实际应用的DDR时序
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接下来我们会一步步地生成输入偏移约束，以便读者容易理解。图1描述了上升数据的时序，假定周期参数为5ns，占空比50％，所以半周期就是2.5ns。可以看到数据有效窗口只有2ns，因为相邻数据有250ps的边界。请留意时钟上升沿和数据有效开始时间的关系。
图1 实际应用的DDR时序示意
可以看到图1中数据在灰色的时钟捕捉沿以后2.5ns才开始有效，所以约束设置是－0.25ns，负值仅仅代表是在时钟沿之后。
接下来是定义数据在上升沿采样时的有效窗口宽度，如图2所示宽度为2ns。
图2 定义有效的数据采样窗口示意
因此对这组寄存器的约束如例子所示。
UCF示例如下：
NET ＂SysClk＂ TNM ＝ SYSCLK＿GRP;
TIMEGRP CLK＿RISING ＝RISING SYSCLK＿GRP;
OFFSET＝IN -0.25ns VALID 2ns BEFORE＂SysClk＂TIMEGRP＂CLK＿RISING＂;
FALLING组的约束如图3所示，与RISINGG组数据的情况类似，数据前后各有250ps的边界。周期是5ns，占空比50％，所以半周期是2.5ns。
图3 下降沿采样的有效数据窗口示意
理论上FALLING组的数据与时钟上升沿的关系是下降沿数据落后时钟上升沿2.75（2.5ns＋0.25ns＝2.75ns）。所以输入偏移约束应该是-2.75ns，如图4和图5所示。
图4 保证数据在时钟下降沿采样参数示意
图5 经过约束后的数据有效窗口示意
再考虑2ns数据有效窗口宽度，对这组寄存器的约束可以这样写：
UCF 示例如下：
NET ＂SysClk＂ TNM ＝ SYSCLK＿GRP；
TIMEGRP CLK＿FALLING ＝FALLING SYSCLK＿GRP；
OFFSET＝IN－2.75ns VALID 2ns BEEORE＂SysClk＂TIMEGRP＂CLK＿FALLING＂；
来源:ks990次
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