Vishay在2013中国电子展成都站将展出业界领先技术

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，将在6月20至22日成都世纪城新国际会展中心举行的2013中国电子展成都站(夏季会)上展出其全线技术方案。Vishay的展位在3号馆A214，展示亮点是其最新的业界领先的创新产品，包括无源元件、二极管、功率MOSFET、功率IC和光电子产品。

在2013中国电子展上，Vishay Siliconix将展出在4.5V栅极电压下最大导通电阻低至0.00135Ω的TrenchFET® Gen IV MOSFET，提高效率的600V和650V E系列器件，以及采用PowerPAK® SO-8L和8x8L封装的50W前大灯照明LED驱动。重点展示的电源IC包括3mm x 3mm DFN10封装的28V可编程的保护智能负载开关，5mm x 5mm封装的高密度60A功率级，100V全桥PWM控制器功率级。

Vishay Semiconductors将展示多种二极管产品，包括SMPD封装的45V～120V TMBS® Trench MOS势垒肖特基整流器和50V高电流密度器件，用于电动汽车、UPS和太阳能逆变器的Gen2 650 V FRED Pt®超快二极管，以及FRED Pt 超快恢复整流器。

另外，Vishay Semiconductors的表面贴装PAR®和TRANSZORB®瞬态电压抑制器也让人眼前一亮，还有白光高亮度、高功率LED模块，高亮度0402和0603尺寸的ChipLED，以及全集成的接近和环境光传感器等光电子产品。

Vishay的无源元件包括多种最新型电容器、电阻和电感器。颇值得一看的电阻有可在235℃下工作的Vishay Beyschlag高电流温度保险丝，Vishay Draloric 20kW不锈钢功率电阻，以及采用模塑外壳的Vishay Dale Power Metal Strip®电池电流采样电阻。

主推的电容器包括Vishay Vitramon高频RF和微波MLCC，可用于DC-link和AC应用的高峰值电流Vishay Roederstein薄膜电容器，以及Vishay ESTA功率电容器。主推的电容器还包括Vishay Sprague MICROTAN®固钽片式电容器和Vishay液钽电容器。

Vishay Dale将展出薄型、高电流IHLP®器件等电感器，用于LED SEPIC转换器电路的IHCL耦合电感器，IWAS无线充电的Rx线圈。

除此以外，Vishay还将在2013中国电子展的展位上进行两项产品演示。Vishay Siliconix将展示对优化了热和电性能的SiZF904DT PowerPAIR® TrenchFET IV功率MOSFET。Vishay Semiconductors将系统演示采用低正向电压和快速导通时间的TMBS整流器，以及高阻抗和减少信号损失的低CJ TVS产品。

中国电子展是中国西部地区领先的和最全面的电子和信息行业的展会。