当前位置:首页 > 专访 > 蔡璐
[导读]近日,ROHM(罗姆)开发出了具备超强抗EMI性能的轨到轨输入输出高速CMOS运算放大器“BD87581YG-C(单通道产品)”和“BD87582YFVM-C(双通道产品)”,旨在减少异常检测系统的设计工时并提高可靠性。

作为汽车电子控制系统的关键部件,传感器很容易接收到外界或内部一些无规则的噪声或干扰信号。可以说,传感器设计的成功与否,跟抗干扰设计有着很大的关系。

为了给业内提供更为先进的解决方案,近日全球知名半导体制造商ROHM(罗姆)开发出了具备超强抗EMI性能(以下简称“抗干扰性能”)的轨到轨输入输出高速CMOS运算放大器“BD87581YG-C(单通道产品)”和“BD87582YFVM-C(双通道产品)”,旨在减少异常检测系统的设计工时并提高可靠性。


因为专注,所以出众


要知道,“噪声”是会导致精度误差和误动作的不必要的信号,在要求更高精度的“传感器应用”中,运算放大器的“低噪声”和“抗干扰”性能必不可少。

对此,ROHM充分利用自有的垂直统合型生产体制和模拟设计技术优势,从2017年开始开发EMARMOUR™系列。该系列产品具有非常出色的抗干扰性能,有助于减轻降噪设计负担。

据罗姆半导体(上海)有限公司技术中心FAE朱莎勤介绍,以出色的抗干扰性能著称的EMARMOUR™系列的开发初衷,是为了在应用产品中无需采取特别措施也可防止产品因噪声干扰而误动作。EMARMOUR™是ROHM的商标,其中EM是电磁辐射的缩写,ARMOUR是铠甲的意思。因此,该词可译为ROHM开发的运算放大器如同身披铠甲一样,免受外部噪声干扰。

在谈及产品设计时,朱莎勤表示,ROHM开发的产品不仅追求低噪音性能,还追求易用性。EMARMOUR™系列产品之所以能使抗EMI性能得到显著提升,主要是通过优化制造工艺和改善电路设计来实现的,这其中融合了ROHM的“电路设计技术”、“布局技术”和“工艺技术”三大优势。

具体来说,首先,通过在所需的位置嵌入多个新开发的噪声控制电路“RF-IA”,提高了抗干扰性能。其次,在有噪声的线路周围设置屏蔽结构,同时改善布线干扰并调整内部模拟内核的阻抗。第三,着眼于“寄生电容大时,抗噪性能强”的事实来选择工艺和元件尺寸,以获得更适合的寄生电容。“当这三点完全具备的时候,整个芯片的噪声抗噪能力就非常强劲了。”朱莎勤解释说。

事实上,ROHM早在2018年就推出了EMARMOUR™系列双极型产品(共有四款),而此次推出的“BD87581YG-C(单通道产品)”和“BD87582YFVM-C(双通道产品)”都是CMOS类型的运算放大器,其偏置电流、转换速率均比上一代的双极型产品有着较大提高。

与同类产品相比,ROHM的EMARMOUR™系列产品,由于出厂时抗噪能力强,能够有效减轻降噪设计负担,从而可以帮助客户减少系统设计工时和设计成本。另外,在整体交付周期较短的设计中,也可以做到快速响应。因此,该系列产品在车载和工业设备市场获得了高度好评。


两大特性,彰显实力


至于EMARMOUR™系列产品在抗EMI性能上到底有多出色,朱莎勤则从两个方面对其进行了说明:

一是,在四种国际抗扰度评估测试中,均实现了非常出色的抗干扰性能,可减轻降噪设计负担。

具体来讲,新产品作为EMARMOUR™的运算放大器系列产品,在ROHM的电波暗室中实施了“电子辐射抗扰度测试ISO 11452-2”、“BCI测试ISO 11452-4”、“近距离辐射抗扰度测试ISO 11452-9”、“DPI测试IEC 62132-4”四种国际通行的抗扰度评估测试,并且在这四种测试中均表现出了非常出色的性能。

例如,在“电子辐射抗扰度测试ISO 11452-2”中,相对于普通产品在整个噪声频段的输出电压波动±300mV以上,新产品仅为±10mV以内,实现了非常出色的抗干扰性能。由于无需针对各频段噪声采取降噪措施,不仅可以减少元器件数量(双通道运算放大器与普通产品相比,RC滤波元器件共可减少10件),还能减轻在系统中发挥重要作用的传感器等的降噪设计负担,从而有助于减少应用的设计工时并提高应用的可靠性。

二是,配备了高精度仿真模型“ROHM Real Model”,可防止实际试制后返工。

据朱莎勤介绍,“ROHM Real Model”是一种高精度的SPICE模型,通过可靠的验证,可有效防止实际试制后的返工等情况发生,有助于提高应用产品的开发效率。与传统的SPICE模型相比,“ROHM Real Model”最大的优势就是仿真值与实际IC的值完全一致。

作为ROHM自有的建模技术,“ROHM Real Model”通过将晶体管电路整体实现的特性按功能进行设计和重新组合,从而实现了出色的特性再现性。相比传统的建模技术来说,这是一种基于公式的建模,可以实现仿真值和实测值一致,是技术含量比较高的建模技术。

据悉,此次ROHM发布的EMARMOUR™系列产品,是今年5月份开始量产的。该系列产品符合AEC-Q100标准,可应用于车载引擎控制单元,以及FA设备的异常检测系统等对电子电路降噪要求高的各种车载和工业设备。据朱莎勤透露,该系列中还有4通道产品正在开发中,后续也会推出。

“今后,ROHM将会继续扩大新产品阵容,并且还会将高抗干扰技术应用到电源IC等产品中,为进一步减少各种应用的设计工时和提高应用的可靠性贡献力量。”朱莎勤表示。

换一批

延伸阅读

[科技生活八卦] 简述电子设计中的EMC、EMI、ESD

      ESD、EMI、EMC 设计是电子工程师在设计中遇到常见难题,电磁兼容性(EMC)是指设备或系统在其电磁环境中符合要求运行并不对其环境中的任何设备产生无法忍受的电磁干扰的能力。因此,EMC包括两...

关键字: EMC EMI ESD

[21ic电子网] 运放的共模输入/输出电压设置不对别慌,学长帮你分析!

运放的共模输入/输出电压设置不对别慌,学长帮你分析!

出品 21ic论坛    kk的回忆网站:bbs.21ic.com运放是电工经常用到的元器件,在选择一个运放的时候,就要关注电压参数。从运放的datasheet中首先看到的就是输入电压范围,这个很好理解,就是运放电源电压的使用条件。但是仅仅...

关键字: 电压 运算放大器

[罗姆] ROHM开发出内置SiC二极管的IGBT(Hybrid IGBT)“RGWxx65C系列”

ROHM开发出内置SiC二极管的IGBT(Hybrid IGBT)“RGWxx65C系列”

全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出650V耐压、内置SiC肖特基势垒二极管的IGBT(Hybrid IGBT)“RGWxx65C系列”(RGW60TS65CHR、RGW80TS65CHR、RGW00TS65CHR...

关键字: ROHM IGBT SiC二极管

[蔡璐] ROHM推出全新CMOS运算放大器,抗EMI性能超乎想象!

ROHM推出全新CMOS运算放大器,抗EMI性能超乎想象!

作为汽车电子控制系统的关键部件,传感器很容易接收到外界或内部一些无规则的噪声或干扰信号。可以说,传感器设计的成功与否,跟抗干扰设计有着很大的关系。 为了给业内提供更为先进的解决方案,近日全球知名半导体制造商ROHM(罗姆)开发出了...

关键字: 罗姆 运算放大器 ROHM EMI

[罗姆] ROHM、瑞萨、迈来芯、安费诺等传感器新品亮相世强硬创新品研讨会

6月25日,Silicon Labs 、EPSON、Renesas、Melexis、ROHM、TE、敏源传感等国内外知名品牌齐聚世强硬创新产品研讨会传感器专场,顺应传感器产品智能化、微型化、网络化、集成化、节能化的新趋势,发布全新压力...

关键字: 瑞萨 传感器 ROHM

蔡璐

73 篇文章

关注

发布文章

技术子站

关闭