Intel要捍卫摩尔定律，称10nm优于目前的14nm工艺

近来火热的10nm工艺成为了行业的香饽饽，到了今年，这新一代的10nm工艺的发展只会是越来越好。

在新一代10nm工艺节点上，TSMC、三星的进度都要比Intel更快，Intel的10nm工艺本应在今年下半年问世，但有可能延期到2018年，以致于子公司Altera的FPGA代工都有可能重新回到TSMC怀抱。作为摩尔定律的提出者，Intel一直在捍卫摩尔定律，该公司院士Mark Bohr日前谈到了10nm工艺，认为Intel的10nm不论在技术上还是成本上都优于目前的14nm工艺，晶体管可缩小46%。

我们都知道半导体工艺越先进，制造出的晶体管体积越小，性能越强，功耗越低。Intel企业院士Mark Bohr在IEEE刊物上提到了他们的10nm工艺的详情，认为Intel的10nm工艺不仅远超14nm工艺，也比其他公司的10nm工艺更好，10nm工艺制造出的晶体管最小栅极间距从上代的70nm缩减到了54nm，逻辑单元可缩小46%。

先进工艺带来的技术优势固然好，但越来越高的开发成本也让很多公司却步。对于这一点，Mark Bohr也承认10nm工艺整体成本会比14nm更高，不过均摊到每个芯片上成本实际上还是降低了(但是Intel得清楚不是所有公司都有这么大产量的)

Mark Bohr如此夸赞10nm工艺，其实就是在外界强调摩尔定律未死，这是Intel过去三十多年领先业界的黄金定律，自然不会轻易放弃。

Intel科研人员说10nm处理器不仅可以提高性能，还可以降低功耗，但性能与功耗终究是要有所取舍的，Intel最近几代处理器在性能上其实变化并不大，而10nm工艺实际上被公认为低功耗工艺，并非高性能节点。Mark Bohr也表示新工艺的首要目标是降低能耗，只有这样才能在芯片中加入更多核心，或者在GPU中加入更多执行单元，进而降低整体成本。

三星的10nm工艺去年10月份就宣布量产了，TSMC也将在今年初期量产10nm工艺，不过这两家的10nm工艺栅极间距确实不如Intel优秀。至于GlobalFoundries，他们已经确定跳过10nm工艺，直奔未来的7nm工艺，不过低功耗工艺上有12nm FD-SOI工艺。

Intel在14nm节点已经出了14nm及14nm+代工艺了，而在10nm则规划了三代工艺，分为10nm、10nm +、10nm ++，就算今年推出第一代10nm工艺，整个10nm节点至少也要维持三代处理器，直到2020年之后才会升级到7nm节点。