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[导读]新产品在碳化硅(SiC)浪涌电流稳健性方面树立新的基准

2020年10月26日,美国新泽西州普林斯顿 --- 碳化硅(SiC)功率半导体的领先制造商美商联合碳化硅股份有限公司(UnitedSiC)宣布,将推出四种新型结势垒肖特基(JBS)二极管,以补充FET和JFET晶体管产品。新推出的UJ3D 1200V和1700V器件具有业界更佳的浪涌电流性能,是UnitedSiC第三代SiC混合式PiN肖特基(MPS)二极管的一部分。

UnitedSiC的SiC SB二极管针对需要更高效率水平和超快开关速度的功率系统设计而进行全面优化,其VF x Qc品质因数(FoM)至少比其他制造商二极管好12~15%。阳极和阴极之间的间隙大于8.8mm,这意味着它们更适合应对可能出现的电压瞬变引起的高噪声环境。在大电流情况下,新颖的PN结架构使注入额外的载流子成为可能。因此,UnitedSiC二极管能够比竞争器件耐受更高的浪涌电流(高达额定电流的12倍)。

新产品包括一款1700V 25A额定值产品,以及三款1200V ,电流额定值分别为10A、20A和50A的器件。所有这些SiC二极管完全符合AEC-Q101汽车级标准,采用紧凑型TO247-2L封装和裸片格式。这些新型SiC二极管最适合的应用包括电动汽车(EV)快速充电接入点、工业马达驱动器和太阳能逆变器等。

UnitedSiC工程副总裁Anup Bhalla解释说:“凭借UJ3D1725K2独特的性能,我们可以为客户提供可靠、节省空间、且具有成本效益的SiC二极管,这些新产品已经过批量生产的支持和验证,具有更高的性能水平和质量保证。”

对于UJ3D1725K2,1000片以上批量零售单价为6.47美元,UJ3D1210K2、UJ3D1220K2和UJ3D1250K2的1000片以上批量零售单价分别为2.24美元、3.39美元和9.55美元。所有器件均可从UnitedSiC授权分销商处购买。

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