安森美推出宽禁带器件：900V和1200V SiC MOSFET

2020年3月11日 — 推动高能效创新的安森美半导体，推出另两个碳化硅(SiC) MOSFET系列，扩展了其宽禁带(WBG)器件系列。 这些新器件适用于各种高要求的高增长应用，包括太阳能逆变器、电动汽车(EV)车载充电、不间断电源(UPS)、服务器电源和EV充电桩，提供的性能水平是硅(Si) MOSFET根本无法实现的。

安森美半导体的新的1200伏(V)和900 V N沟道SiC MOSFET提供比硅更快的开关性能和更高的可靠性。快速本征二极管具有低反向恢复电荷，显著降低损耗，提高工作频率以及整体方案的功率密度。

小芯片尺寸进一步增强高频工作，达至更小的器件电容和更低的门极电荷-Qg(低至220 nC)，从而降低在高频下工作时的开关损耗。这些增强功能比基于Si的MOSFET提高能效，降低电磁干扰(EMI)，并可使用更少(或更小)的无源器件。极强固的SiC MOSFET比Si器件提供更高的浪涌额定值、更好的雪崩能力和更高的抗短路性能，从而提供更高的可靠性和更长的使用寿命，这对高要求的现代电源应用至关重要。较低的正向电压提供无阈值的导通状态特性，减少器件导通时产生的静态损耗。

1200 V器件的额定电流高达103 A(最大ID)，而900 V器件的额定电流高达118 A。对于需要更高电流的应用，安森美半导体的MOSFET可易于并联运行，因其正温系数/不受温度影响。

安森美半导体电源方案部功率MOSFET分部副总裁/总经理Gary Straker针对新的SiC MOSFET器件说：“如果设计工程师要达到现代可再生能源、汽车、IT和电信应用要求的具挑战性的高能效和功率密度目标，他们需要高性能、高可靠性的MOSFET器件。安森美半导体的WBG SiC MOSFET提升性能至超越硅器件所能提供的，包括更低的损耗，更高的工作温度，更快的开关速度，改善的EMI和更高的可靠性。安森美半导体为进一步支援工程界，还提供广泛的资源和工具，简化和加速设计流程。”

安森美半导体的所有SiC MOSFET都不含铅和卤化物，针对汽车应用的器件都符合AEC-Q100车规和生产件批准程序(PPAP)。所有器件都采用行业标准的TO-247或D2PAK封装。