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在日常的电气柜装配过程中,常常会面临费时费力的巨大烦恼。根据德国“装配机柜4.0”研究结果,传统装配机柜过程最耗时的是规划和安装阶段。而其中,项目规划和电路图构建占据了50%以上的规划时间;机械装配和线束加工,更是占据了...
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魏德米勒
电气柜
电路图
由于具有更好的品质因数,氮化镓等宽禁带半导体提供比硅更高的功率密度,占用的芯片面积更小,因此需要更小尺寸的封装。假设器件占用的面积是决定热性能的主要因素,那么可以合理地假设较小的功率器件会导致较高的热阻。3,4本文将展示...
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GaN
FET
热管理
栅极控制块或电平转换块控制 MOSFET 的 V G 以将其打开或关闭。门控的输出直接由它从输入逻辑块接收的输入 决定。
在导通期间,栅极控制的主要任务是对 EN 进行电平转换,以产生高(N 沟道)或低(P 沟道)...
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FET
负载开关
高端负载开关及其操作仍然是许多工程师和设计师的热门选择,适用于电池供电的便携式设备,例如功能丰富的手机、移动GPS设备和消费娱乐小工具。本文采用一种易于理解且非数学的方法来解释基于 MOSFET 的高侧负载开关的各个方面...
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FET
负载开关
我们研究了如何在最终应用未知时为 FET 建议适当的交叉参考。在本博客和本系列即将发布的文章中,我们将开始研究针对特定最终应用需要考虑哪些具体考虑因素,从最终应用中用于驱动电机的 FET 开始。
电机控制是 30V...
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电机控制
FET
关于 FET 数据表的问题,尤其是热信息表中的那些参数,大家不一定知道有什么作用。这就是为什么今天,我想解决数据表中结到环境热阻抗和结到外壳热阻抗的参数,这似乎是造成很多混乱的原因。
首先,让我们准确定义这些参数的...
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FET
热阻抗
今天,小编将在这篇文章中为大家带来ADI智能功率级产品LTC7050的有关报道,通过阅读这篇文章,大家可以对它具备清晰的认识,主要内容如下。
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智能功率级
LTC7050
FET
上海2022年4月14日 /美通社/ -- 世芯电子完整体现了其在先进FinFET(先进鳍式场效电晶体)的技术组合并且成功完成在台积电7/6/5纳米的流片。除了先进FinFET的技术组合,世芯的ASIC整体设计解决方案更...
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FET
电子
(全球TMT2022年4月14日讯)世芯电子完整体现了其在先进FinFET(先进鳍式场效电晶体)的技术组合并且成功完成在台积电7/6/5纳米的流片。除了先进FinFET的技术组合,世芯的ASIC整体设计解决方案更是涵盖...
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FET
电子
(全球TMT2022年3月9日讯)面向当今片上系统(SoC)行业的Total IPTM解决方案提供商Arasan Chip Systems宣布,立即为GlobalFoundries 12nm FinFET制造节点提供其...
关键字:
FET
节点
MIPI
作为一名电力电子工程师,有句话说得好,没有从电力设备爆炸中吸取的教训,就没有成功。在我多年使用硅基 MOSFET 调试开关模式电源的经验中,这似乎是正确的。通过反复试验和对设备故障的研究,我们可以学习如何设计可靠工作的转...
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氮化镓(GaN)
FET
在先进半导体工艺上,台积电目前是无可争议的老大,Q3季度占据全然53%的晶圆代工份额,三星位列第二,但份额只有台积电的1/3,所以三星押注了下一代工艺,包括3nm及未来的2nm工艺。根据三星的计划,3nm工艺会放弃Fin...
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FET
IBM
三星
晶体管
为实现高信噪比(SNR),ADC的孔径抖动必须很低。目前可提供孔径抖动低至60fsrms的ADC(AD944514位125MSPS和AD944616位100MSPS)。为了避免降低ADC的性能,必须采用抖动极低的采样时钟...
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振荡器
相位噪声
RMS
晶体振荡器
对于多年来一直使用带有外部场效应晶体管 (FET) 的控制器的有经验的电源设计人员来说,或者对于通常只使用 DC/DC 控制器或 DC/DC 转换器的任何电源工程师来说,这种感觉可能很熟悉。
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DCDC
FET
现在生活中人们都离不开电力, 随着装修的要求越来越高,大家都知道水电属于隐蔽工程,如果没有安装好,后期在使用时会带来很大的麻烦。
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短路
电路图
短路是两个给负载供电的引脚间的无意连接。在交流和直流电路中都会发生,如果是交流的话短路会影响一整个区域的供电,但从供电站到房屋内有许多级的保险丝和过载保护电路。
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短路
电路图
设计分2种,一种叫前向设计,另一种叫后向设计。 后向设计就是我们只知道需求,知道要实现什么功能,但是暂时脑子里还没有具体的结构。多数时候都是后向设计。此时,先开始把module的input和output写好。然后从out...
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verilog
电路图