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[导读]介绍非易失性铁电存储器FM25H20的性能特点,内部结构和工作原理;给出单片机与FM25H20的写操作接口电路图,以及FM25I-t20的写操作流程图。归纳出任何一款8位数据总线宽度用于计算机系统时使用FM25H20的方法.从而实现大容量存储系统的扩展。

1 引言
    铁电存储器(FRAM)具有擦写次数多,读写速度快,抗干扰强,功耗低,读写无限次,数据不丢失等优点,已广泛应用于仪器仪表、航空航天、工业控制系统、网络设备、自动取款机等领域。美国Ramtron公司铁电存储器的核心技术是采用铁电晶体材料。这一特殊材料使铁电存储器同时拥有随机存取记忆体(RAM)和非易失性存储器特性。与EEPROM和Flash非易失性存储器相比,FRAM在单片容量、单元密度、写入速度、擦除速度、功耗、成本等方面具有更大的优势,因此,FRAM是大容量、高密度数据存储的理想方案。


2 FM25H20简介
    FM25H20是美国Ramton公司的2 MB串行非易失性的FRAM,其工作电压为2.7~3.6 V,采用先进的130 nm CMOS工艺,8引脚TDFN封装,具有256 KBx8位存储结构,总线读写速度高达40 MHz,无限次读写和低工作电流,并具有10年数据保存能力。此外,FM25H20还包含一个工业标准SPI接口,优化FRAM高速写入能力。并具有硬件和软件写保护功能。防止意外写入和数据破坏。该串行FRAM具有低工作电流,在40 MHz读写速度下,工作电流小于10 mA,待机时为80μA。FM25H20与其他同类串行Flash存储器引脚兼容,但性能远优于Flash存储器。


3 FM25H20的工作原理
3.1 存储器结构
    FM25H20是由存储阵列、数据输入输出缓冲和锁存、命令寄存器、非易失性数据寄存器、地址锁存与译码、指令译码、时钟信号发生器、控制逻辑、写保护等模块构成。其内部结构如图l所示。外部电路通过8位I/O端口分时访问FM25H20的命令寄存器、地址寄存器和数据寄存器,完成对其内部存储器的访问。

3.2 SPI工作方式
    FM25H20是串行FRAM,其内部存储结构为256 KB×8位,地址范围为00000H~3FFFFH,采用24位寻址方式。FM25H20寻址遵循SPI协议,该协议包括片选S,操作码C和2字节地址D。FM25H20支持SPI工作方式0和工作方式3。使用时,在S信号的下降沿时,根据时钟总线和数据总线的状态确定FM25H20的工作方式。SPI工作方式O和工作方式3的时序图分别如图2和图3所示。

3.3 操作指令
    FM25H20的SPI协议由操作指令控制。当片选信号S有效时(S=0),FM25H20操作指令的第一个字节为命令字,紧接其后的是1l位有效地址和传输数据。FM25H20操作指令共有7条,分为3类如表1所示。其中,第一类指令为不接任何操作数,用于完成某一特定功能。包括WREN和WRDI指令;第二类指令为接一个字节.用于对状态寄存器的操作,包括RDSR和WRSR指令;第三类指令可对存储器进行读写操作,该类指令后紧接存储器地址和一个或多个地址数据,包括READ和WRITE指令。所有的指令,其地址和数据都是以MSB(最高有效位)在前的方式传输。

3.4 状态寄存器和写保护
    FM25H20具有硬件和软件双重写保护功能。首先,在写操作之前,必须先用WREN指令对写使能锁存器置位;其次,在写操作允许的情况下.设置状态寄存器,使WPEN位置l并且使W引脚为低电平。FM25H20的状态寄存器格式如表2所列。其中,bitO,bit4,bit5恒为0,bit6为l'bit7、bit3和bit2为写保护控制位;bitl是写使能锁存器状态位;bit3和bit2为存储器存储区间(块)的写保护位。

3.5 写操作
    FM25H20写操作先发送WREN指令,再发送WRITE指令。WRITE指令后接3个字节的地址,这24位地址中的高6位为任意码,低18位地址为要写入的首字节数据的有效地址,该地址后面为要写入的数据。若输人的数据大于1个,那么第一个数据后的数据存储地址由FM25H20内部依次增加给出。当地址达到3FFFFH时,地址计数器置为00000H,输入数据是以最高有效位(MSB)在前,最低有效位(LSB)在后的顺序传输的。
3.6 读操作
   
在S信号下降沿发送READ指令,在READ指令后紧接发送3个字节的地址。当发送完指令和地址后,可忽略数据线操作。数据总线等待8个时钟信号,依次读取数据。当地址达到3FFFFH时,地址计数器置为00000H,输入数据是以MSB在前,LSB在后的顺序传输的。

4 FM25H20的典型应用
4.1 FM25H20与通用单片机的连接

    AT89S52是一款低功耗、8位高性能CMOS单片机,片内含8 K字节ISP的可反复擦写l 000次的Flash只读程序存储器。该器件采用高密度,非易失性存储技术.兼容标准MCS一5l指令系统及80C5l引脚结构。内部集成有通用8位中央处理器和ISP Flash存储单元。图4给出AT89S52与FM25H20的接口电路图。

    AT89S52对FM25H20的写操作流程图如图5所示。该项流程图适用于一般单片机对FM25H20的写操作.FM25H20存储数据的首址是10000H,所以可在FM25H20的10000H~3FFFFH地址范围内存储控制系统的重要参数.而将00000H~0FFFFH地址留给用户。FM25H20数据首址可根据具体应用进行修改。

4.2 FM25H20与带SPI总线的单片机的连接
   
ATmegal69V是基于增强的AVR RISC结构的低功耗8位CMOS微控制器。该器件片内含有3个模式灵活的定时器,计数器(T/C)、片内/外中断,可编程串行USART、具有起始条件检测器的通用串行接口、8路10位A/D转换器、具有片内振荡器的可编程看门狗定时器、SPI串行端口、16 K字节的系统内可编程Flash、512字节EEPROM、l K字节SRAM等。ATmegal69V和F。M25H20可通过SPI总线传输数据和控制命令。其接口电路如图6所示。

5 结语
   
介绍了FM25H20型FRAM的主要特性和使用方法,给出了单片机与FM25H20的接口电路图和对FM25H20的写操作流程图,归纳出任何一款8位数据总线宽度在计算机系统使用FM25H20的方法。由于铁电存储器在数据存储方面的出色性能,因此,它可应用于如水表,电表,煤气表,门禁系统,医疗设备,自动取款机,汽车记录仪,电子仪器等仪器仪表中。随着技术发展,铁电存储器具有良好的应用前景。

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