智能手机PCB设计规则参考

JTAG,UART测试点务必预留；32K晶体时相关走线尽量左右上下包地，不可以要其它trace穿过32K相关trace；震荡晶体务必放置BB旁边, 越近越好；Vbat电源线务必星形走线，建议分2组A:40mils供给BB的LDO（V DIGITAL ,ANALOG ），80mil 给到RF PA；VBAT_SPK 宽度尽量宽，距离短。至少25mils；SPK Amp 的走线内层包地，宽度尽量宽 , 距离短；LCM电源Bypass 电容请靠近LCM，并确保电源先经过Bypass电容再接到LCM；非Camera走线请勿走在Camera 相关pad的L2层面下, 降低noise-couple的影响；尽可能保持connector旁的GND完整性, 减少表层走线距离；充电线路不要和其它走线平行；Vbat，PWRKEY，SYSRST等务必远离板边。Vbat各路宽度遵守design note 要求；VREF CAP 请尽量靠近IC 并给一个乾净的地；LDO的滤波电容尽量靠近IC Pin并接地良好,(靠近BB input) ；FM GND直接打孔到主地； FM天线trace不能和按键讯号有平行;远离Vbat/DC-DC等电源,CLK和高速数字讯号线(LCM/Camra/USB/Memory/PWM等) ；晶体第一二层的地要keep out，参考第三层的主地；晶体的接地引脚直接打孔到主地，不要接到其他地网络，防止引入干扰；所有RF都要做到50欧姆阻抗匹配；开关的控制逻辑等敏感线路要远离PA的ANT走线；避免CPU下面的地被分割，尤其是第二层的地；VRF的bypass电容都要靠近CPU的引脚处摆放；Camera, LCM和SD卡的时钟和信号线要用地保护好，避免和电源等其他线路平行走线，防止出现干扰；VBAT应该星型走线，PA供电的22uF bypass电容尽可能的靠近PA摆放；memory应该放在远离天线的地方摆放，并且一定加屏蔽罩；天线PAD应尽量放在PCB的四角，PAD周围3mm内不能放元件，5mm内不能放喇叭、电池、麦克风等金属件（到PAD中心距离）；天线PAD下方所有层都不能铺铜及走线，以免造成信号损失；但如果天线PAD离LCM Connector太近则仅在LCM Connector所在层铺铜；ANT到RF匹配之间的走线应尽量短（减少信号损失，避免引入干扰），阻抗应控制在 50ohm, 如果50ohm走线线太细,可以挖掉layer 2直接参考layer3；所有电源pin的bypass cap 靠近pin脚摆放，且都要有独立的GND via打到主地。