[导读]1.(大疆2020芯片工程师A卷,单选)1个16Kx8位的存储器,其地址线和数据线总和是()A、46B、17C、48D、22答案:D解析:地址线:16K=1K*16=1024*16=(2^10)*(2^4)=2^14,即需要 14根地址线;数据线:8位数据需要8根数据线;所以一共...
1.(大疆2020芯片工程师A卷,单选)1 个 16K x 8 位的存储器,其地址线和数据线总和是()A、46B、17C、48D、22答案:D解析:地址线:16K = 1K*16 = 1024*16 = (2^10)*(2^4) = 2^14,即需要 14 根地址线;数据线:8 位数据需要 8 根数据线;所以一共需要 22 根线。2. (乐鑫2021数字IC提前批,填空)用2048x12的ROM芯片,最多能实现()个输入 ()个 输出的组合逻辑的数。
答案:11,12
解析:2048=2^11,2048深度,是11位地址位,2048*12表示11位输入地址、12位输出数据(ROM只能输出)。
3. (大疆2020芯片工程师A卷,多选)下面哪些是非易失性存储器()A、FlashB、EPROMC、DRAMD、SRAM答案:AB解析:(1)ROM(Read-Only Memory,只读存储器)只能读出无法写入信息。信息一旦写入后就固定下来,即使切断电源,信息也不会丢失,所以又称为固定存储器。ROM所存数据通常是装入整机前写入的,整机工作过程中只能读出。可编程只读存储器(PROM);可擦可编程序只读存储器(EPROM);带电可擦可编程只读存储器(EEPROM,一般使用 IIC 接口读写)。(2)RAM(Random Access Memory,随机存取存储器),而且速度很快,RAM在计算机和数字系统中用来暂时存储程序、数据和中间结果,比如计算机的8G内存,掉电丢失;(3)SRAM(Static Random-Access Memory,静态随机存取存储器)是 RAM 的一种。所谓的“静态”,是指这种存储器只要保持通电,里面储存的数据就可以保持;(4)DRAM(Dynamic Random Access Memory,动态随机存取存储器),需要周期性地更新存储数据,所以叫“动态”。-----------------------------------------------------------SRAM 和 DRAM 比较:SRAM 不需要动态刷新,速度快,性能高,但是功耗大、集成度低,同时体积也比 DRAM 大,由此 SRAM 的造价更高。-----------------------------------------------------------(5)SDRAM(Synchronous Dynamic Random-access Memory,同步动态随机存取内存),是有同步接口(Synchronous)的 DRAM,系统读写能够同步;第一代 SDRAM 是 SDR 单数据速率,其后第二代 DDR SDRAM、第三代 DDR2 SDRAM、第四代 DDR3 SDRAM、第五代 DDR4 SDRAM 均为双倍速率的存储器,一般简称 DDR。DDR:Double Data Rate。(6)Flash 存储器,又叫闪存,非易失性存储器件。结合 RAM 和 ROM 的优点,既能电可擦除,不掉电丢数据(ROM),又能快速读写数据(RAM),U盘大部分使用的是 Flash 技术,所以你知道了,不丢数据,可读可写,还挺快,但是还是不如 RAM 快。Flash 分 2 种:Nor Flash 和 Nand Flash。Nand Flash | 成本低,串行结构,读写慢,可靠性差 |
---|
Nor Flash | 与上面相反 |
很多 FPGA 也是基于 SRAM 架构的,下载程序后运行,而断电后再次上电,需要重新下载程序。由此引出所谓的“固化”,即将程序下载到 EEPROM、Flash 等非易失性器件中,每次上电后从 EEPROM 或者 Flash 中加载对 FPGA 的配置(bitstream),比如 Xilinx FPGA 常用 QSPI Flash、SD 卡等方式。
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