新材料 a-BN被发现，次世代半导体有望加速现身

有四种常见类型的晶体：离子晶体，原子晶体，分子晶体和金属晶体。氮化硼具有高硬度，耐高温2000℃，在氮气压力下熔点3000℃，不溶于冷水，微溶于热酸，等等。从分子结构的观点来看，BN中的氮原子和硼原子通过共价键的作用结合在一起。因此，氮化硼是原子晶体。

三星先进技术研究院(Samsung Advanced Institute of Technology，简称 SAIT)研发出新的半导体材料──「非晶质氮化硼」(amorphous boron nitride，简称 a-BN)，有望让次世代半导体加速现身。

三星官网 6 日称，SAIT、南韩蔚山国家科学技术研究院(Ulsan National Institute of Science and Technology)、英国剑桥大学，合力发现了新材料 a-BN，此一结果刊载于知名科学期刊《Nature》。

SAIT 致力于发展 2D 材料，也就是只有一层原子的晶体材料。该机构持续研究石墨烯，在石墨烯晶体管以及如何制作大型单晶的晶圆级石墨烯方面，达成了破天荒的研究成果。

SAIT 石墨烯计划主管和主要研究员 Hyeon-Jin Shin 说：为了加强石墨烯和以硅为基础半导体制程的兼容性，要在半导体基板上生成晶圆级石墨烯，必须在摄氏 400 度以下的低温进行。

新发现的材料名为 a-BN，从白色石墨烯淬炼而出，内部的氮和硼原子成六角形排列，但是分子结构与白色石墨烯相当不同。a-BN 介电常数(dielectric constant)极低，只有 1.78，并有强大的电子和机械特质，能作为隔绝材料，让电子干扰最小化。a-BN 可望广泛用于 DRAM、NAND 内存，特别是大型服务器的次世代内存解决方案。