想要一款智能功率级产品?这款新品或得你芳心!

今天，小编将在这篇文章中为大家带来ADI智能功率级产品LTC7050的有关报道，通过阅读这篇文章，大家可以对它具备清晰的认识，主要内容如下。

LTC7050是采用5mm × 8mm LQFN封装的双通道SilentMOS智能功率级，LTC7050双通道单片式功率级在电气和热优化封装中完全集成了高速驱动器和低电阻半桥电源开关，以及全面的监控和保护电路。借助合适的高频控制器，该功率级可形成具有先进的效率和瞬态响应的紧凑型大电流电压稳压器系统。

SilentMOS技术采用第二代Silent Switcher 2架构，可降低EMI和开关节点电压过冲，同时较大限度地提高在高开关频率下的效率。

高速电流检测可提供低延迟开关电流信息，从而实现严格的电流平衡和即时过流保护。热增强型封装提供双路40A额定连续输出电流能力。

LTC7050智能功率级各引脚功能如下：

RUN1、RUN2：运行引脚。当此引脚被驱动为高电平时，启用。当 RUN 为低电平时，SW 节点处于高阻态。

PWM1、PWM2：PWM 输入引脚。 RUN 驱动为高电平时，SW 名义上将跟随此引脚为高电平、低电平和高阻态。标称 3V CMOS 逻辑电平;可以用 3V 至 5V CMOS 信号驱动。当处于高阻态时，电阻分压器将电压保持在 1.7V。

ISNS1、ISNS2：电流检测引脚。该引脚提供/吸收等于 1/100,000 SW 节点电流的瞬时电流，正负。

FLTB1、FLTB2：故障条引脚。当芯片/通道遇到 OC 或 OCN 等故障条件时，该开漏引脚会拉低。

TMON/FLT：温度监控器/故障引脚。该引脚提供 0.6V 至 1.8V 的电压(以 SGND 为参考)，对应于 0°C 至 150°C 的芯片温度，增益为 8mV/°C。高于 150°C，引脚被拉高以指示过热 (OT) 故障。该引脚具有有限的电流吸收能力，因此可以将多个类似的引脚连接在一起以实现最高温度和单次 OT 故障报告。

TDIO：温度二极管引脚。 该引脚为 SGND 提供参考二极管，用于测量芯片温度。

PVCC：5V 驱动器电源。该引脚直接为低压侧栅极驱动器供电，并通过一个在 SW 上的内部自举电源为高压侧栅极驱动器供电。 使用 10µF 陶瓷电容将此引脚旁路至靠近芯片的 PGND。

VCC：5V 电源。 使用 1µF 陶瓷电容将该引脚旁路至靠近芯片的 SGND。

VIN：功率级电源。 该引脚通过高端 N 沟道 FET 连接到 SW。

SW1、SW2：功率级开关节点。功率级的输出，该节点通过高端 N 沟道 FET 连接到 VIN，并通过低端 N 沟道 FET 连接到 PGND。

PGND：功率级接地。 该引脚通过低侧 N 沟道 FET 连接到 SW。 还为驱动程序供电。

SGND：电路接地。

在正常操作中，PWMHI 开启高端 FET，而 PWMLO 开启低端 FET。 SW 节点以典型的 10ns 延迟跟随 PWM 引脚。 在 SW 从 PGND 上升到 VIN 之前有 <1ns 的死区时间，在 SW 下降之后有一个典型的 3ns 死区时间。 高端 FET 驱动器通过内部集成开关和电容器从内部 BST 节点到 SW 供电，与典型二极管相比可实现更低的压降以及更高频率的操作。

实时电流检测放大器提供按比例缩小的 SW 电流版本。在 PWMHI 或 PWMLO 期间，ISNS 引脚根据 SW 电流方向提供或吸收等于瞬时 SW 电流的 1/100,000 的电流。 相关的电流比较器标记高侧 FET 正过流 (OC) 和低侧 FET 负过流 (OCN) 情况。 两个 FET 的零电流也由相关的电流比较器检测。

TMON 由一个可以提供电流但吸收能力有限的放大器驱动。 这允许多个 TMON 引脚并联，并报告最高温度。过热在 150°C(典型值)时触发，并导致 TMON 引脚被拉高至 VCC。 一旦内部温度降至阈值以下 20°C(典型值)，过热故障将被清除。 TDIO 引脚在内部连接到 P/N 结二极管的阳极，而阴极连接到 SGND。 它为 LTC3884-1 等控制器提供了另一种管芯温度测量方法，以使用直接 VBE 方法或 ΔVBE 方法测量管芯温度

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