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[导读]全面的宽禁带器件组合实现高性能充电方案

2021年6月8日—推动高能效创新的安森美半导体发布一对1200 V完整的碳化硅 (SiC) MOSFET 2-PACK模块,进一步增强其用于充满挑战的电动车 (EV) 市场的产品系列。

随着电动车销售不断增长,必须推出满足驾驶员需求的基础设施,以提供一个快速充电站网络,使他们能够快速完成行程,而没有“续航里程焦虑症”。这一领域的要求正在迅速发展,需要超过350 kW的功率水平和95%的能效成为“常规”。鉴于这些充电桩部署在不同的环境和地点,紧凑性、鲁棒性和增强的可靠性都是设计人员面临的挑战。

新的1200 V M1完整 SiC MOSFET 2 pack模块,基于平面技术,适合18 V到20 V范围内的驱动电压,易于用负门极电压驱动。它的较大裸芯片与沟槽式MOSFET相比,降低了热阻,从而在相同的工作温度下降低了裸芯片温度。

NXH010P120MNF配置为2-PACK半桥架构,是采用F1封装的10 mohm器件,而NXH006P120MNF2是采用F2封装的6 mohm器件。这些封装采用压接式引脚,是工业应用的理想选择,且嵌入的一个负温系数 (NTC) 热敏电阻有助于温度监测。

新的SiC MOSFET模块是安森美半导体电动车充电生态系统的一部分,被设计为与NCD5700x器件等驱动器方案一起使用。最近推出的NCD57252双通道隔离型IGBT/MOSFET门极驱动器提供5 kV的电隔离,可配置为双下桥、双上桥或半桥工作。

NCD57252采用小型SOIC-16宽体封装,接受逻辑电平输入(3.3 V、5 V和15 V)。该高电流器件(在米勒平台电压下,源电流4.0 A/灌电流6.0 A)适合高速工作,因为典型传播延迟为60 ns。

安森美半导体的 SiC MOSFET与新的模块和门极驱动器相辅相成,比类似的硅器件提供更胜一筹的开关性能和增强的散热性,令能效和功率密度更高,电磁干扰 (EMI) 得以改善,并减小系统尺寸和重量。

最近发布的 650 V SiC MOSFET 采用新颖的有源单元设计,结合先进的薄晶圆技术,使(RDS(on)*area) 的品质因数 (FoM) 达到同类最佳。该系列器件如NVBG015N065SC1、NTBG015N065SC1、NVH4L015N065SC1 和 NTH4L015N065SC 等是市场上采用D2PAK7L / TO247 封装的具有最低RDS(on) 的MOSFET。

1200 V和900 V N沟道SiC MOSFET芯片尺寸小,减少了器件电容和门极电荷(Qg - 低至220 nC),从而减少电动车充电桩所需高频工作的开关损耗。

在 APEC 2021 期间,安森美半导体将展示用于工业应用的 SiC方案,并在展商研讨会上介绍电动车非车载充电方案。

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