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[导读]电磁加热器,是如今工业领域和民用设备中最广泛的一种加热方式,采用电磁感应加热技术,是国家提倡的一种环保的加热方案。然而也有朋友有疑问:电磁加热器IGBT逆变电路特性及温度保护是什么?今天来介绍一下电磁加热器,首先介绍一下电磁加热器IGBT逆变电路特性。

电磁加热器,是如今工业领域和民用设备中最广泛的一种加热方式,采用电磁感应加热技术,是国家提倡的一种环保的加热方案。然而也有朋友有疑问:电磁加热器IGBT逆变电路特性及温度保护是什么?今天来介绍一下电磁加热器,首先介绍一下电磁加热器IGBT逆变电路特性。

一、电磁加热器IGBT逆变电路特性

IGBT( (nsulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是绝缘栅型场效应管MOS和BJT(双极型三极管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,它不仅有GTR特点:低导通压降,也有MOSFET的特点:高输入阻抗,两方面的优点。 MOSFET的特点:开关速度快,驱动能力小,载流密度小,但导通压降大;GTR的特点:载流密度大,饱和压降低,但驱动电流大。IGBT正是集中了以上两种器件的优点。因此该器件十分适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

要使管导通,则应在此管的栅极G和发射极E之间加上导通电压,这样PNP晶体管的基极B与集电极C之间的阻抗值的大小将变得比较低,晶体管就得以导通;若要使此管截止,切断此管E端的电流,则要在IGBT的发射极和栅极之间加上0V电压。IGBT与场效应管样也是电压控制型半导体器件,而且此晶体管的驱动电流很小,只要在它的G极和E极之间加上十几伏的电压,然后当漏电流流过时就可以驱动,基本上不消耗功率。

当加在IGBT的G端与E端的驱动电压比较低时,则此芯片就不能正常的运作,但当加在芯片上的电压过高超过它的耐压值时,则芯片将被永久性破坏;同理,当加在芯片的C端与E端的电压过高,超过它的耐压幅值时,此时流过芯片C端一E端的电流就将超过允许电流的最大值,芯片工作的温度将超过其允许的温度,芯片也将被永久的破坏。

二、电磁加热器温度保护

温度保护也就是功率模块的过热保护。IGBT工作时的开关损耗会引起器件温度的升高,当温度超过IGBT的允许最高温度时,电子器件的许多性能和参数也会随之改变,甚至温度过高会损坏这些元器件。如果在温度达到最高值之前将其关闭,使元器件的温度不在上升,则就可以起到保护作用。在保护电路中,我们使用到热敏电阻传感器,在检测温度过程中,单片机会随时读取温度,当检测到的温度值超过预定值时,系统会发出一个报警信号,并关断输出脉冲,使系统入重启动状态。

电磁加热器是一种利用电磁感应原理将电能转化为热能的装置,是随时代发展需求而涌现的新型节能产品,较传统工业加热,可以说是一次技术大变革。

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