东芝和NuFlare荣获第59届大河内纪念生产奖

东芝公司(Toshiba Corporation)和NuFlare Technology, Inc. (NFT)因共同开发并实际应用电子束(EB)光罩直写设备(mask writer)荣获第59届大河内纪念生产奖(The 59th Okochi Memorial Grand Production Prize)，颁奖典礼将于3月22日在东京举行。

大规模集成电路(LSI)使用平版印刷工具制造，用于将主电路图案投射到晶圆上并进行收缩。主电路图案最初通过电子束光罩直写设备写入光罩上。此前，大部分电子束光罩直写设备都使用点波束来写入图案，但需要通过缩放LSI使其变小。这就增加了光罩的写入时间，成为提高光罩制作效率的主要难题。

东芝和NFT合力开发出一种实用的电子束光罩直写设备，其写入精度和效率均有所提高。该电子束光罩直写设备利用了可变形状束(VSB)光罩写入方法，可将电子束塑造成所需形状填充到图案中。

两家公司研制了一种新颖的公式与计算系统，能够更快、更精准地校正近距离效果，避免了出现来自光罩基底的散射电子改变电子束曝光，从而降低光罩图样精确度的现象。此前的技术需要数天时间进行计算，从而将目标计算误差控制在0.5%以内。新公式将计算时间缩短到1小时内，从而能够将实时计算与图案写入(电子束扫描和工具阶段性运动)进行调整。

高亮度电子源的开发与应用缩短了光罩写入时间。这一点是通过改善电子源材料和操作条件来提升亮度(一定时间内放出的电子数量)而实现的。这最终将电子束曝光到光罩上所需的时间缩短了95%，进而大幅缩短写入时间。

双方公司将继续推进创新技术，以期满足对精度和效率更高的光罩直写设备高涨的需求。