宾夕法尼亚、MALVERN — 2017年9月21日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款表面贴装TMBS® Trench MOS势垒肖特基整流器系列,该器件采用eSMP®系列的SlimDPAK(TO-252AE)封装。Vishay General Semiconductor整流器比其它的DPAK(TO-252AA)封装的器件更薄,而散热性能更好,反向电压可以从45V到150V,正向导通压降低,电流等级高。
本文设计了一种可工作在433.00-434.79MHz,中心频率为433.00MHz,输出功率可调的无线数传模块。模块采用STM32F103RB单片机和射频芯片CC1101设计,利用EDA软件ADS2008仿真优化了射频电路的输出匹配网络。最后对无线模块输出功率,通信距离等参数进行了测试和验证。
台积电推进先进制程马不停蹄,7纳米将接续10纳米于明年下半年大量产出,抢得技术领先之优势。合作伙伴IP厂商新思科技宣布成功完成台积公司7纳米FinFET制程IP组合的投片。
2017年9月19日,“英特尔精尖制造日”活动在北京举行。本次活动云集了英特尔制程、制造方面最权威的专家团,包括公司执行副总裁兼制造、运营与销售集团总裁Stacy Smith,高级院士、技术与制造事业部制程架构与集成总监Mark Bohr,公司技术与制造事业部副总裁、晶圆代工业务联席总经理Zane Ball,并了主题演讲。
特瑞仕半导体株式会社(日本东京都中央区 董事总经理:芝宫 孝司 第二东京证券交易所:6616)研发了配备独自的高速瞬态响应控制HiSAT-COT的3.0A同步整流降压DC/DC转换器XC9274/XC9275系列。
ISL8215M提供高功率密度和效率,可简化工业、医疗和通信设备的设计
今天举行,展示了英特尔制程工艺的多项重要进展,包括:英特尔10纳米制程功耗和性能的最新细节,英特尔首款10纳米FPGA的计划,并宣布了业内首款面向数据中心应用的64层3D NAND产品已实现商用并出货。
据路透社报道,高通CEO Steven Mollenkopf表示,2019年将是首款满足5G标准的手机推出的时间,这将比预测的要早一年。
据报道,韩国三星电子挑战台积电的晶圆代工龙头地位,宣示在全球晶圆代工市场的占有率,要从2016年的7.9%,在5年后跃升至25%。
届时他们制造一类似CCIX的测试芯片。
有消息称,NVIDIA有意推出GTX 1070 Ti新品显卡。
芯片的制造工艺这么多年一直都在稳步进步。从28nm到22nm,16nm,14nm等。最近有消息称台积电正在测试7nm制造工艺,预计于2018年上半年实现大规模量产,当前已经吸引不少公司的注意。
台积电今天宣布,计划联合ARM、Xilinx、Cadence,共同打造全球首个基于7nm工艺的芯片。
联发科公布5月份应收报表,业绩延续上半年一贯走势:继续下滑,且下滑比令人震惊,达到了25%。一度是安卓机宠儿的联发科真的一去不复返了?10nm之后联发科在高端手机芯片市场可能就要沦为小众了,逐渐淡出人们的视野。
北京时间12日凌晨1时许,苹果公司发布新品,位于美国加州·库比蒂诺市的新苹果总部大楼Apple Park,人潮涌动。记者在等候了两个小时之后,终于进入发布会现场。