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[导读]器件采用欧翼引线结构PowerPAK® SO-8L小型封装具有业界出色FOM并获得AEC-Q101认证

宾夕法尼亚、MALVERN — 2021年4月7日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.推出通过AEC-Q101认证、全球先进的p沟道80 V TrenchFET® MOSFET---SQJA81EP。新型Vishay Siliconix SQJA81EP导通电阻达到80 V p沟道器件优异水平,可提高汽车应用功率密度和能效。SQJA81EP采用欧翼引线结构5.13 mm x 6.15 mm PowerPAK® SO-8L小型单体封装,10 V条件下最大导通电阻仅为17.3 mW /典型值为14.3 mW。

日前发布的汽车级MOSFET导通电阻比最接近的DPAK封装竞品器件低28 %,比前代解决方案低31 %,占位面积减小50 %,有助于降低导通功耗,节省能源,同时增加功率密度提高输出。SQJA81EP 10 V条件下优异的栅极电荷仅为52 nC,减少栅极驱动损耗,栅极电荷与导通电阻乘积,即用于功率转换应用的MOSFET优值系数(FOM)达到业界出色水平。

器件可在+175 °C高温下工作,满足反向极性保护、电池管理、高边负载开关和LED照明等汽车应用牢固性和可靠性要求。此外,SQJA81EP鸥翼引线结构还有助于提高自动光学检测(AOI)功能,消除机械应力,提高板级可靠性。

器件80 V额定电压满足12 V、24 V和48 V系统多种常用输入电压轨所需安全裕度。MOSFET提高了功率密度,从而减少需要并联的元器件数量,节省PCB空间。此外,作为p沟道器件,SQJA81EP可简化栅极驱动设计,无需配置n沟道器件所需的电荷泵。 MOSFET采用无铅(Pb)封装、无卤素、符合RoHS标准,经过100 % Rg和UIS测试。

SQJA81EP现可提供样品并已实现量产,供货周期为14周。

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