当前位置:首页 > 厂商动态 > 派恩杰半导体
[导读]2021年9月6日,模拟晶圆代工龙头企业X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)和国产SiC功率器件供应商派恩杰联合对外宣布,双方就批量生产SiC晶圆建立长期战略合作关系,此前双方已经合作近三年时间。

2021年9月6日,模拟晶圆代工龙头企业X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)和国产SiC功率器件供应商派恩杰联合对外宣布,双方就批量生产SiC晶圆建立长期战略合作关系,此前双方已经合作近三年时间。

X-FAB总部位于欧洲,是全球第一家提供150mm SiC工艺的代工企业。X-FAB符合汽车品质的生产环境可以帮助客户生产制造出高品质、高性能,并且能快速上市的器件。

作为X-FAB亚洲区重要的合作伙伴,据了解,过去三年派恩杰累计出货1千万,未来三年预计将超过8千万。

从派恩杰官网了解到,派恩杰是成立于2018年9月的第三代半导体功率器件设计和方案商。创始人黄兴博士师从IGBT之父B•贾扬•巴利加(B. Jayant Baliga),在Cree / RFMD(Qorvo) / UnitedSiC等有长达十年的SiC&GaN功率器件设计经验。由此可见,派恩杰SiC&GaN功率器件自带美国半导体技术基因,具有先天技术优势,技术实力可见一斑,派恩杰的产品发展史也佐证了这一点。

2019年3月,派恩杰成立仅6个月即发布了第一款可兼容驱动650V GaN功率器件。同年8月完成Gen3技术的1200V SiC MOS,填补了国内空白。2020年先后发布用于5G数据中心、服务器与工业辅助电源的650V、1700V工业级MOS以及用于车载充电机的650V车规级MOS。2021年2月发布1200V大电流车规级MOS,应用于电动汽车电驱单管及模块。

截至目前,派恩杰已经发布了50余款650V/1200V/1700V SiC SBD、SiC MOS、GaN HEMT功率器件产品。

派恩杰和X-FAB均表示,双方将持续深度合作,充分发挥派恩杰国际一流水平的产品技术优势和在X-FAB高扩展性和汽车品质的代工服务,降低SiC器件的成本,保障产能,加速SiC功率器件在大数据中心、超级计算与区块链、5G通信基站、新能源汽车/储能/充电桩、微型光伏、城际高速铁路和城际轨道交通、家用电器以及特高压、航空航天、工业特种电源、UPS、电机驱动等领域的应用,推动全球SiC产业的发展。

本站声明: 本文章由作者或相关机构授权发布,目的在于传递更多信息,并不代表本站赞同其观点,本站亦不保证或承诺内容真实性等。需要转载请联系该专栏作者,如若文章内容侵犯您的权益,请及时联系本站删除。
换一批
延伸阅读

【2024年3月14日,德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日推出750V G1分立式CoolSiC™ MOSFET,以满足工业和汽车功率应用对更高能效和功率密度日益增...

关键字: MOSFET SiC 车载充电器

SPM31 智能功率模块 (IPM) 用于三相变频驱动应用,能实现更高能效和更佳性能

关键字: 功率模块 IGBT 晶体管

这款高度集成的 3.3 kV XIFM 即插即用数字栅极驱动器可与基于SiC的高压电源模块搭配使用,从而简化并加快系统集成

关键字: 栅极驱动器 SiC 电源

全新高功率密度传感器能够降低能量损耗,同时改进SiC和GaN技术的效率和可靠性

关键字: 电源转换 传感器 SiC

Holtek针对电磁炉应用领域,新推出HT45F0006/HT45F0036电磁炉Flash MCU。HT45F0006/HT45F0036提供电磁炉所需的硬件保护电路,如电压/电流浪涌保护、IGBT过压保护、过电流保护...

关键字: 电磁炉 MCU IGBT

如何把握住2024年的行业新机遇,实现技术突破创新,赋能各类新兴应用的发展?新一年伊始,我们采访到了英飞凌科技全球高级副总裁暨大中华区总裁、英飞凌电源与传感系统事业部大中华区负责人潘大伟,他和我们分享了英飞凌这一年来的成...

关键字: 英飞凌 功率半导体 SiC GaN review2023

功率器件在储能变流器(PCS)上的应用,双向DC-DC高压侧BUCK-BOOST线路,推荐瑞森半导体超结MOS系列。模块BOOST升压/双向DC-AC转化器,推荐瑞森半导体IGBT系列。

关键字: 储能变流器 储能 IGBT 超结MOS

1200 V分立器件提供出色的性能,有助于加速全球能源转型

关键字: 工业电源 SiC 电动汽车

提供高电压与大电流,可驱动不同行业的标准MOSFET/IGBT

关键字: 驱动器 MOSFET IGBT
关闭
关闭