[导读]大家好,我是记得诚。手机VBUS电路上,一般会有OVP防护,今天简单聊一聊这个电路。OVP的全称是OverVoltageProtection,意为过压保护,在手机VBUS上加过压保护电路,一般有如下几个原因:1、手机充电,用一些非原装劣质的充电器,会导致VBUS输出异常,异常的高...
大家好,我是记得诚。
手机VBUS电路上,一般会有OVP防护,今天简单聊一聊这个电路。OVP的全称是Over Voltage Protection,意为过压保护,在手机VBUS上加过压保护电路,一般有如下几个原因:1、手机充电,用一些非原装劣质的充电器,会导致VBUS输出异常,异常的高电压会损坏手机内部芯片。2、在一些不发达国家,如东南亚,电网不稳定,也会导致VBUS输出异常。
3、作者之前做过车载电子,在一些大卡车,车载电平是24V的,点火状态,最高电压能到28.XV,此时在车上给手机充电时,也会有浪涌的风险。
VBUS电路一般是TVS OVP结合防护,下图是典型的应用电路。
USB port的电压通过R1和R2分压,达到OVLO阈值时,OVP内部的开关会断开,避免高压损坏后端负载,未达到阈值时,OVP内部开关正常导通,电路正常工作。OVP芯片在选型时,有几个参数需要注意:
1. TVS的钳位电压VCL要小于OVP的最大输入电压,这个TVS属于一级防护,抗300V浪涌,OVP的最大输入电压其实指的是内部NMOS的DS耐压。
2. Cin的额定电压需要注意,外部加TVS时,Cin的电压应大于TVS最大钳位电压,外部无TVS时,建议用50V的。
3. Cout的额定电压需要大于OVP的阈值,如6.8V的阈值,电容电压选10V及以上。4. 带ADJ的OVP,可以通过R1和R2来调节阈值电压,和固定阈值电压的OVP相比,缺点是增加了OVP的关断时间。
5. OVP的关断时间,80ns、100ns和120ns居多,这个时间越短越好,能够及时的关断残压。
6. 导通电阻Ron,内部MOS的参数,因为后端是连接到充电电路,这个值越小越好,尤其是大电流充电。
7. Surge电压,这个指OVP内部TVS管防浪涌的电压,一般在100V/120V,属于二级防护。
OVP芯片内部防浪涌TVS管
今天的分享到这里就结束了,希望对你有帮助,我们下一期见。
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