18日报道，美国科学家开发出一种简单、可行的碳纳米管混合物的净化方式。其可借助紫外线和空气中的氧生成净化的半导性纳米管，这对发展下一代计算机芯片具有非凡价值。相关文章发表于近期的《
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具有成熟的可靠性的新型高精度扁平片式电阻（Vishay）
器件采用薄膜技术，具有低至±0.05％的容限，TCR低至±5ppm/K，外壳尺寸分别为0603、0805和1206 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型TNPU e3系列高精度薄膜扁平片式电阻，外壳尺寸分别为0603、0805和1206。
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美国家半导体公司CEO计划下月底退休 COO接任
北京时间10月10日消息 据国外网站报道，美国国家半导体公司在提交给监管机构的文件中称，公司首席执行官（CEO）布赖恩·哈拉（Brian Halla）计划在11月底退休，接替他的是公司首席运营官（COO）唐纳德·麦克列奥德（
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