世芯电子先进FinFET工艺成功完成流片

（全球TMT2022年4月14日讯）世芯电子完整体现了其在先进FinFET（先进鳍式场效电晶体）的技术组合并且成功完成在台积电7/6/5纳米的流片。除了先进FinFET的技术组合，世芯的ASIC整体设计解决方案更是涵盖了全方位一流的IP种类和先进封装技术。世芯在7/6/5纳米的ASIC设计上能特别专注于具有数十亿逻辑门数的超大规模/尺寸IC设计。这些先进的IC主要用于人工智能、高性能计算、网络及存储应用等领域。

世芯完整的7/6/5纳米设计能力包括大规模芯片设计里必要的分区和签核、测试设计流程，以及一套涵盖了全面系统协同设计签核的中介层/基板设计的完整2.5D封装设计流程。世芯的创新封装服务也涵盖信号/电源仿真及热仿真（SI/PI），能提供即插即用的流片后解决方案，以减少基板层和由此产生的材料成本。这样产生的7/6/5纳米IC具有更精确的功率和热估算流程，能避免流片后的失败，在高功率设计中尤其关键。

世芯完整的5纳米“设计到交付”方法侧重于最大限度地缩短设计周期。其中的实体设计像是芯粒（Chiplet）技术平台、高性能计算IP组合含世芯的D2D APLink IP、IP子系统集成服务，以及最新的2.5D异构封装技术等。